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1. (WO2018122517) METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC DEVICE COMPRISING A STEP OF ETCHING THE REAR FACE OF THE GROWTH SUBSTRATE
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Veröff.-Nr.: WO/2018/122517 Internationale Anmeldenummer PCT/FR2017/053817
Veröffentlichungsdatum: 05.07.2018 Internationales Anmeldedatum: 22.12.2017
IPC:
H01L 33/00 (2010.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
Anmelder:
ALEDIA [FR/FR]; Chez Minatec, Bâtiment Haute Technologie N°52 7 Parvis Louis Neel BP 50 38040 Grenoble, FR
Erfinder:
POURQUIER, Eric; FR
Vertreter:
LE GOALLER, Christophe; FR
DUPONT, Jean-Baptiste; FR
COLOMBO, Michel; FR
Prioritätsdaten:
166340927.12.2016FR
Titel (EN) METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC DEVICE COMPRISING A STEP OF ETCHING THE REAR FACE OF THE GROWTH SUBSTRATE
(FR) PROCEDE DE REALISATION D'UN DISPOSITIF OPTOELECTRONIQUE COMPORTANT UNE ETAPE DE GRAVURE DE LA FACE ARRIERE DU SUBSTRAT DE CROISSANCE
Zusammenfassung:
(EN) The invention relates to a method for manufacturing an optoelectronic device (1), comprising the following steps: a) providing a growth substrate (10) made from a semiconductor material; b) forming a plurality of diodes (20) each comprising a lower face (20i); c) removing at least a portion (12; 13) of the substrate so as to free the lower face (20i); wherein: - step a) involves producing a lower part and an upper part of the substrate, the upper part (12) having a uniform thickness (eref) and a level of doping less than that of the lower part; - step c) involving removal of the lower part (11) by selective chemical etching with respect to the upper part (12).
(FR) L'invention porte sur un procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique (1), comportant les étapes suivantes : a) fournir un substrat (10) de croissance en un matériau semiconducteur; b) former une pluralité de diodes (20) comportant chacune une face inférieure (20i); c) supprimer au moins une portion (12; 13) du substrat de manière à rendre libre la face inférieure (20i); dans lequel : - l'étape a) comporte la réalisation d'une partie inférieure et d'une partie supérieure du substrat, la partie supérieure (12) présentant une épaisseur (eref) homogène et un niveau de dopage inférieur à celui de la partie inférieure; - l'étape c) comportant une suppression de la partie inférieure (11) par gravure chimique sélective vis-à-vis de la partie supérieure (12).
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Französisch (FR)
Anmeldesprache: Französisch (FR)