WIPO logo
Mobil | Englisch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Suche in nationalen und internationalen Patentsammlungen
World Intellectual Property Organization
Suche
 
Durchsuchen
 
Übersetzen
 
Optionen
 
Aktuelles
 
Einloggen
 
Hilfe
 
Maschinelle Übersetzungsfunktion
1. (WO2018065534) HERSTELLUNG VON SENSOREN
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten    Einwendung einreichen

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2018/065534    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2017/075386
Veröffentlichungsdatum: 12.04.2018 Internationales Anmeldedatum: 05.10.2017
IPC:
H01L 31/0232 (2014.01), H01L 25/16 (2006.01), H01L 31/167 (2006.01), H01L 31/0203 (2014.01)
Anmelder: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg (DE)
Erfinder: BECKER, Dirk; (DE).
SPERL, Matthias; (DE)
Vertreter: PATENTANWALTSKANZLEI WILHELM & BECK; Prinzenstr. 13 80639 München (DE)
Prioritätsdaten:
10 2016 118 996.0 06.10.2016 DE
Titel (DE) HERSTELLUNG VON SENSOREN
(EN) PRODUCTION OF SENSORS
(FR) FABRICATION DE CAPTEURS
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von Sensoren. Das Verfahren umfasst ein Bereitstellen einer Trägerplatte und ein Anordnen von Halbleiterchips auf der Trägerplatte. Die auf der Trägerplatte angeordneten Halbleiterchips umfassen wenigstens strahlungsdetektierende Halbleiterchips. Weiter vorgesehen ist ein Bereitstellen von strahlungsdurchlässigen optischen Elementen auf der mit den Halbleiterchips versehenen Trägerplatte. In diesem Schritt werden mehrere strahlungsdurchlässige optische Elemente gemeinsam auf der mit den Halbleiterchips versehenen Trägerplatte bereitgestellt. Ferner erfolgt ein Vereinzeln der mit den Halbleiterchips und den strahlungsdurchlässigen optischen Elementen versehenen Trägerplatte, so dass separate Sensoren gebildet werden, welche jeweils einen Abschnitt der Trägerplatte, wenigstens einen strahlungsdetektierenden Halbleiterchip und wenigstens ein strahlungsdurchlässiges optisches Element aufweisen.
(EN)The present invention relates to a method for producing sensors. The method comprises providing a support plate and arranging semiconductor chips on the support plate. The semiconductor chips arranged on the support plate at least comprise radiation-detecting semiconductor chips. The invention further provides radiation-permeable optical elements on the support plate fitted with the semiconductor chips. In this step, a number of radiation-permeable optical elements are jointly provided on the support plate fitted with the semiconductor chips. In a further step, the support plate fitted with the semiconductor chips and the radiation-permeable optical elements are separated into separate sensors, each of which comprises a portion of the support plate, at least one radiation-detecting semiconductor chip and at least one radiation-permeable optical element.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication de capteurs. Le procédé comprend la fourniture d’une plaque de support et l’agencement de puces semi-conductrices sur la plaque de support. Les puces semi-conductrices disposées sur la plaque support comprennent au moins des puces semi-conductrices détectant un rayonnement. Il est en outre prévu de fournir des éléments optiques, transmettant le rayonnement, sur la plaque de support munie des puces semi-conductrices. Dans cette étape, une pluralité d’éléments optiques, transmettant le rayonnement, sont prévus en commun sur la carte de support munie des puces semi-conductrices. En outre, une séparation de la plaque de support munie des puces semi-conductrices et des éléments optiques transmettant le rayonnement est effectuée de façon à former des capteurs séparés comportant chacun une portion de la plaque support, au moins une puce semi-conductrice détectant le rayonnement et au moins un élément optique transmettant le rayonnement.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)