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1. (WO2018050629) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG ELEKTRISCHER KONTAKTE AUF EINEM BAUTEIL
Bibliogr. Daten (PCT)
Beschreibung
Ansprüche
Nationale Phase
Anmerkungen
Zeichnungen
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Übersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:
WO/2018/050629
Internationale Anmeldenummer
PCT/EP2017/072874
Veröffentlichungsdatum:
22.03.2018
Internationales Anmeldedatum:
12.09.2017
IPC:
H01L 31/0224
(2006.01),
H01L 31/0747
(2012.01)
H
Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
31
Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02
Einzelheiten
0224
Elektroden
H
Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
31
Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
04
die für die Energie-Umwandlung eingerichtet sind
06
gekennzeichnet durch wenigstens eine Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht
072
wobei die Sperrschicht ausschließlich durch einen PN-Heteroübergang gebildet wird
0745
mit einem A
IV
B
IV
-Heteroübergang, z.B. Si/Ge-, SiGe/Si- oder Si/SiC-Solarzellen
0747
mit einem Heteroübergang zwischen kristallinen und amorphen Materialien, z.B. Heteroübergang mit dünner intrinsischer Schicht oder HIT
-Solarzellen
Anmelder:
FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E. V.
[DE/DE]; Hansastraße 27c 80686 Munich (DE)
Erfinder:
GLATTHAAR, Markus
; (DE).
BARTSCH, Jonas
; (DE).
KAMP, Mathias
; (DE).
ROHIT, Rukmangada
; (DE)
Vertreter:
MAIWALD PATENTANWALTS GMBH
; Christian Haggenmüller Elisenhof Elisenstr. 3 80335 München (DE)
Prioritätsdaten:
10 2016 217 789.3
16.09.2016
DE
10 2017 203 038.0
24.02.2017
DE
Titel
(DE)
VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG ELEKTRISCHER KONTAKTE AUF EINEM BAUTEIL
(EN)
METHOD FOR PRODUCING ELECTRICAL CONTACTS ON A COMPONENT
(FR)
PROCÉDÉ POUR ÉTABLIR DES CONTACTS ÉLECTRIQUES SUR UN COMPOSANT
Zusammenfassung:
(DE)
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer oder mehrerer elektrischer Kontakte auf einem Bauteil, folgende Schritte umfassend: -Bereitstellung eines Bauteils, das eine Vorder-und eine Rückseite aufweist, wobei auf der Vorderseite und/oder der Rückseiteeine Außenschicht aus einem transparenten, elektrisch leitfähigen Oxid (TCO) oder einem selbstpassivierenden Metall oder Halbleiter vorliegt, -Aufbringen einer strukturierten, elektrisch leitfähigen Keimschicht, wobei das Aufbringen der Keimschicht nicht galvanisch erfolgt, -galvanische Abscheidung zumindest eines Metalls auf der Keimschicht.
(EN)
The present invention relates to a method for producing one or more electrical contacts on a component, comprising the following steps: - providing a component which has a front and a rear, an outer layer of a transparent, electrically conductive oxide (TCO) or a self-passivating metal or semiconductor being present on the front and/or rear; - applying a structured, electrically conductive seed layer, the application of the seed layer taking place non-galvanically; - galvanically depositing at least one metal on the seed layer.
(FR)
La présente invention concerne un procédé pour établir un ou plusieurs contacts électriques sur un composant, ce procédé comprenant les étapes consistant à : prendre un composant présentant une face avant et une face arrière, une couche extérieure constituée d'un oxyde transparent électriquement conducteur (TCO) ou d'un semi-conducteur ou d'un métal passif étant présente sur la face avant et/ou sur la face arrière, appliquer une couche germe structurée électriquement conductrice, l'application de la couche germe n'étant pas effectuée par électrolyse, dépôt électrolytique d'au moins un métal sur la couche germe.
Designierte Staaten:
AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache:
German (
DE
)
Anmeldesprache:
German (
DE
)