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1. (WO2018061851) ACTIVE MATRIX SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
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Veröff.-Nr.: WO/2018/061851 Internationale Anmeldenummer PCT/JP2017/033633
Veröffentlichungsdatum: 05.04.2018 Internationales Anmeldedatum: 19.09.2017
IPC:
H01L 21/336 (2006.01) ,G02F 1/1368 (2006.01) ,G09F 9/30 (2006.01) ,H01L 21/28 (2006.01) ,H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 23/522 (2006.01) ,H01L 27/32 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 51/50 (2006.01) ,H05B 33/02 (2006.01) ,H05B 33/06 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18
Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
334
Mehrstufenprozess zur Herstellung von unipolaren Bauelementen
335
Feldeffekt-Transistoren
336
mit einem isolierten Gate
G Physik
02
Optik
F
Vorrichtungen oder Anordnungen, deren optische Arbeitsweise durch Änderung der optischen Eigenschaften des Mediums der Vorrichtungen oder Anordnungen geändert wird zum Steuern der Intensität, Farbe, Phase, Polarisation oder der Richtung von Lichtstrahlen, z.B. Schalten, Austasten, Modulieren oder Demodulieren; Techniken oder Verfahren für deren Arbeitsweise; Frequenzänderung; nichtlineare Optik; optische logische Elemente; optische Analog-Digital-Umsetzer
1
Vorrichtungen oder Anordnungen zum Steuern der Intensität, Farbe, Phase, Polarisation oder der Richtung von Lichtstrahlen einer unabhängigen Lichtquelle, z.B. Schalten, Austasten oder Modulieren; nichtlineare Optik
01
zum Steuern der Intensität, der Phase, der Polarisation oder der Farbe
13
basierend auf Flüssigkristallen, z.B. einzelne Flüssigkristall-Anzeigezellen
133
Konstruktiver Aufbau; Betrieb von Flüssigkristallzellen; Schaltungsanordnungen
136
Flüssigkristall-Zellen, baulich vereinigt mit einer Halbleiter-Schicht oder -Substrat, z.B. Zellen als Teil eines integrierten Schaltkreises
1362
Aktive matrizenadressierte Zellen
1368
mit einer Drei-Elektroden-Einrichtung als Schaltelement
G Physik
09
Unterricht; Geheimschrift; Anzeige; Reklame; Siegel
F
Anzeigewesen; Reklamewesen; Zeichen; Etiketten oder Namensschilder; Siegel
9
Anzeigeanordnungen für sich ändernde Information, wobei die Information durch Auswahl oder Kombination von einzelnen Elementen auf einem Träger dargestellt wird
30
bei welchen das/die gewünschte(n) Schriftzeichen durch Kombination von Einzelelementen gebildet werden
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18
Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
28
Herstellung von Elektroden auf Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht in H01L21/20-H01L21/268167
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
70
Herstellung oder Behandlung von Bauelementanordnungen bestehend aus einer Vielzahl von einzelnen Schaltungselementen oder integrierten Schaltungen, die in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet sind, oder von bestimmten Teilen hiervon; Herstellung von integrierten Schaltungsanordnungen oder von bestimmten Teilen hiervon
71
Herstellung von bestimmten Teilen der in Gruppe H01L21/7075
768
Anbringen von Verbindungsleitungen, die zur Stromführung zwischen einzelnen Schaltungselementen innerhalb eines Bauelements dienen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
23
Einzelheiten von Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen
52
Anordnungen zur Stromleitung innerhalb des im Betrieb befindlichen Bauelements von einem Schaltungselement zum anderen
522
einschließlich externer Verbindungsleitungen, die aus einer mehrschichtigen Anordnung aus leitenden und isolierenden Schichten aufgebaut und untrennbar an dem Halbleiterkörper angebracht sind
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
27
Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen [integrierte Schaltungen]
28
mit Schaltungselementen, die organische Materialien oder eine Kombination von organischen Materialien mit anderen Materialien als aktives Medium aufweisen
32
mit Schaltungselementen, besonders ausgebildet zur Lichtemission, z.B. Flachbildschirme mit organischen LED
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
29
Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungs- oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern
66
Typen von Halbleiterbauelementen
68
steuerbar allein durch den einer Elektrode, die nicht den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom führt, zugeführten elektrischen Strom oder durch das an eine solche Elektrode angelegte elektrische Potenzial
76
Unipolar-Bauelemente
772
Feldeffekt-Transistoren
78
mit Feldeffekt, der durch ein isoliertes Gate hervorgerufen ist
786
Dünnfilm-Transistoren
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
51
Festkörperbauelemente, die organische Materialien oder eine Kombination von organischen mit anderen Materialien als aktives Medium aufweisen; Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von derartigen Bauelementen oder Teilen davon
50
besonders ausgebildet zur Lichtemission, z.B. organische lichtemittierende Dioden (OLED) oder polymere lichtemittierende Bauelemente (PLED)
H Elektrotechnik
05
Elektrotechnik, soweit nicht anderweitig vorgesehen
B
Elektrische Heizung; elektrische Beleuchtung, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Elektrolumineszierende Lichtquellen
02
Einzelheiten
H Elektrotechnik
05
Elektrotechnik, soweit nicht anderweitig vorgesehen
B
Elektrische Heizung; elektrische Beleuchtung, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Elektrolumineszierende Lichtquellen
02
Einzelheiten
06
Elektrodenanschlüsse
Anmelder:
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
Erfinder:
北川 英樹 KITAGAWA Hideki; --
大東 徹 DAITOH Tohru; --
今井 元 IMAI Hajime; --
菊池 哲郎 KIKUCHI Tetsuo; --
鈴木 正彦 SUZUKI Masahiko; --
伊藤 俊克 ITOH Toshikatsu; --
上田 輝幸 UEDA Teruyuki; --
西宮 節治 NISHIMIYA Setsuji; --
原 健吾 HARA Kengo; --
Vertreter:
奥田 誠司 OKUDA Seiji; JP
Prioritätsdaten:
2016-18777927.09.2016JP
Titel (EN) ACTIVE MATRIX SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) SUBSTRAT À MATRICE ACTIVE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
(JA) アクティブマトリクス基板およびその製造方法
Zusammenfassung:
(EN) A pixel region of an active matrix substrate 100 is provided with: a thin film transistor 101 having an oxide semiconductor layer 7; an inorganic insulating layer 11 and an organic insulating layer 12, which cover the thin film transistor; a common electrode 15; a dielectric layer 17 mainly containing silicon nitride; and a pixel electrode 19. The inorganic insulating layer has a laminated structure including a silicon oxide layer and a silicon nitride layer, a pixel electrode 10 is in contact with, in a pixel contact hole, a drain electrode 9, and the pixel contact hole comprises a first opening, a second opening, and a third opening, which are formed in the inorganic insulating layer 11, the organic insulating layer 12, and the dielectric layer 17, respectively. The side surface of the first opening and the side surface of the second opening are aligned with each other, and the side surface of the second opening includes: a first portion 121 inclined at a first angle θ1 with respect to the substrate; a second portion 122, which is positioned above the first portion, and which is inclined at a second angle θ2 that is larger than the first angle; and a boundary 120, which is positioned between the first portion and the second portion, and the inclination angle of which discontinuously changes with respect to the substrate.
(FR) Une région de pixel d'un substrat de matrice active 100 comprenant un transistor à couche mince 101 ayant une couche semi-conductrice d'oxyde 7; une couche isolante inorganique 11 et une couche isolante organique 12, qui recouvre le transistor à couche mince; une électrode commune 15; une couche diélectrique 17 contenant principalement du nitrure de silicium; et une électrode de pixel 19. La couche isolante inorganique a une structure stratifiée comprenant une couche d'oxyde de silicium et une couche de nitrure de silicium, une électrode de pixel 10 est en contact avec, dans un trou de contact de pixel, une électrode de drain 9, et le trou de contact de pixel comprend une première ouverture, une seconde ouverture et une troisième ouverture, qui sont formées dans la couche isolante inorganique 11, la couche isolante organique 12 et la couche diélectrique 17, respectivement. La surface latérale de la première ouverture et la surface latérale de la seconde ouverture sont alignées l'une avec l'autre, et la surface latérale de la seconde ouverture comprend: une première partie 121 inclinée selon un premier angle θ1 par rapport au substrat; une seconde partie 122, qui est positionnée au-dessus de la première partie, et qui est inclinée selon un second angle θ2 qui est supérieur au premier angle; et une limite 120, qui est positionné entre la première partie et la seconde partie, et dont l'angle d'inclinaison change de manière discontinue par rapport au substrat.
(JA) アクティブマトリクス基板100の画素領域は、酸化物半導体層7を有する薄膜トランジスタ101と、薄膜トランジスタを覆う無機絶縁層11及び有機絶縁層12と、共通電極15と、窒化シリコンを主に含む誘電体層17と、画素電極19とを備え、無機絶縁層は酸化シリコン層と窒化シリコン層とを含む積層構造を有し、画素電極10は画素コンタクトホール内でドレイン電極9と接し、画素コンタクトホールは、無機絶縁層11、有機絶縁層12および誘電体層17にそれぞれ形成された第1開口部、第2開口部および第3開口部で構成され、第1開口部の側面と第2開口部の側面とは整合し、第2開口部の側面は、基板に対して第1の角度θ1で傾斜した第1部分121と、第1部分の上方に位置し、第1の角度よりも大きい第2の角度θ2で傾斜した第2部分122と、第1部分と第2部分との間に位置し、基板に対する傾斜角度が不連続に変化する境界120とを含む。
front page image
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Japanisch (JA)
Anmeldesprache: Japanisch (JA)