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1. (WO2018063299) RF FILTERS AND RESONATORS OF CRYSTALLINE III-N FILMS
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

Veröff.-Nr.: WO/2018/063299 Internationale Anmeldenummer PCT/US2016/054699
Veröffentlichungsdatum: 05.04.2018 Internationales Anmeldedatum: 30.09.2016
IPC:
H03H 3/04 (2006.01) ,H03H 9/58 (2006.01) ,H03H 9/60 (2006.01) ,H03H 9/17 (2006.01)
H Elektrotechnik
03
Grundlegende elektronische Schaltkreise
H
Scheinwiderstandsnetzwerke, z.B. Resonanzkreise; Resonatoren
3
Apparate oder Verfahren, die vorzugsweise für die Herstellung von Scheinwiderstandsnetzwerken, Resonanzkreisen oder Resonatoren geeignet sind
007
für die Herstellung elektromechanischer Resonatoren oder Netzwerke
02
für die Herstellung piezoelektrischer oder elektrostriktiver Resonatoren oder Netzwerke
04
um einen gewünschten Frequenz- oder Temperaturkoeffizienten zu erhalten
H Elektrotechnik
03
Grundlegende elektronische Schaltkreise
H
Scheinwiderstandsnetzwerke, z.B. Resonanzkreise; Resonatoren
9
Netzwerke mit elektromechanischen oder elektroakustischen Bauelementen; elektromechanische Resonatoren
46
Filter
54
mit Resonatoren aus piezoelektrischem oder elektrostriktivem Werkstoff
58
Filter mit mehreren Kristallen
H Elektrotechnik
03
Grundlegende elektronische Schaltkreise
H
Scheinwiderstandsnetzwerke, z.B. Resonanzkreise; Resonatoren
9
Netzwerke mit elektromechanischen oder elektroakustischen Bauelementen; elektromechanische Resonatoren
46
Filter
54
mit Resonatoren aus piezoelektrischem oder elektrostriktivem Werkstoff
58
Filter mit mehreren Kristallen
60
elektrische Kopplungsvorrichtungen dafür
H Elektrotechnik
03
Grundlegende elektronische Schaltkreise
H
Scheinwiderstandsnetzwerke, z.B. Resonanzkreise; Resonatoren
9
Netzwerke mit elektromechanischen oder elektroakustischen Bauelementen; elektromechanische Resonatoren
15
Bauliche Details von Resonatoren aus piezoelektrischem oder elektrostriktivem Werkstoff
17
mit einem einzelnen Resonator
Anmelder:
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Erfinder:
DASGUPTA, Sansaptak; US
BLOCK, Bruce A.; US
FISCHER, Paul B.; US
THEN, Han Wui; US
RADOSAVLJEVIC, Marko; US
Vertreter:
SMITH, Paul A.; US
Prioritätsdaten:
Titel (EN) RF FILTERS AND RESONATORS OF CRYSTALLINE III-N FILMS
(FR) FILTRES RF ET RÉSONATEURS DE FILMS III-N CRISTALLINS
Zusammenfassung:
(EN) A bulk acoustic resonator architecture is fabricated by epitaxially forming a piezoelectric film on a top surface of post formed from an underlying substrate. In some cases, the acoustic resonator is fabricated to filter multiple frequencies. In some such cases, the resonator device includes two different resonator structures on a single substrate, each resonator structure configured to filter a desired frequency. Including two different acoustic resonators in a single RF acoustic resonator device enables that single device to filter two different frequencies in a relatively small footprint.
(FR) Une architecture de résonateur acoustique de volume est fabriquée par formation épitaxiale d'un film piézoélectrique sur une surface supérieure d'un montant formé à partir d'un substrat sous-jacent. Dans certains cas, le résonateur acoustique est fabriqué pour filtrer de multiples fréquences. Dans certains de ces cas, le dispositif de résonateur comprend deux structures de résonateur différentes sur un seul substrat, chaque structure de résonateur étant configurée pour filtrer une fréquence souhaitée. L'inclusion de deux résonateurs acoustiques différents dans un seul dispositif de résonateur acoustique RF permet à ce dispositif unique de filtrer deux fréquences différentes dans une empreinte relativement petite.
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African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Englisch (EN)
Anmeldesprache: Englisch (EN)