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1. (WO2018077954) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERLASERS UND HALBLEITERLASER

Pub. No.:    WO/2018/077954    International Application No.:    PCT/EP2017/077318
Publication Date: Fri May 04 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Thu Oct 26 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01S 5/042
H01L 21/268
H01L 21/44
Applicants: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventors: LELL, Alfred
BRÜDERL, Georg
BRÜCKNER, John
GERHARD, Sven
ALI, Muhammad
ADLHOCH, Thomas
Title: VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERLASERS UND HALBLEITERLASER
Abstract:
Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlasers (100) angegeben, aufweisend die Schritte: - Bereitstellen eines Substrats (1) mit einer Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Schicht (3), die dazu eingerichtet und vorgesehen ist, im Betrieb des Halbleiterlasers (100) Licht (8) zu erzeugen, - Aufbringen einer zusammenhängenden Kontaktschicht (11) mit zumindest einem ersten Teilbereich (12) und zumindest einem zweiten Teilbereich (13) auf einer der Halbleiterschichtenfolge (2) gegenüberliegenden Unterseite (10) des Substrats (1), - lokales Tempern der Kontaktschicht (11) nur im zumindest einen ersten Teilbereich (12), insbesondere mittels eines laserbasierten Bestrahlungsverfahrens. Weiterhin wird ein Halbleiterlaser (100) angegeben.