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1. (WO2018095835) VERFAHREN ZUM ERKENNEN EINES AUSFALLS EINES PARALLEL GESCHALTETEN HALBLEITERS
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten    Einwendung einreichen

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2018/095835    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2017/079708
Veröffentlichungsdatum: 31.05.2018 Internationales Anmeldedatum: 20.11.2017
IPC:
G01R 31/26 (2014.01)
Anmelder: ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart (DE)
Erfinder: NEUBERGER, Martin; (DE).
DRAESE, Nils; (DE).
SCHINZEL, Mirko; (DE).
BOHNE, Christian; (DE)
Prioritätsdaten:
10 2016 223 511.7 28.11.2016 DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUM ERKENNEN EINES AUSFALLS EINES PARALLEL GESCHALTETEN HALBLEITERS
(EN) METHOD FOR DETECTING A FAILURE OF A SEMICONDUCTOR CONNECTED IN PARALLEL
(FR) PROCÉDÉ POUR IDENTIFIER UNE DÉFAILLANCE D'UN SEMI-CONDUCTEUR MONTÉ EN PARALLÈLE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Erkennen eines zumindest teilweisen Ausfalls mindestens eines Halbleiterbauelements (252), das parallel zu anderen Halbleiterbauelementen (254, 256, 258) geschaltet ist, bei dem ein Verlauf einer Versorgung, der durch ein Messsignal repräsentiert ist, eines Treibers (300), der zum Treiben der Halbleiterbauelemente (252, 254, 256, 258) vorgesehen ist, ermittelt und ausgewertet wird und aus einer Nachverarbeitung des Verlauf ermittelt wird, ob mindestens eines der parallelgeschalteten Halbleiterbauelemente (252, 254, 256, 258) ausgefallen ist.
(EN)The invention relates to a method for detecting an at least partial failure of at least one semiconductor component (252) which is connected in parallel to other semiconductor components (254, 256, 258), in which method: a supply course, represented by a measurement signal, of a driver (300) for driving the semiconductor components (252, 254, 256, 258) is determined and evaluated; and, by post-processing the course, it is determined whether at least one of the semiconductor components (252, 254, 256, 258) connected in parallel has failed.
(FR)L'invention concerne un procédé pour identifier une défaillance au moins partielle d'au moins un composant semi-conducteur (252) monté en parallèle avec d'autres composants semi-conducteurs (254, 256, 258), une variation d'une alimentation, représentée par un signal de mesure, d'un circuit d'attaque (300) prévu pour exciter les composants semi-conducteurs (252, 254, 256, 258) étant déterminée et évaluée, et un post-traitement de cette variation permettant de déterminer si au moins un des composants semi-conducteurs (252, 254, 256, 258) montés en parallèle présente une défaillance.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)