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1. (WO2018123626) NEGATIVE RESIST COMPOSITION FOR PROTRUDING ELECTRODE AND METHOD FOR MANUFACTURING PROTRUDING ELECTRODE
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Veröff.-Nr.: WO/2018/123626 Internationale Anmeldenummer PCT/JP2017/044987
Veröffentlichungsdatum: 05.07.2018 Internationales Anmeldedatum: 14.12.2017
IPC:
G03F 7/004 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01) ,H01L 21/60 (2006.01) ,H05K 3/34 (2006.01)
G Physik
03
Fotografie; Kinematografie; vergleichbare Techniken unter Verwendung von nicht optischen Wellen; Elektrografie; Holografie
F
Fotomechanische Herstellung strukturierter oder gemusterter Oberflächen, z.B. zum Drucken, zum Herstellen von Halbleiterbauelementen; Materialien dafür; Kopiervorlagen dafür; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
7
Fotomechanische, z.B. fotolithografische Herstellung von strukturierten oder gemusterten Oberflächen, z.B. Druckflächen; Materialien dafür, z.B. mit Fotolacken [Resists]; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
004
Lichtempfindliche Materialien
04
Chromate
G Physik
03
Fotografie; Kinematografie; vergleichbare Techniken unter Verwendung von nicht optischen Wellen; Elektrografie; Holografie
F
Fotomechanische Herstellung strukturierter oder gemusterter Oberflächen, z.B. zum Drucken, zum Herstellen von Halbleiterbauelementen; Materialien dafür; Kopiervorlagen dafür; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
7
Fotomechanische, z.B. fotolithografische Herstellung von strukturierten oder gemusterten Oberflächen, z.B. Druckflächen; Materialien dafür, z.B. mit Fotolacken [Resists]; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
20
Belichten; Vorrichtungen dafür
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
50
Zusammenbau von Halbleiterbauelementen unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht in einer der Untergruppen H01L21/06-H01L21/326180
60
Anbringen von Anschlussleitungen oder anderen leitenden Teilen, die zur Stromleitung zu oder von einem in Betrieb befindlichen Bauelement dienen
H Elektrotechnik
05
Elektrotechnik, soweit nicht anderweitig vorgesehen
K
Gedruckte Schaltungen; Gehäuse oder konstruktive Einzelheiten von elektrischen Geräten; Herstellung von Baugruppen aus elektrischen Elementen
3
Geräte oder Verfahren zum Herstellen gedruckter Schaltungen
30
Zusammenbauen von gedruckten Schaltungen mit elektrischen Schaltelementen, z.B. mit einem Widerstand
32
Elektrisches Verbinden von elektrischen Schaltelementen oder Leitungen mit gedruckten Schaltungen
34
durch Verlöten
Anmelder:
日本ゼオン株式会社 ZEON CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内一丁目6番2号 6-2, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku Tokyo 1008246, JP
Erfinder:
佐藤 信寛 SATO Nobuhiro; JP
阿部 信紀 ABE Nobunori; JP
Vertreter:
杉村 憲司 SUGIMURA Kenji; JP
Prioritätsdaten:
2016-25197526.12.2016JP
Titel (EN) NEGATIVE RESIST COMPOSITION FOR PROTRUDING ELECTRODE AND METHOD FOR MANUFACTURING PROTRUDING ELECTRODE
(FR) COMPOSITION DE RÉSINE NÉGATIVE POUR ÉLECTRODE EN SAILLIE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE ÉLECTRODE EN SAILLIE
(JA) 突起電極用ネガ型レジスト組成物及び突起電極の製造方法
Zusammenfassung:
(EN) The present invention provides a negative resist composition for a protruding electrode with a resist film having a light transmittance of 30% or less at a wavelength of 365 nm on producing a resist film with a thickness of 3.5 µm.
(FR) La présente invention concerne une composition de résine négative pour une électrode en saillie présentant un film de résine ayant une transmittance égale ou inférieure à 30 % à une longueur d'onde de 365 nm lors de la production d'un film de résine d’une épaisseur de 3,5 µm.
(JA) 厚さ3.5μmのレジスト膜を形成した場合に、波長365nmでの前記レジスト膜の光線透過率が30%以下である、突起電極用ネガ型レジスト組成物である。
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Japanisch (JA)
Anmeldesprache: Japanisch (JA)