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1. (WO2018058395) CHEMICAL MECHANICAL POLISHING METHOD FOR TUNGSTEN
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

Veröff.-Nr.: WO/2018/058395 Internationale Anmeldenummer PCT/CN2016/100708
Veröffentlichungsdatum: 05.04.2018 Internationales Anmeldedatum: 29.09.2016
IPC:
C09G 1/02 (2006.01) ,H01L 21/304 (2006.01) ,C09K 3/14 (2006.01)
C Chemie; Hüttenwesen
09
Farbstoffe; Anstrichstoffe; Polituren; Naturharze; Klebstoffe; Zusammensetzungen, soweit nicht anderweitig vorgesehen; Anwendungen von Stoffen, soweit nicht anderweitig vorgesehen
G
Poliermittelmischungen, ausgenommen Möbelpolituren; Skiwachse
1
Poliermittelmischungen
02
Schleif- oder Abriebmittel enthaltend
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18
Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
30
Behandlung von Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht von H01L21/20-H01L21/26152
302
zur Änderung der physikalischen Oberflächenbeschaffenheit oder zur Änderung der Form, z.B. Ätzen, Polieren, Sägen, Schneiden
304
Mechanische Behandlung, z.B. Schleifen, Polieren, Sägen, Schneiden
C Chemie; Hüttenwesen
09
Farbstoffe; Anstrichstoffe; Polituren; Naturharze; Klebstoffe; Zusammensetzungen, soweit nicht anderweitig vorgesehen; Anwendungen von Stoffen, soweit nicht anderweitig vorgesehen
K
Materialien für Anwendungen, soweit nicht anderweitig vorgesehen; Verwendung von Materialien, soweit nicht anderweitig vorgesehen
3
Materialien, soweit nicht anderweitig vorgesehen
14
Gleitschutzmittel; Schleifmittel
Anmelder:
HO, Lin-Chen [CN/CN]; CN (SC)
TSAI, Wei-Wen [US/CN]; CN (SC)
LEE, Cheng-Ping [CN/CN]; CN (SC)
ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS CMP HOLDINGS, INC. [US/US]; 451 Bellevue Road Newark, Delaware 19713, US
Erfinder:
HO, Lin-Chen; CN
TSAI, Wei-Wen; CN
LEE, Cheng-Ping; CN
Vertreter:
SHANGHAI PATENT & TRADEMARK LAW OFFICE, LLC; 435 Guiping Road Shanghai 200233, CN
Prioritätsdaten:
Titel (EN) CHEMICAL MECHANICAL POLISHING METHOD FOR TUNGSTEN
(FR) PROCÉDÉ DE POLISSAGE CHIMICO-MÉCANIQUE DESTINÉ AU TUNGSTÈNE
Zusammenfassung:
(EN) A process for chemical-mechanical polishing a substrate containing tungsten includes the steps of providing a substrate; providing a polishing composition which contains: water, an oxidizing agent, xanthan gum, a dicarboxylic acid, a source of iron ions, a colloidal silica abrasive and optionally a pH adjusting agent, optionally a surfactant; providing a chemical mechanical polishing pad which has a polishing surface; creating dynamic contact at an interface between the polishing pad and the substrate; and dispensing the polishing composition onto the polishing surface at or near the interface between the polishing pad and the substrate to remove at least some of the tungsten. The process can reduce static corrosion rate and inhibit dishing of the tungsten and erosion of underlying dielectrics.
(FR) La présente invention concerne un procédé de polissage chimico-mécanique d'un substrat contenant du tungstène qui comprend les étapes consistant à utiliser un substrat ; à utiliser une composition de polissage qui contient : de l'eau, un agent oxydant, de la gomme de xanthane, un acide dicarboxylique, une source d'ions fer, un abrasif à base de silice colloïdale et éventuellement un agent d'ajustement du pH, éventuellement un tensioactif ; à utiliser un tampon de polissage chimico-mécanique qui présente une surface de polissage ; à créer un contact dynamique au niveau d'une interface entre le tampon de polissage et le substrat ; et à distribuer la composition de polissage sur la surface de polissage au niveau ou à proximité de l'interface entre le tampon de polissage et le substrat pour éliminer au moins une partie du tungstène. Le procédé peut réduire le taux de corrosion statique et inhiber le bombage du tungstène et l'érosion de diélectriques sous-jacents.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Englisch (EN)
Anmeldesprache: Englisch (EN)