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1. (WO2018050543) OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten    Einwendung einreichen

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2018/050543    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2017/072491
Veröffentlichungsdatum: 22.03.2018 Internationales Anmeldedatum: 07.09.2017
IPC:
H01L 33/50 (2010.01)
Anmelder: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg (DE)
Erfinder: VARGHESE, Tansen; (DE).
O'BRIEN, David; (DE).
ROSSBACH, Georg; (DE)
Vertreter: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München (DE)
Prioritätsdaten:
10 2016 117 189.1 13.09.2016 DE
Titel (DE) OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT
(EN) OPTOELECTRONIC COMPONENT
(FR) COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Es wird ein optoelektronisches Bauelement umfassend eine Schichtenfolge mit einer aktiven Schicht, die dazu eingerichtet ist, im Betrieb des Bauelements eine elektromagnetische Primärstrahlung zu emittieren und ein Konversionselement, das im Strahlengang der elektromagnetischen Primärstrahlung angeordnet ist, angegeben. Das Konversionselement umfasst Quantenpunkte, die dazu eingerichtet sind, im Betrieb des Bauelements zumindest teilweise die elektromagnetische Primärstrahlung in eine elektromagnetische Sekundärstrahlung zu konvertieren. Die Quantenpunkte weisen einen Durchmesser von einschließlich 50 nm bis einschließlich 500 nm auf.
(EN)The invention relates to an optoelectronic component comprising a layer sequence having an active layer, which is designed to emit primary electromagnetic radiation during operation of the component, and comprising a conversion element, which is arranged in the beam path of the primary electromagnetic radiation. The conversion element comprises quantum dots, which are designed to at least partially convert the primary electromagnetic radiation into secondary electromagnetic radiation during operation of the component. The quantum dots have a diameter of 50 nm inclusive to 500 nm inclusive.
(FR)La présente invention concerne un composant optoélectronique comprenant une série de couches qui comprend une couche active qui est conçue pour émettre un rayonnement électromagnétique primaire au cours du fonctionnement du composant, et un élément de conversion qui est disposé dans la trajectoire de faisceau du rayonnement électromagnétique primaire. L’élément de conversion comprend des points quantiques conçus pour convertir au moins partiellement le rayonnement électromagnétique primaire en un rayonnement électromagnétique secondaire au cours du fonctionnement du composant. Les points quantiques présentent un diamètre allant de 50 nm à 500 nm.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)