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1. WO2018050565 - VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER KRISTALLINEN SILIZIUMSCHICHT UND SILIZIUMBASIERTES HALBLEITERBAUELEMENT

Veröffentlichungsnummer WO/2018/050565
Veröffentlichungsdatum 22.03.2018
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2017/072642
Internationales Anmeldedatum 08.09.2017
IPC
H01L 21/18 2006.01
HSektion H Elektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
C01B 33/023 2006.01
CSektion C Chemie; Hüttenwesen
01Anorganische Chemie
BNichtmetallische Elemente; deren Verbindungen
33Silicium; dessen Verbindungen
02Silicium
021Herstellung
023durch Reduktion von Siliciumdioxid oder von Material, das Siliciumdioxid enthält
CPC
C01B 33/023
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; ; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
33Silicon; Compounds thereof
02Silicon
021Preparation
023by reduction of silica or ; free; silica-containing material
H01L 21/02422
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
0237Materials
02422Non-crystalline insulating materials, e.g. glass, polymers
H01L 21/02532
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
02521Materials
02524Group 14 semiconducting materials
02532Silicon, silicon germanium, germanium
H01L 21/02612
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02612Formation types
Anmelder
  • TECHNISCHE UNIVERSITÄT BRAUNSCHWEIG [DE]/[DE]
Erfinder
  • PEINER, Erwin
  • WAAG, Andreas
  • PALM, Gerhard
  • SCHALL, Ingrid
  • SCHALL, Heinz
Vertreter
  • GRAMM, LINS & PARTNER PATENT- UND RECHTSANWÄLTE PARTGMBB
Prioritätsdaten
10 2016 117 182.413.09.2016DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER KRISTALLINEN SILIZIUMSCHICHT UND SILIZIUMBASIERTES HALBLEITERBAUELEMENT
(EN) METHOD FOR PRODUCING A CRYSTALLINE SILICON LAYER AND SILICON-BASED SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D’UNE COUCHE DE SILICIUM CRISTALLIN ET COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR À BASE DE SILICIUM
Zusammenfassung
(DE)
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer kristallinen Silizium- schicht auf der Oberfläche eines SiO2-haltigen Substrats mit den Schritten: a) Bereitstellen des Substrats ohne die kristalline Siliziumschicht auf der Ober- fläche, b) Aufbringen eines oxidhaltigen Reduktionsmittels direkt oder über wenigstens eine Zwischenschicht auf der mit der kristallinen Siliziumschicht zu versehen- den Oberfläche des Substrats, c) Erzeugen der kristallinen Siliziumschicht auf dem Substrat durch Anpressen des oxidhaltigen Reduktionsmittels an das Substrat bei gleichzeitiger Erwär- mung der Anordnung auf eine Prozesstemperatur. Die Erfindung betrifft ferner ein siliziumbasiertes Halbleiterbauelement, das nach einem solchen Verfahren hergestellt ist.
(EN)
The invention relates to a method for producing a crystalline silicon layer on the surface of an SiO2-containing substrate with the steps of: a) providing the substrate without the crystalline silicon layer on the surface, b) applying an oxide-containing reducing agent to the surface of the substrate to be provided with the crystalline silicon layer directly or via at least one intermediate layer, c) producing the crystalline silicon layer on the substrate by pressing the oxide-containing reducing agent onto the substrate while at the same time heating up the arrangement to a process temperature. The invention also relates to a silicon-based semiconductor component that is produced by such a method.
(FR)
L’invention concerne un procédé de production d’une couche de silicium cristallin sur la surface d’un substrat contenant du SiO2, le procédé comprenant les étapes consistant à : a) produire le substrat sans la couche de silicium cristallin sur la surface, b) appliquer un agent réducteur à base d’oxyde directement, ou par l’intermédiaire d’au moins un couche intermédiaire, sur la surface du substrat à pourvoir de la couche de silicium cristallin, c) former la couche de silicium cristallin sur le substrat par pressage de l’agent réducteur à base d’oxyde sur le substrat et par chauffage simultané de l’ensemble à une température de traitement. L’invention concerne en outre un composant semi-conducteur à base de silicium produit par un tel procédé.
Auch veröffentlicht als
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