Suche in nationalen und internationalen Patentsammlungen

1. (WO2018122103) HALBLEITERLASERDIODE

Pub. No.:    WO/2018/122103    International Application No.:    PCT/EP2017/084144
Publication Date: Fri Jul 06 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Fri Dec 22 00:59:59 CET 2017
IPC: H01S 5/042
H01S 5/22
H01S 5/323
Applicants: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventors: GERHARD, Sven
EICHLER, Christoph
LELL, Alfred
STOJETZ, Bernhard
Title: HALBLEITERLASERDIODE
Abstract:
Es wird eine Halbleiterlaserdiode (100) angegeben mit einer Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Schicht (3), die eine Haupterstreckungsebene aufweist und die dazu eingerichtet ist, im Betrieb in einem aktiven Bereich (5) Licht (8) zu erzeugen und über eine Lichtauskoppelfläche (6) abzustrahlen, wobei sich der aktive Bereich (5) von einer der Lichtauskoppelfläche (6) gegenüberliegenden Rückseitenfläche (7) zur Lichtauskoppelfläche (6) entlang einer longitudinalen Richtung (93) in der Haupterstreckungsebene erstreckt, wobei die Halbleiterschichtenfolge (2) einen Oberflächenbereich (20) aufweist, auf dem in unmittelbarem Kontakt eine zusammenhängende Kontaktstruktur (4) aufgebracht ist, wobei die Kontaktstruktur (4) in zumindest einem ersten Kontaktbereich (241) ein erstes elektrisches Kontaktmaterial (41) in unmittelbarem Kontakt mit dem Oberflächenbereich (20) und in zumindest einem zweiten Kontaktbereich (242) ein zweites elektrisches Kontaktmaterial (42) in unmittelbarem Kontakt mit dem Oberflächenbereich (20) aufweist und wobei der erste und zweite Kontaktbereich (241, 242) aneinander angrenzen.