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1. (WO2018088532) ETCHING DEVICE AND ETCHING METHOD
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Veröff.-Nr.: WO/2018/088532 Internationale Anmeldenummer PCT/JP2017/040614
Veröffentlichungsdatum: 17.05.2018 Internationales Anmeldedatum: 10.11.2017
IPC:
H01L 21/3065 (2006.01) ,H05H 1/46 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18
Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
30
Behandlung von Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht von H01L21/20-H01L21/26152
302
zur Änderung der physikalischen Oberflächenbeschaffenheit oder zur Änderung der Form, z.B. Ätzen, Polieren, Sägen, Schneiden
306
Chemische oder elektrische Behandlung, z.B. elektrolytisches Ätzen
3065
Plasmaätzen; Reaktives Ionenätzen
H Elektrotechnik
05
Elektrotechnik, soweit nicht anderweitig vorgesehen
H
Plasmatechnik; Erzeugung von beschleunigten elektrisch geladenen Teilchen oder von Neutronen; Erzeugung oder Beschleunigung von neutralen Molekular- oder Atomstrahlen
1
Erzeugen von Plasma; Handhaben von Plasma
24
Erzeugen von Plasma
46
unter Verwendung angelegter elektromagnetischer Felder, z.B. Hochfrequenz- oder Mikrowellenenergie
Anmelder:
東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 東京都港区赤坂五丁目3番1号 3-1 Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325, JP
国立大学法人大阪大学 OSAKA UNIVERSITY [JP/JP]; 大阪府吹田市山田丘1番1号 1-1, Yamadaoka, Suita-shi, Osaka 5650871, JP
Erfinder:
大参 宏昌 OHMI Hiromasa; JP
久保田 雄介 KUBOTA Yusuke; JP
Vertreter:
長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki; JP
黒木 義樹 KUROKI Yoshiki; JP
柏岡 潤二 KASHIOKA Junji; JP
Prioritätsdaten:
2016-22004810.11.2016JP
Titel (EN) ETCHING DEVICE AND ETCHING METHOD
(FR) DISPOSITIF DE GRAVURE ET PROCÉDÉ DE GRAVURE
(JA) エッチング装置及びエッチング方法
Zusammenfassung:
(EN) An etching method for emitting plasma which has reactive radicals, wherein the processing gas used to form the plasma contains an etching gas containing H2 gas, and also contains a surface-modifying gas containing one or more types of gas selected from the group consisting of N2, NH3, H2O and CO2, and as a result, it is possible to improve the etching rate and suppress an increase in surface roughness when etching.
(FR) L'invention concerne un procédé de gravure pour émettre un plasma qui a des radicaux réactifs, le gaz de traitement utilisé pour former le plasma contenant un gaz de gravure contenant un gaz H2, et contenant également un gaz de modification de surface contenant un ou plusieurs types de gaz choisis dans le groupe constitué par N2, NH3, H2O et CO2, et en conséquence, il est possible d'améliorer la vitesse de gravure et de supprimer toute augmentation de la rugosité de surface lors de la gravure.
(JA) 反応性ラジカルを有するプラズマを照射するエッチング方法において、プラズマ形成に用いられる処理ガスは、Hガスを含むエッチングガスと、N、NH、HO及びCOからなる群から選択される少なくとも1種のガスを含む表面改質ガスとを含んでおり、エッチングレートを向上すると共にエッチングの際の表面粗さの増加を抑制することができる。
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Japanisch (JA)
Anmeldesprache: Japanisch (JA)