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1. (WO2018063138) INDEPENDENT DOUBLE-GATE QUANTUM DOT QUBITS
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

Veröff.-Nr.: WO/2018/063138 Internationale Anmeldenummer PCT/US2016/053861
Veröffentlichungsdatum: 05.04.2018 Internationales Anmeldedatum: 27.09.2016
IPC:
H01L 29/66 (2006.01) ,H01L 29/12 (2006.01) ,H01L 29/80 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
29
Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungs- oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern
66
Typen von Halbleiterbauelementen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
29
Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungs- oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern
02
Halbleiterkörper
12
gekennzeichnet durch die Materialien, aus denen sie bestehen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
29
Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungs- oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern
66
Typen von Halbleiterbauelementen
68
steuerbar allein durch den einer Elektrode, die nicht den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom führt, zugeführten elektrischen Strom oder durch das an eine solche Elektrode angelegte elektrische Potenzial
76
Unipolar-Bauelemente
772
Feldeffekt-Transistoren
80
mit Feldeffekt, der durch ein Gate mit PN-Übergang oder einen anderen gleichrichtenden Übergang hervorgerufen ist
Anmelder:
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054-1549, US
Erfinder:
PILLARISETTY, Ravi; US
GEORGE, Hubert C.; US
ROBERTS, Jeanette M.; US
THOMAS, Nicole K.; US
CLARKE, James S.; US
Vertreter:
HARTMANN, Natalya; US
Prioritätsdaten:
Titel (EN) INDEPENDENT DOUBLE-GATE QUANTUM DOT QUBITS
(FR) BITS QUANTIQUES À POINTS QUANTIQUES DOUBLE GRILLE INDÉPENDANTS
Zusammenfassung:
(EN) Disclosed herein are quantum dot devices, as well as related computing devices and methods. For example, in some embodiments, a quantum dot device may include a base and a fin extending away from the base and including a quantum well layer. The device may further include a first gate disposed on a first side of the fin and a second gate disposed on a second side of the fin, different from the first side. Providing gates on different sides of a fin advantageously allows increasing the number of quantum dots which may be independently formed and manipulated in the fin. The quantum dots formed in such a device may be constrained in the x-direction by the one or more gates, in the y-direction by the fin, and in the z-direction by the quantum well layer, as discussed in detail herein. Methods for fabricating such devices are also disclosed.
(FR) L'invention concerne des dispositifs à points quantiques, ainsi que des dispositifs et des procédés informatiques associés. Par exemple, dans certains modes de réalisation, un dispositif à points quantiques peut comprendre une base et une ailette s'étendant à l'opposé de la base et comprenant une couche de puits quantique. Le dispositif peut en outre comprendre une première grille disposée sur un premier côté de l'ailette et une seconde grille disposée sur un second côté de l'ailette, différent du premier côté. La fourniture de grilles sur différents côtés d'une ailette permet avantageusement d'augmenter le nombre de points quantiques qui peuvent être formés indépendamment et manipulés dans l'ailette. Les points quantiques formés dans un tel dispositif peuvent être contraints dans la direction x par l'une ou les grilles, dans la direction y par l'ailette, et dans la direction z par la couche de puits quantique, comme discuté en détail ici. Des procédés pour la fabrication de tels dispositifs sont également décrits.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Englisch (EN)
Anmeldesprache: Englisch (EN)