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1. (WO2018043440) PROCESSING LIQUID, SUBSTRATE CLEANING METHOD, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICES
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Veröff.-Nr.: WO/2018/043440 Internationale Anmeldenummer PCT/JP2017/030820
Veröffentlichungsdatum: 08.03.2018 Internationales Anmeldedatum: 29.08.2017
IPC:
H01L 21/304 (2006.01) ,C11D 7/26 (2006.01) ,C11D 7/32 (2006.01) ,C11D 7/34 (2006.01) ,C11D 7/36 (2006.01) ,C11D 7/50 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18
Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
30
Behandlung von Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht von H01L21/20-H01L21/26152
302
zur Änderung der physikalischen Oberflächenbeschaffenheit oder zur Änderung der Form, z.B. Ätzen, Polieren, Sägen, Schneiden
304
Mechanische Behandlung, z.B. Schleifen, Polieren, Sägen, Schneiden
C Chemie; Hüttenwesen
11
Tierische oder pflanzliche Öle, Fette, fettartige Stoffe oder Wachse; daraus gewonnene Fettsäuren; Reinigungsmittel; Kerzen
D
Reinigungsmittelgemische; Verwendung einzelner Stoffe als Reinigungsmittel; Seifen oder Seifenherstellung; Harzseifen; Gewinnung von Glycerin
7
Reinigungsmittelgemische, im wesentlichen aus Verbindungen ohne oberflächenaktive Wirkung bestehend
22
Organische Verbindungen
26
Sauerstoff enthaltend
C Chemie; Hüttenwesen
11
Tierische oder pflanzliche Öle, Fette, fettartige Stoffe oder Wachse; daraus gewonnene Fettsäuren; Reinigungsmittel; Kerzen
D
Reinigungsmittelgemische; Verwendung einzelner Stoffe als Reinigungsmittel; Seifen oder Seifenherstellung; Harzseifen; Gewinnung von Glycerin
7
Reinigungsmittelgemische, im wesentlichen aus Verbindungen ohne oberflächenaktive Wirkung bestehend
22
Organische Verbindungen
32
Stickstoff enthaltend
C Chemie; Hüttenwesen
11
Tierische oder pflanzliche Öle, Fette, fettartige Stoffe oder Wachse; daraus gewonnene Fettsäuren; Reinigungsmittel; Kerzen
D
Reinigungsmittelgemische; Verwendung einzelner Stoffe als Reinigungsmittel; Seifen oder Seifenherstellung; Harzseifen; Gewinnung von Glycerin
7
Reinigungsmittelgemische, im wesentlichen aus Verbindungen ohne oberflächenaktive Wirkung bestehend
22
Organische Verbindungen
34
Schwefel enthaltend
C Chemie; Hüttenwesen
11
Tierische oder pflanzliche Öle, Fette, fettartige Stoffe oder Wachse; daraus gewonnene Fettsäuren; Reinigungsmittel; Kerzen
D
Reinigungsmittelgemische; Verwendung einzelner Stoffe als Reinigungsmittel; Seifen oder Seifenherstellung; Harzseifen; Gewinnung von Glycerin
7
Reinigungsmittelgemische, im wesentlichen aus Verbindungen ohne oberflächenaktive Wirkung bestehend
22
Organische Verbindungen
36
Phosphor enthaltend
C Chemie; Hüttenwesen
11
Tierische oder pflanzliche Öle, Fette, fettartige Stoffe oder Wachse; daraus gewonnene Fettsäuren; Reinigungsmittel; Kerzen
D
Reinigungsmittelgemische; Verwendung einzelner Stoffe als Reinigungsmittel; Seifen oder Seifenherstellung; Harzseifen; Gewinnung von Glycerin
7
Reinigungsmittelgemische, im wesentlichen aus Verbindungen ohne oberflächenaktive Wirkung bestehend
50
Lösungsmittel
Anmelder:
富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
Erfinder:
上村 哲也 KAMIMURA Tetsuya; JP
高橋 智威 TAKAHASHI Tomonori; JP
Vertreter:
渡辺 望稔 WATANABE Mochitoshi; JP
三和 晴子 MIWA Haruko; JP
伊東 秀明 ITOH Hideaki; JP
三橋 史生 MITSUHASHI Fumio; JP
Prioritätsdaten:
2016-16977331.08.2016JP
Titel (EN) PROCESSING LIQUID, SUBSTRATE CLEANING METHOD, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICES
(FR) LIQUIDE DE TRAITEMENT, PROCÉDÉ DE NETTOYAGE DE SUBSTRAT, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 処理液、基板の洗浄方法、半導体デバイスの製造方法
Zusammenfassung:
(EN) [Problem] To provide: a processing liquid for semiconductor devices which exhibits excellent stability over time with respect to residue removal performance, and which exhibits excellent corrosion prevention performance with respect to objects to be processed; a substrate cleaning method which uses said processing liquid; and a method for producing semiconductor devices. [Solution] This processing liquid for semiconductor devices includes: at least one hydroxylamine compound selected from the group consisting of hydroxylamines and hydroxylamine salts; at least one basic compound selected from the group consisting of amine compounds different to the hydroxylamine compound, and quaternary ammonium hydroxide salts; and at least one selected from the group consisting of reductants different to the hydroxylamine compound, and chelating agents. The processing liquid has a pH of 10 or higher.
(FR) L’invention a pour objet de fournir un liquide de traitement qui est destiné à un dispositif à semi-conducteurs, et qui se révèle excellent en termes de stabilité au cours du temps de ses performances d’élimination de résidu et en termes de performances de protection contre la corrosion vis-à-vis d’un objet à traiter. En outre, l’invention a pour objet de fournir un procédé de nettoyage de substrat mettant en œuvre ledit liquide de traitement, et un procédé de fabrication de dispositif à semi-conducteurs. Le liquide de traitement de l’invention consiste en un liquide de traitement qui est destiné à un dispositif à semi-conducteurs, et comprend : au moins une sorte de composé hydroxylamine choisie dans un groupe constitué d’une hydroxylamine et d’un sel d’hydroxylamine ; au moins une sorte de composé basique choisie dans un groupe constitué d’un composé amine distinct dudit composé hydroxylamine et d’un sel d’hydroxyde d’ammonium quaternaire ; et au moins un élément choisi dans un groupe constitué d’un agent de réduction distinct dudit composé hydroxylamine et d’un agent chélatant. Le pH de ce liquide de traitement est supérieur ou égal à 10.
(JA) 【課題】本発明の課題は、半導体デバイス用の処理液であって、残渣物除去性能の経時安定性に優れ、且つ、処理対象物に対する腐食防止性能にも優れた処理液を提供することである。また、上記処理液を用いた基板の洗浄方法、及び、半導体デバイスの製造方法を提供することである。 本発明の処理液は、半導体デバイス用の処理液であって、ヒドロキシルアミン及びヒドロキシルアミン塩からなる群より選ばれる少なくとも1種のヒドロキシルアミン化合物と、上記ヒドロキシルアミン化合物とは異なるアミン化合物、及び四級水酸化アンモニウム塩からなる群より選ばれる少なくとも1種の塩基化合物と、上記ヒドロキシルアミン化合物とは異なる還元剤、及びキレート剤からなる群より選ばれる少なくとも1種と、を含有し、pHが10以上である。
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Japanisch (JA)
Anmeldesprache: Japanisch (JA)