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1. (WO2018123166) WET ETCHING COMPOSITION FOR SUBSTRATE HAVING SiN LAYER AND Si LAYER AND WET ETCHING METHOD USING SAME
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Veröff.-Nr.: WO/2018/123166 Internationale Anmeldenummer PCT/JP2017/034250
Veröffentlichungsdatum: 05.07.2018 Internationales Anmeldedatum: 22.09.2017
IPC:
H01L 21/308 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18
Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
30
Behandlung von Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht von H01L21/20-H01L21/26152
302
zur Änderung der physikalischen Oberflächenbeschaffenheit oder zur Änderung der Form, z.B. Ätzen, Polieren, Sägen, Schneiden
306
Chemische oder elektrische Behandlung, z.B. elektrolytisches Ätzen
308
unter Verwendung von Masken
Anmelder:
三菱瓦斯化学株式会社 MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目5番2号 5-2, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008324, JP
Erfinder:
堀田 明伸 HORITA Akinobu; JP
島田 憲司 SHIMADA Kenji; JP
高橋 健一 TAKAHASHI Kenichi; JP
尾家 俊行 OIE Toshiyuki; JP
伊藤 彩 ITO Aya; JP
Vertreter:
小林 浩 KOBAYASHI Hiroshi; JP
杉山 共永 SUGIYAMA Tomohisa; JP
田村 恭子 TAMURA Kyoko; JP
鈴木 康仁 SUZUKI Yasuhito; JP
Prioritätsdaten:
2016-25054526.12.2016JP
Titel (EN) WET ETCHING COMPOSITION FOR SUBSTRATE HAVING SiN LAYER AND Si LAYER AND WET ETCHING METHOD USING SAME
(FR) COMPOSITION DE GRAVURE HUMIDE POUR SUBSTRAT AYANT UNE COUCHE DE SiN ET UNE COUCHE DE Si ET PROCÉDÉ DE GRAVURE HUMIDE L'UTILISANT
(JA) SiN層およびSi層を有する基板用ウェットエッチング組成物およびこれを用いたウェットエッチング方法
Zusammenfassung:
(EN) The present invention relates to a wet etching composition for a substrate having a SiN layer and a Si layer, containing 0.1-50 wt. % of a fluorine compound (A), 0.04-10 wt. % of an oxidizer (B), and water (D), and having a pH in the range of 2.0-5.0. The present invention also relates to a wet etching method for a semiconductor substrate having a SiN layer and a Si layer, using the wet etching composition. Using the composition according to the present invention enables an increase in the selectability of removal of Si relative to SiN in substrates having a SiN layer and a Si layer, while reducing corrosion of equipment and exhaust lines by volatile components produced during use, air pollution, and the environmental burden of the nitrogen in the composition.
(FR) La présente invention concerne une composition de gravure humide pour un substrat ayant une couche de SiN et une couche de Si, contenant 0,1 à 50 % en poids. d'un composé de fluor (A), 0,04 à 10 % en poids d'un oxydant (B), et de l'eau (D), et ayant un pH dans la plage de 2,0 à 5,0. La présente invention concerne également un procédé de gravure humide pour un substrat semiconducteur ayant une couche de SiN et une couche de Si, utilisant la composition de gravure humide. L'utilisation de la composition selon la présente invention permet une augmentation de la sélectivité de l'élimination du Si par rapport au SiN dans des substrats ayant une couche de SiN et une couche de Si, tout en réduisant la corrosion de l'équipement et des lignes d'échappement par des composants volatils produits pendant l'utilisation, la pollution de l'air et la charge environnementale de l'azote dans la composition.
(JA) 本発明は、フッ素化合物(A)を0.1~50質量%、酸化剤(B)を0.04~10質量%、および水(D)を含有し、pHが2.0~5.0の範囲にあるSiN層およびSi層を有する基板用ウェットエッチング組成物に関する。また本発明は、該ウェットエッチング組成物を用いる、SiN層およびSi層を有する半導体基板のウェットエッチング方法に関する。本発明の組成物を用いることにより、使用時に発生する揮発成分による装置や排気ラインの腐食および大気汚染、さらには組成物中の窒素分による環境負荷を軽減しながら、SiN層およびSi層を有する基板に対して、SiNに対するSiの除去選択性を高めることができる。
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Afrikanische regionale Organisation für geistiges Eigentum (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasisches Patentamt (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPA) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Japanisch (JA)
Anmeldesprache: Japanisch (JA)
Auch veröffentlicht als:
CN108513679KR1020180087420EP3389083US20190040317