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1. (WO2018082811) FELDEFFEKTTRANSISTOR IN EINER OPEN-GATE-FET-SCHALTUNG
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Veröff.-Nr.: WO/2018/082811 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2017/001274
Veröffentlichungsdatum: 11.05.2018 Internationales Anmeldedatum: 02.11.2017
IPC:
H03F 1/56 (2006.01) ,G01Q 30/10 (2010.01)
[IPC code unknown for H03F 1/56][IPC code unknown for G01Q 30/10]
Anmelder:
UNIVERSITÄT DUISBURG-ESSEN [DE/DE]; Universitätsstraße 2 45141 Essen, DE
Erfinder:
MÖLLER, Rolf; DE
NIENHAUS, Hermann; DE
Vertreter:
MICHALSKI HÜTTERMANN & PARTNER PATENTANWÄLTE MBB; Speditionstraße 21 40221 Düsseldorf, DE
Prioritätsdaten:
10 2016 120 909.002.11.2016DE
Titel (EN) FIELD EFFECT TRANSISTOR IN AN OPEN GATE FET CIRCUIT
(FR) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP DANS UN CIRCUIT FET À GRILLE OUVERTE
(DE) FELDEFFEKTTRANSISTOR IN EINER OPEN-GATE-FET-SCHALTUNG
Zusammenfassung:
(EN) The invention relates to the use of a field effect transistor in an open gate FET circuit, wherein the measurement sensitivity is increased in measurements of the smallest signals. This is achieved in that the field effect transistor is cooled such that the leakage currents within the transistor equal less than 10-15 A.
(FR) L'invention vise à augmenter la sensibilité de mesure de très faibles signaux lors de l'utilisation d'un transistor à effet de champ (FET) dans un circuit FET à grille ouverte. Cet objectif est atteint par le fait que le transistor à effet de champ est refroidi de telle manière que les courants de fuite à l'intérieur du transistor sont inférieurs à 10-15 A.
(DE) Bei der Verwendung eines Feldeffekttransistors in einer Open-Gate-FET-Schaltung soll bei Messungen von kleinsten Signalen die Messempfindlichkeit gesteigert werden. Dies wird dadurch erreicht, dass der Feldeffekttransistor derart gekühlt wird, dass die Leckströme innerhalb des Transistors weniger als 10-15 A betragen.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)