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1. (WO2018120522) PFC FORWARD CONVERSION HALF BRIDGE-BASED SMART MODIFIED SINE WAVE VOLTAGE CONVERSION CIRCUIT
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Veröff.-Nr.: WO/2018/120522 Internationale Anmeldenummer PCT/CN2017/080987
Veröffentlichungsdatum: 05.07.2018 Internationales Anmeldedatum: 19.04.2017
IPC:
H02M 5/458 (2006.01)
H Elektrotechnik
02
Erzeugung, Umwandlung oder Verteilung von elektrischer Energie
M
Anlagen zur Umformung von Wechselstrom in Wechselstrom, von Wechselstrom in Gleichstrom oder umgekehrt, oder von Gleichstrom in Gleichstrom und zur Verwendung in Netzen oder ähnlichen Stromversorgungssystemen; Umformung von Gleichstrom- oder Wechselstromeingangsleistung in Stoß-Ausgangsleistung; Steuern oder Regeln derselben
5
Umformung von Wechselstrom in Wechselstrom, z.B. zum Verändern der Spannung, der Frequenz, der Phasenzahl
40
mit Zwischenumformung in Gleichstrom
42
durch ruhende Umformer
44
unter Verwendung von Entladungsröhren oder Halbleiterbauelementen zum Umformen des Gleichstroms des Zwischenkreises in Wechselstrom
453
unter Verwendung von Vorrichtungen nach Art einer Entladungsröhre oder eines Transistors, die ein stetiges Anlegen eines Steuersignals erfordern
458
nur mittels Halbleiterbauelementen
Anmelder:
广东百事泰电子商务股份有限公司 GUANGDONG BESTEK E-COMMERCE CO., LTD [CN/CN]; 中国广东省深圳 宝安区西乡街道铁岗社区宝田一路258号三楼东侧部分 Eastern side of Floor 3, No.258, Baotian 1st Road, Tiegang Community, Xixiang Street, Bao'an District Shenzhen, Guangdong 518000, CN
Erfinder:
侯涛 HOU, Tao; CN
廖志刚 LIAO, Zhigang; CN
Vertreter:
广州市南锋专利事务所有限公司 GUANGZHOU NANFENG PATENT AGENCY CO. LTD.; 中国广东省广州市 越秀区先烈中路100号60栋209室 209 Room, 60 Building, No.100, Xianliezhong Road, Yuexiu District Guangzhou, Guangdong 510070, CN
Prioritätsdaten:
201611226307.927.12.2016CN
Titel (EN) PFC FORWARD CONVERSION HALF BRIDGE-BASED SMART MODIFIED SINE WAVE VOLTAGE CONVERSION CIRCUIT
(FR) CIRCUIT DE CONVERSION DE TENSION D'ONDE SINUSOÏDALE MODIFIÉ INTELLIGENT BASÉ SUR UN DEMI-PONT DE CONVERSION DIRECTE PFC
(ZH) 一种基于PFC正激半桥的智能型修正波电压转换电路
Zusammenfassung:
(EN) A PFC forward conversion half bridge-based smart modified sine wave voltage conversion circuit. The circuit comprises: an input rectifying and filtering unit (10); a PFC boosting unit (20); an isolation two-transistor forward converter (30) comprising a first switch transistor (Q6), a second switch transistor (Q7), a first diode (D3), a second diode (D2), a third diode (D5), a fourth diode (D8), a transformer (T1), and a filtering inductor (L3), wherein a source of the first switch transistor (Q6) is connected to a first end of a primary winding of the transformer (T1), a second end of the primary winding of the transformer (T1) is connected to a drain of the second switch transistor (Q7), gates of the first switch transistor (Q6) and the second switch transistor (Q7) are used to connect to a same PWM signal, a first end of a secondary winding of the transformer (T1) is connected to an anode of the second diode (D5), a rear end of the filtering inductor (L3) is used as a positive output end of the isolation two-transistor forward converter (30), and an anode of the fourth diode (D8) is used as a negative output end of the isolation two-transistor forward converter (30); and a phase-inversion inverter unit (60). The present invention improves a PF value and the quality of an output voltage.
(FR) La présente invention concerne un circuit de conversion de tension d'onde sinusoïdale modifié intelligent basé sur un demi-pont de conversion directe PFC. Le circuit comprend : une unité de redressement et de filtrage d'entrée (10) ; une unité d'amplification PFC (20) ; un convertisseur direct à deux transistors d'isolation (30) comprenant un premier transistor de commutation (Q6), un second transistor de commutation (Q7), une première diode (D3), une deuxième diode (D2), une troisième diode (D5), une quatrième diode (D8), un transformateur (T1) et un inducteur de filtrage (L3), une source du premier transistor de commutation (Q6) étant connectée à une première extrémité d'un enroulement primaire du transformateur (T1), une seconde extrémité de l'enroulement primaire du transformateur (T1) étant connectée à un drain du second transistor de commutation (Q7), des grilles du premier transistor de commutation (Q6) et du second transistor de commutation (Q7) servant à une connexion à un même signal PWM, une première extrémité d'un enroulement secondaire du transformateur (T1) étant connectée à une anode de la seconde diode (D5), une extrémité arrière de la bobine d'induction de filtrage (L3) étant utilisée en tant qu'extrémité de sortie positive du convertisseur direct à deux transistors d'isolation (30), et une anode de la quatrième diode (D8) servant d'extrémité de sortie négative du convertisseur direct à deux transistors d'isolation (30) ; et une unité d'onduleur à inversion de phase (60). La présente invention améliore une valeur PF et la qualité d'une tension de sortie.
(ZH) 一种基于PFC正激半桥的智能型修正波电压转换电路,其包括有:输入整流滤波单元(10);PFC升压单元(20);隔离型双管正激变换器(30),包括有第一开关管(Q6)、第二开关管(Q7)、第一二极管(D3)、第二二极管(D2)、第三二极管(D5)、第四二极管(D8)、变压器(T1)和滤波电感(L3),第一开关管(Q6)的源极连接于变压器(T1)初级绕组的第一端,变压器(T1)初级绕组的第二端连接第二开关管(Q7)的漏极,第一开关管(Q6)的栅极和第二开关管的(Q7)栅极用于接入相同的PWM信号,变压器(T1)次级绕组的第一端连接于第三二极管(D5)的阳极,滤波电感(L3)的后端作为隔离型双管正激变换器(30)的输出端正极,第四二极管(D8)的阳极作为隔离型双管正激变换器(30)的输出端负极;逆变倒相单元(60)。可提高PF值和输出电压质量。
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Chinesisch (ZH)
Anmeldesprache: Chinesisch (ZH)