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1. (WO2018104136) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES TRANSISTORS
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten    Einwendung einreichen

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2018/104136    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2017/080919
Veröffentlichungsdatum: 14.06.2018 Internationales Anmeldedatum: 30.11.2017
IPC:
H01L 29/778 (2006.01), H01L 21/338 (2006.01), H01L 29/40 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H01L 29/20 (2006.01)
Anmelder: UNITED MONOLITHIC SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Wilhelm-Runge-Strasse 11 89081 Ulm (DE)
Erfinder: BEHAMMER, Dag; (DE)
Vertreter: BAUR & WEBER PATENTANWÄLTE PARTG MBB; Rosengasse 13 89073 Ulm (DE)
Prioritätsdaten:
10 2016 123 934.8 09.12.2016 DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES TRANSISTORS
(EN) METHOD FOR PRODUCING A TRANSISTOR
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN TRANSISTOR
Zusammenfassung: front page image
(DE)Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Transistors, insbesondere eines auf hoher Elektronenmobilität beruhenden Gallium-Nitrid- Transistors, beschrieben. Nach Bilden einer strukturierten Metallschicht in einem ersten Gate-Bereich mittels einer vorübergehend gebildeten strukturierten ersten Fotolackschicht, dem Abscheiden einer Zwischenschicht (ZS) und dem Abscheiden einer zweiten Isolationsschicht (IS 2), erfolgt ein Strukturieren einer zweiten Fotolackschicht (FL 2), um einen zweiten Gate-Bereich (GB 2) freizulegen, wobei anschließen eine erste Feldplatte (FP 1) und eine zweite Feldplatte (FP 2) auf der jeweiligen Seite des zweiten Gate- Bereichs als vergrabene Feldplatten gebildet werden.
(EN)The invention relates to a method for producing a transistor, in particular a gallium nitride transistor based on high electron mobility. After a structured metal layer has been formed in a first gate region by means of a temporarily formed structured first photoresist layer, an intermediate layer (ZS) has been deposited and a second insulation layer (IS 2) has been deposited, a second photoresist layer (FL 2) is structured in order to expose a second gate region (GB 2), wherein subsequently a first field plate (FP 1) and a second field plate (FP 2) are formed as buried field plates on respective sides of the second gate region.
(FR)L’invention concerne un procédé de fabrication d’un transistor, en particulier d’un transistor à haute mobilité électronique à base de nitrure de gallium. Après formation d’une couche métallique structurée dans une première zone de grille au moyen d’une première couche de résine photosensible temporairement structurée, dépôt d’une couche intermédiaire (ZS) et dépôt d’une seconde couche isolante (IS 2), on effectue une structuration d’une seconde couche de résine photosensible (FL 2) pour dégager une seconde zone de grille (GB 2), une première magnétorésistance (FP 1) et une seconde magnétorésistance (FP 2) étant ensuite formées sur la face concernée de la seconde zone de grille sous la forme de magnétorésistances enterrées.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)