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1. (WO2018043140) SOLID-STATE IMAGING ELEMENT AND ELECTRONIC DEVICE
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Veröff.-Nr.: WO/2018/043140 Internationale Anmeldenummer PCT/JP2017/029494
Veröffentlichungsdatum: 08.03.2018 Internationales Anmeldedatum: 17.08.2017
IPC:
H01L 27/146 (2006.01) ,H04N 5/369 (2011.01) ,H04N 5/374 (2011.01) ,H04N 9/07 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
27
Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen [integrierte Schaltungen]
14
mit Halbleiterschaltungselementen, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung
144
Strahlungsgesteuerte Bauelemente
146
Strukturen für Bildaufnahmeeinheiten
H Elektrotechnik
04
Elektrische Nachrichtentechnik
N
Bildübertragung, z.B. Fernsehen
5
Einzelheiten von Fernsehsystemen
30
Umwandeln von Licht oder ähnlicher Information in elektrische Information
335
unter Verwendung von Festkörper- /Halbleiter-Bildsensoren [SSIS]
369
Festkörper- /Halbleiter-Bildsensor [SSIS]-Architektur, dazugehörige Schaltungen
H Elektrotechnik
04
Elektrische Nachrichtentechnik
N
Bildübertragung, z.B. Fernsehen
5
Einzelheiten von Fernsehsystemen
30
Umwandeln von Licht oder ähnlicher Information in elektrische Information
335
unter Verwendung von Festkörper- /Halbleiter-Bildsensoren [SSIS]
369
Festkörper- /Halbleiter-Bildsensor [SSIS]-Architektur, dazugehörige Schaltungen
374
Adressierte Sensoren, z.B. MOS- oder CMOS-Sensoren
H Elektrotechnik
04
Elektrische Nachrichtentechnik
N
Bildübertragung, z.B. Fernsehen
9
Einzelheiten von Farbfernsehsystemen
04
Erzeugung des Bildsignals
07
mit nur einem Bildaufnahmegerät
Anmelder:
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
Erfinder:
松本 晃 MATSUMOTO Akira; JP
田舎中 博士 TAYANAKA Hiroshi; JP
Vertreter:
西川 孝 NISHIKAWA Takashi; JP
稲本 義雄 INAMOTO Yoshio; JP
Prioritätsdaten:
2016-16759130.08.2016JP
Titel (EN) SOLID-STATE IMAGING ELEMENT AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) ÉLÉMENT D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 固体撮像素子、および電子装置
Zusammenfassung:
(EN) The present technique relates to: a solid-state imaging element which enables the reduction in the chip size of a CIS that uses an organic photoelectric conversion film; and an electronic device. A solid-state imaging element according to one embodiment of the present invention is characterized by being provided with: first and second substrates that are laminated on each other; and a first organic photoelectric conversion film that is formed on the first substrate. This solid-state imaging element is also characterized in that a latch circuit is formed on the second substrate. The present technique is applicable, for example, to a backside-illuminated CIS.
(FR) La présente technique concerne : un élément d'imagerie à semi-conducteurs qui permet la réduction de la taille de puce d'un CIS qui utilise un film de conversion photoélectrique organique; et un dispositif électronique. Un élément d'imagerie à semi-conducteurs selon un mode de réalisation de la présente invention est caractérisé en ce qu'il comprend: des premier et second substrats qui sont stratifiés l'un sur l'autre; et un premier film de conversion photoélectrique organique qui est formé sur le premier substrat. Cet élément d'imagerie à semi-conducteurs est également caractérisé en ce qu'un circuit de verrouillage est formé sur le second substrat. La présente technique est applicable, par exemple, à un dispositif CIS rétro-éclairé.
(JA) 本技術は、有機光電変換膜を用いたCISのチップサイズを小型化することができるようにする固体撮像素子、および電子装置に関する。 本技術の第1の側面である固体撮像素子は、積層されている第1および第2基板と、前記第1基板の上に形成されている第1有機光電変換膜とを備え、前記第2基板には、Latch回路が形成されていることを特徴とする。本技術は、例えば、裏面照射型のCISに適用できる。
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Japanisch (JA)
Anmeldesprache: Japanisch (JA)