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1. (WO2018044904) SPECTRAL REFLECTOMETRY FOR IN-SITU PROCESS MONITORING AND CONTROL
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Veröff.-Nr.: WO/2018/044904 Internationale Anmeldenummer PCT/US2017/049138
Veröffentlichungsdatum: 08.03.2018 Internationales Anmeldedatum: 29.08.2017
IPC:
G01N 21/95 (2006.01) ,G01N 21/55 (2006.01) ,G01N 21/25 (2006.01) ,G01N 21/88 (2006.01) ,G01N 21/956 (2006.01)
G Physik
01
Messen; Prüfen
N
Untersuchen oder Analysieren von Stoffen durch Bestimmen ihrer chemischen oder physikalischen Eigenschaften
21
Optisches Untersuchen oder Analysieren von Stoffen, d.h. durch die Anwendung infraroten, sichtbaren oder ultravioletten Lichts
84
Systeme, speziell ausgebildet für besondere Anwendungen
88
Untersuchen der Anwesenheit von Fehlern oder Verunreinigungen
95
gekennzeichnet durch das Material oder die Form des zu untersuchenden Gegenstandes
G Physik
01
Messen; Prüfen
N
Untersuchen oder Analysieren von Stoffen durch Bestimmen ihrer chemischen oder physikalischen Eigenschaften
21
Optisches Untersuchen oder Analysieren von Stoffen, d.h. durch die Anwendung infraroten, sichtbaren oder ultravioletten Lichts
17
Systeme, in denen einfallendes Licht durch die Eigenschaften des untersuchten Materials beeinflusst wird
55
Reflexionsvermögen
G Physik
01
Messen; Prüfen
N
Untersuchen oder Analysieren von Stoffen durch Bestimmen ihrer chemischen oder physikalischen Eigenschaften
21
Optisches Untersuchen oder Analysieren von Stoffen, d.h. durch die Anwendung infraroten, sichtbaren oder ultravioletten Lichts
17
Systeme, in denen einfallendes Licht durch die Eigenschaften des untersuchten Materials beeinflusst wird
25
Farbe; Spektraleigenschaften, d.h. Vergleich der Materialeffekte bei Licht von zwei oder mehr Wellenlängen oder Wellenlängenbereichen
G Physik
01
Messen; Prüfen
N
Untersuchen oder Analysieren von Stoffen durch Bestimmen ihrer chemischen oder physikalischen Eigenschaften
21
Optisches Untersuchen oder Analysieren von Stoffen, d.h. durch die Anwendung infraroten, sichtbaren oder ultravioletten Lichts
84
Systeme, speziell ausgebildet für besondere Anwendungen
88
Untersuchen der Anwesenheit von Fehlern oder Verunreinigungen
G Physik
01
Messen; Prüfen
N
Untersuchen oder Analysieren von Stoffen durch Bestimmen ihrer chemischen oder physikalischen Eigenschaften
21
Optisches Untersuchen oder Analysieren von Stoffen, d.h. durch die Anwendung infraroten, sichtbaren oder ultravioletten Lichts
84
Systeme, speziell ausgebildet für besondere Anwendungen
88
Untersuchen der Anwesenheit von Fehlern oder Verunreinigungen
95
gekennzeichnet durch das Material oder die Form des zu untersuchenden Gegenstandes
956
Prüfen von Mustern auf der Oberfläche von Gegenständen
Anmelder:
KLA-TENCOR CORPORATION [US/US]; Legal Dept. One Technology Drive Milpitas, California 95035, US
Erfinder:
JAIN, Prateek; US
WACK, Daniel; US
PETERLINZ, Kevin; US
SHCHEGROV, Andrei; US
KRISHNAN, Shankar; US
Vertreter:
MCANDREWS, Kevin; US
MORRIS, Elizabeth M.N.; US
Prioritätsdaten:
15/688,75128.08.2017US
62/380,74829.08.2016US
Titel (EN) SPECTRAL REFLECTOMETRY FOR IN-SITU PROCESS MONITORING AND CONTROL
(FR) RÉFLECTOMÉTRIE SPECTRALE POUR SURVEILLANCE ET RÉGULATION IN SITU DE PROCESSUS
Zusammenfassung:
(EN) Methods and systems for performing in-situ, selective spectral reflectometry (SSR) measurements of semiconductor structures disposed on a wafer are presented herein. Illumination light reflected from a wafer surface is spatially imaged. Signals from selected regions of the image are collected and spectrally analyzed, while other portions of the image are discarded. In some embodiments, a SSR includes a dynamic mirror array (DMA) disposed in the optical path at or near a field plane conjugate to the surface of the semiconductor wafer under measurement. The DMA selectively blocks the undesired portion of wafer image. In other embodiments, a SSR includes a hyperspectral imaging system including a plurality of spectrometers each configured to collect light from a spatially distinct area of a field image conjugate to the wafer surface. Selected spectral signals associated with desired regions of the wafer image are selected for analysis.
(FR) L'invention concerne des procédés et des systèmes pour la réalisation in situ de mesures de réflectométrie spectrale sélective (SSR) concernant des structures semi-conductrices disposées sur une tranche. Une lumière d'éclairage réfléchie par la surface d'une tranche est imagée spatialement. Des signaux provenant de régions sélectionnées de l'image sont recueillis et analysés spectralement, tandis que d'autres parties de l'image sont rejetées. Dans certains modes de réalisation, une SSR fait intervenir un réseau de miroirs dynamiques (DMA) disposé sur le trajet optique au niveau ou à proximité d'un plan de champ conjugué à la surface de la tranche à semi-conducteurs faisant l'objet des mesures. Le DMA bloque sélectivement la partie non souhaitée de l'image de la tranche. Dans d'autres modes de réalisation, une SSR fait intervenir un système d'imagerie hyperspectrale comprenant une pluralité de spectromètres configurés chacun pour recueillir de la lumière en provenance d'une zone spatialement distincte d'une image de champ conjuguée à la surface de la tranche. Des signaux spectraux sélectionnés associés à des régions souhaitées de l'image de la tranche sont sélectionnés en vue de leur analyse.
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Afrikanische regionale Organisation für geistiges Eigentum (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasisches Patentamt (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPA) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Englisch (EN)
Anmeldesprache: Englisch (EN)
Auch veröffentlicht als:
CN109642875