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1. (WO2018061334) AVALANCHE PHOTODIODE
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Veröff.-Nr.: WO/2018/061334 Internationale Anmeldenummer PCT/JP2017/021652
Veröffentlichungsdatum: 05.04.2018 Internationales Anmeldedatum: 12.06.2017
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen: 13.12.2017
IPC:
H01L 31/107 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
31
Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
08
in denen die Strahlung den Stromfluss durch das Bauelement steuert, z.B. Fotowiderstände
10
gekennzeichnet durch wenigstens eine Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. Fototransistoren
101
Bauelemente die auf infrarote, sichtbare oder ultraviolette Strahlung ansprechen
102
gekennzeichnet durch genau eine Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht
107
wobei die Sperrschicht mit Lawinenverstärkung arbeitet, z.B. Lawinen-Fotodiode
Anmelder:
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
Erfinder:
瀧本 貴博 TAKIMOTO, Takahiro; --
夏秋 和弘 NATSUAKI, Kazuhiro; --
内田 雅代 UCHIDA, Masayo; --
Vertreter:
鮫島 睦 SAMEJIMA, Mutsumi; JP
山崎 敏行 YAMASAKI, Toshiyuki; JP
Prioritätsdaten:
2016-19207429.09.2016JP
Titel (EN) AVALANCHE PHOTODIODE
(FR) PHOTODIODE À AVALANCHE
(JA) アバランシェフォトダイオード
Zusammenfassung:
(EN) This avalanche photodiode includes: a first-conductivity-type semiconductor layer (2) that is formed in a semiconductor substrate (1) of a first conductivity type; a first second-conductivity-type semiconductor layer (3) that is formed so as to surround the first-conductivity-type semiconductor layer (2) with a space therebetween in a plan view of the substrate; a second second-conductivity-type semiconductor layer (5) that is formed at a position deeper than that of the first-conductivity-type semiconductor layer (2) so as to be in contact with the bottom of the first-conductivity-type semiconductor layer (2); and a third second-conductivity-type semiconductor layer (6) that is formed at a position deeper than that of the second second-conductivity-type semiconductor layer (5) so as to be in contact with the bottom of the second second-conductivity-type semiconductor layer (5). The first-conductivity-type semiconductor layer (2) and the second second-conductivity-type semiconductor layer (5) form an avalanche junction. The first and third second-conductivity-type semiconductor layers (3, 6) are connected such that the semiconductor substrate (1) and the first-conductivity-type semiconductor layer (2) are electrically separated.
(FR) Une photodiode à avalanche comprend : une couche semi-conductrice de premier type de conductivité (2) formée dans un substrat semi-conducteur (1) d'un premier type de conductivité ; une première couche semi-conductrice de second type de conductivité (3) qui est formée de manière à entourer la couche semi-conductrice de premier type de conductivité (2), un espace étant ménagé entre celles-ci dans une vue en plan du substrat ; une deuxième couche semi-conductrice de second type de conductivité (5) qui est formée à une position plus profonde que la position de la couche semi-conductrice de premier type de conductivité (2) de manière à être en contact avec le fond de la couche semi-conductrice de premier type de conductivité (2) ; et une troisième couche semi-conductrice de second type de conductivité (6) qui est formée à une position plus profonde que la position de la deuxième couche semi-conductrice de second type de conductivité (5) de manière à être en contact avec le fond de la deuxième couche semi-conductrice de second type de conductivité (5). La couche semi-conductrice de premier type de conductivité (2) et la deuxième couche semi-conductrice de second type de conductivité (5) forment une jonction à avalanche. Les première et troisième couches semi-conductrices de second type de conductivité (3, 6) sont connectées de telle sorte que le substrat semi-conducteur (1) et la couche semi-conductrice de premier type de conductivité (2) sont électriquement séparés.
(JA) アバランシェフォトダイオードは、第1導電型の半導体基板(1)内に形成された第1導電型半導体層(2)と、基板平面視において第1導電型半導体層(2)を間隔をあけて囲むように形成された第1の第2導電型半導体層(3)と、第1導電型半導体層(2)よりも深い位置に、第1導電型半導体層(2)の底部に接するように形成された第2の第2導電型半導体層(5)と、第2の第2導電型半導体層(5)よりも深い位置に、第2の第2導電型半導体層(5)の底部に接するように形成された第3の第2導電型半導体層(6)を有する。第1導電型半導体層(2)と第2の第2導電型半導体層(5)とでアバランシェ接合を形成する。半導体基板(1)と第1導電型半導体層(2)とが電気的に分離されるように第1,第3の第2導電型半導体層(3,6)を接続する。
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Veröffentlichungssprache: Japanisch (JA)
Anmeldesprache: Japanisch (JA)