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1. (WO2018046552) SPUTTERTARGET ZUR HERSTELLUNG EINER LICHT ABSORBIERENDEN SCHICHT
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten    Einwendung einreichen

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2018/046552    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2017/072372
Veröffentlichungsdatum: 15.03.2018 Internationales Anmeldedatum: 06.09.2017
IPC:
C23C 14/06 (2006.01), C23C 14/08 (2006.01), C23C 14/18 (2006.01), C23C 14/34 (2006.01), C22C 29/12 (2006.01)
Anmelder: MATERION ADVANCED MATERIALS GERMANY GMBH [DE/DE]; Heraeusstraße 12-14 63450 Hanau (DE)
Erfinder: SCHLOTT, Martin; (DE).
SCHULTHEIS, Markus; (DE).
HERZOG, Andreas; (DE)
Vertreter: KADOR & PARTNER; Corneliusstr. 15 80469 Munich (DE)
Prioritätsdaten:
10 2016 117 048.8 12.09.2016 DE
Titel (DE) SPUTTERTARGET ZUR HERSTELLUNG EINER LICHT ABSORBIERENDEN SCHICHT
(EN) SPUTTERING TARGET FOR PRODUCING A LIGHT-ABSORBING LAYER
(FR) CIBLE DE PULVÉRISATION POUR PRODUIRE UNE COUCHE ABSORBANT LA LUMIÈRE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Es ist ein Sputtertarget zur Herstellung einer Licht absorbierenden Schicht be- kannt, das aus einem Target-Werkstoff besteht, der eine Oxidphase enthält und einen im Vergleich zur stöchiometrischen Zusammensetzung reduzierten Sauer­ stoffgehalt aufweist. Um davon ausgehend, ein Sputtertarget bereitzustellen, das eine elektrisch leitfähige Phase enthält und Aufladungen und Partikelbildung ver­ meidet, wird erfindungsgemäß vorgeschlagen, dass der Target-Werkstoff eine metallische Phase aus Molybdän (Mo-Phase) enthält, und dass die Oxidphase Zinkoxid (ZnO-Phase) und eine Mischoxidphase mit der Formel MNOn-x enthält, wobei M die Hauptkomponente Zink (Zn) repräsentiert, und N mindestens eine der Nebenkomponenten Niob (Nb) und/oder Titan (Ti), und wobei x größer als Null ist und n die Anzahl von Sauerstoffatomen der stöchiometrischen Zusam- mensetzung der Mischoxidphase bezeichnet.
(EN)There is a known sputtering target for producing a light-absorbing layer that consists of a target material which contains an oxide phase and has a reduced oxygen content in comparison with the stoichiometric composition. To provide on this basis a sputtering target which contains an electrically conductive phase and avoids charges and particle formation, it is proposed according to the invention that the material of the target contains a metallic phase of molybdenum (Mo phase) and that the oxide phase contains zinc oxide (ZnO phase) and a mixed-oxide phase with the formula MNOn-x, where M represents the main component zinc (Zn), and N denotes at least one of the secondary components niobium (Nb) and/or titanium (Ti), and where x is greater than zero and n denotes the number of oxygen atoms of the stoichiometric composition of the mixed-oxide phase.
(FR)On connaît une cible de pulvérisation permettant de produire une couche absorbant la lumière, laquelle cible de pulvérisation se compose d'un matériau cible qui contient une phase d'oxyde et présente une teneur réduite en oxygène comparativement à la composition stoechiométrique. L'invention vise, partant de là, à mettre au point une cible de pulvérisation qui contient une phase électroconductrice et évite les charges et la formation de particules. A cet effet, le matériau de la cible contient une phase métallique constituée de molybdène (phase Mo) et la phase d'oxyde contient de l'oxyde de zinc (phase ZnO) et une phase d'oxyde mixte de formule MNOn-x, M désignant le composant principal zinc (Zn) et N désignant au moins un des composants secondaires Niob (Nb) et/ou titane (Ti) et x étant supérieur à zéro et n désignant le nombre d'atomes d'oxygène de la composition stoechiométrique de la phase d'oxyde mixte.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)