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1. (WO2018127355) MEMS-SENSORVORRICHTUNG MIT PIEZOELEKTRISCHER STRUKTUR UND ZUGEHÖRIGE HERSTELLUNGSVERFAHREN
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Veröff.-Nr.: WO/2018/127355 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2017/082020
Veröffentlichungsdatum: 12.07.2018 Internationales Anmeldedatum: 08.12.2017
IPC:
B81B 3/00 (2006.01) ,H01L 41/113 (2006.01) ,H01L 41/331 (2013.01) ,H04R 17/02 (2006.01)
B Arbeitsverfahren; Transportieren
81
Mikrostrukturtechnik
B
Mikrostrukturbauelemente oder -systeme, z.B. mikromechanische Bauelemente
3
Bauelemente mit flexiblen oder verformbaren Bestandteilen, z.B. mit elastischen Zungen oder Membranen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
41
Piezoelektrische Bauelemente allgemein; Elektrostriktive Bauelemente allgemein; Magnetostriktive Bauelemente allgemein; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder von Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente; Einzelheiten dieser Bauelemente
08
Piezoelektrische oder elektrostriktive Bauelemente
113
mit mechanischer Eingangsgröße und elektrischer Ausgangsgröße
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
41
Piezoelektrische Bauelemente allgemein; Elektrostriktive Bauelemente allgemein; Magnetostriktive Bauelemente allgemein; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder von Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente; Einzelheiten dieser Bauelemente
22
Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Fertigung, Herstellung oder Behandlung von piezoelektrischen oder elektrostriktiven Bauelementen oder Teilen davon
33
Formung und Bearbeitung von piezoelektrischen und elektrostriktiven Körpern
331
durch Beschichten oder Ablagern mit Hilfe von Masken, z.B. Lift-off-Verfahren
H Elektrotechnik
04
Elektrische Nachrichtentechnik
R
Lautsprecher, Mikrofone, Schallplatten-Tonabnehmer oder ähnliche akustische, elektromechanische Wandler; Hörhilfen für Schwerhörige; Großlautsprecheranlagen
17
Piezoelektrische Wandler; elektrostriktive Wandler
02
Mikrofone
Anmelder:
ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart, DE
Erfinder:
BUCK, Thomas; DE
Prioritätsdaten:
10 2017 200 055.404.01.2017DE
Titel (EN) MEMS SENSOR DEVICE WITH PIEZOELECTRIC STRUCTURE AND RELATED PRODUCTION METHOD
(FR) DISPOSITIF CAPTEUR À MEMS À STRUCTURE PIÉZOÉLECTRIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
(DE) MEMS-SENSORVORRICHTUNG MIT PIEZOELEKTRISCHER STRUKTUR UND ZUGEHÖRIGE HERSTELLUNGSVERFAHREN
Zusammenfassung:
(EN) The invention relates to a MEMS sensor device and a method for producing a MEMS sensor device. The MEMS sensor device (110) is configured with: a piezoelectric sensor structure (114); wherein the piezoelectric sensor structure (114) comprises a number of first sections (111) which are disposed within a first virtual plane or layer (E1), and the piezoelectric sensor structure (114) comprises a number of second sections (112) which are disposed within a second virtual plane or layer (E2) or extend through a second virtual plane or layer (E2); wherein the first virtual plane or layer (E1) and the second virtual plane or layer (E2) are different from one another and are disposed parallel to one another.
(FR) L’invention concerne un procédé de fabrication d’un dispositif capteur à MEMS et un procédé de fabrication d’un dispositif capteur à MEMS. Le dispositif capteur (110) à MEMS est constitué : d’une structure de capteur piézoélectrique (114) ; la structure de capteur piézoélectrique (114) comportant un certain nombre de premières sections (111) qui sont agencées à l’intérieur d’un premier plan virtuel ou d’une première couche virtuelle (E1) et la structure de capteur piézoélectrique (114) comportant un certain nombre de deuxièmes sections (112) qui sont agencées à l’intérieur d’un deuxième plan virtuel ou d’une deuxième couche virtuelle (E2) ou qui traversent un deuxième plan virtuel ou une deuxième couche virtuelle (E2) ; le premier plan virtuel ou la première couche virtuelle (E1) et le deuxième plan virtuel ou la deuxième couche virtuelle (E2) étant différents l’un de l’autre et étant agencés parallèlement l’un à l’autre.
(DE) Die Erfindung schafft eine MEMS-Sensorvorrichtung und ein Verfahren zum Herstellen einer MEMS-Sensorvorrichtung. Die MEMS-Sensorvorrichtung (110) ist ausgebildet mit: einer piezoelektrischen Sensorstruktur (114); wobei die piezoelektrische Sensorstruktur (114) eine Anzahl von ersten Abschnitten (111) aufweist, welche innerhalb einer ersten virtuellen Ebene oder Schicht (E1) angeordnet sind und wobei die piezoelektrische Sensorstruktur (114) eine Anzahl von zweiten Abschnitten (112) aufweist, welche innerhalb einer zweiten virtuellen Ebene oder Schicht (E2) angeordnet sind oder eine zweite virtuelle Ebene oder Schicht (E2) durchqueren; wobei die erste virtuelle Ebene oder Schicht (E1) und die zweite virtuelle Ebene oder Schicht (E2) voneinander verschieden und zueinander parallel angeordnet sind.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)