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1. (WO2018096145) VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR IONENIMPLANTATION IN WAFERN
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten    Einwendung einreichen

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2018/096145    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2017/080526
Veröffentlichungsdatum: 31.05.2018 Internationales Anmeldedatum: 27.11.2017
IPC:
H01J 37/317 (2006.01), H01J 37/05 (2006.01)
Anmelder: MI2-FACTORY GMBH [DE/DE]; Moritz-von-Rohr-Str. 1a 07745 Jena (DE)
Erfinder: KRIPPENDORF, Florian; (DE).
CSATO, Constantin; (DE)
Vertreter: WÄCHTER, Jochen; (DE)
Prioritätsdaten:
10 2016 122 791.9 25.11.2016 DE
Titel (DE) VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR IONENIMPLANTATION IN WAFERN
(EN) METHOD AND DEVICE FOR IMPLANTING IONS IN WAFERS
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF D'IMPLANTATION IONIQUE DANS DES PLAQUETTES
Zusammenfassung: front page image
(DE)Beschrieben wird ein Verfahren, das das Bestrahlen eines Wafers (8) mit einem durch ein Implantationsfilter (6) gehenden lonenstrahl (2) aufweist, wobei der lonenstrahl (2) in einer ersten Richtung und einer zweiten Richtung elektrostatisch abgelenkt wird, um den lonenstrahl (2) über den Wafer (8) zu bewegen, und wobei das Implantationsfilter (6) in der zweiten Richtung abgestimmt auf die Bewegung des lonenstrahls (2) bewegt wird.
(EN)Disclosed is a method comprising the irradiation of a wafer (8) by means of an ion beam (2) that passes through an implantation filter (6), the ion beam (2) being electrostatically deviated in a first direction and a second direction in order to move the ion beam (2) over the wafer (8), and the implantation filter (6) being moved in the second direction to match the movement of the ion beam (2).
(FR)L'invention concerne un procédé comprenant l'exposition d'une plaquette (8) à un faisceau ionique (2) qui traverse un filtre d'implantation (6), le faisceau ionique (2) étant dévié électrostatiquement dans une première direction et dans une deuxième direction, pour déplacer le faisceau ionique (2) au-dessus de la plaquette (8), et le filtre d'implantation (6) étant déplacé dans la deuxième direction par ajustement au déplacement du faisceau ionique (2).
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)