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1. (WO2018050466) HALBLEITERSCHICHTENFOLGE
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten    Einwendung einreichen

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2018/050466    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2017/072083
Veröffentlichungsdatum: 22.03.2018 Internationales Anmeldedatum: 04.09.2017
IPC:
H01L 33/06 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01), H01L 33/04 (2010.01), H01L 33/14 (2010.01), H01L 33/00 (2010.01), H01L 33/02 (2010.01)
Anmelder: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg (DE)
Erfinder: BERGBAUER, Werner; (DE).
HERTKORN, Joachim; (DE)
Vertreter: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München (DE)
Prioritätsdaten:
10 2016 117 477.7 16.09.2016 DE
Titel (DE) HALBLEITERSCHICHTENFOLGE
(EN) SEMICONDUCTOR LAYER SEQUENCE
(FR) SÉRIE DE COUCHES SEMI-CONDUCTRICES
Zusammenfassung: front page image
(DE)In einer Ausführungsform basiert die Halbleiterschichtenfolge (2) auf AlInGaN und ist für einen optoelektronischen Halbleiterchip (1) vorgesehen und weist die folgenden Schichten in der angegebenen Reihenfolge auf, von einer n- leitenden n-Seite (20) her gesehen: - eine Vorbarriereschicht (21) aus AlGaN, - einen Vorquantentopf (23) aus InGaN mit einer ersten Bandlücke, der nicht zur Strahlungserzeugung eingerichtet ist, - eine Multiquantentopfstruktur (3) mit mehreren sich abwechselnden Hauptquantentöpfen (32) aus InGaN mit einer zweiten Bandlücke und Hauptbarriereschichten (31) aus AlGaN oder AlInGaN, wobei die zweite Bandlücke größer als die erste Bandlücke ist und die Hauptquantentöpfe (32) zur Erzeugung einer Strahlung mit einer Wellenlänge maximaler Intensität zwischen einschließlich 365nm und 490nm eingerichtet sind, und - eine Elektronenblockierschicht (29) aus AlGaN, wobei ein Produkt aus einem Aluminiumgehalt und einer Dicke der Vorbarriereschicht (21) um mindestens einen Faktor 1,3 größer ist als ein Produkt aus einem Aluminiumgehalt und einer Dicke der Hauptbarriereschichten (31).
(EN)In one embodiment, the semiconductor layer sequence (2) is based on AlInGaN and is provided for an optoelectronic semiconductor chip (1). Viewed from an n-conducting n-side (20), said semiconductor layer sequence comprises the following layers in the specified sequence: a pre-barrier layer (21) of AlGaN; - a pre-quantum well (23) of InGaN having a first band gap, which is not configured to generate radiation; - a multi-quantum well structure (3) having a plurality of alternating main quantum wells (32) of InGaN with a second band gap and main barrier layers (31) of AlGaN or AlInGaN, wherein the second band gap is larger than the first band gap and the main quantum wells (32) are configured to generate radiation with a wavelength of maximum intensity of between (up to and including) 365 nm and 490 nm, and - an electron-blocking layer (29) of AlGaN, wherein a product of an aluminum content and a thickness of the pre-barrier layer (21) is greater than a product of an aluminum content and a thickness of the main barrier layers (31) by at least a factor of 1.3.
(FR)Selon un mode de réalisation, la série de couches semi-conductrices (2) est basée sur du AlInGaN, est destinée à une puce semi-conductrice optoélectronique (1) et comprend les couches suivantes dans l’ordre indiqué, vu d’un côté N de conduction de type N (20) : une couche de barrière avant (21) en AlGaN, - un puits quantique avant (23) en InGaN ayant une première bande interdite qui n’est pas conçue pour générer un rayonnement, - une structure de multiples puits quantiques (3) avec en alternance plusieurs puits quantiques principaux (32) en InGaN avec une seconde bande interdite et plusieurs couches de barrière principales (31) en AlGaN ou en AlInGaN, la seconde bande interdite étant plus grande que la première bande interdite tandis que les couches de barrière principales (32) sont conçues pour générer un rayonnement avec une longueur d’onde d’intensité maximale comprise entre 365 nm et 490 nm, et - une couche de blocage d’électrons (29) en AlGaN, un produit d’une teneur en aluminium et d’une épaisseur de la couche de barrière avant (21) étant supérieur au moins d’un facteur 1,3 qu’un produit d’une teneur en aluminium et d’une épaisseur des couches de barrière principales (31).
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)