Suche in nationalen und internationalen Patentsammlungen

1. (WO2018134086) HALBLEITERLASER UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES SOLCHEN HALBLEITERLASERS

Pub. No.:    WO/2018/134086    International Application No.:    PCT/EP2018/050459
Publication Date: Fri Jul 27 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Wed Jan 10 00:59:59 CET 2018
IPC: H01S 5/183
H01S 5/042
H01S 5/022
H01S 5/42
Applicants: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventors: HALBRITTER, Hubert
PLÖSSL, Andreas
ENZMANN, Roland Heinrich
BEHRINGER, Martin Rudolf
Title: HALBLEITERLASER UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES SOLCHEN HALBLEITERLASERS
Abstract:
In einer Ausführungsform umfasst der Halbleiterlaser (1) einen oberflächenemittierenden Halbleiterlaserchip (4), der eine Halbleiterschichtenfolge (40) mit einer aktiven Zone (41) zur Erzeugung von Laserstrahlung (L) und eine Lichtaustrittsfläche (44), die senkrecht zu einer Wachstumsrichtung (G) der Halbleiterschichtenfolge (40) orientiert ist, aufweist. Ferner beinhaltet der Halbleiterlaser (1) ein diffraktives optisches Element (3), das zur Aufweitung und Verteilung der Laserstrahlung (L) eingerichtet ist, so dass der Halbleiterlaser (1) bevorzugt augensicher ist. Eine optisch wirksame Struktur (33) des diffraktiven optischen Elements (3) ist aus einem Material mit einem Brechungsindex von mindestens 1,65 oder 2,0.