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1. (WO2018041778) OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten    Einwendung einreichen

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2018/041778    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2017/071550
Veröffentlichungsdatum: 08.03.2018 Internationales Anmeldedatum: 28.08.2017
IPC:
H01L 33/00 (2010.01), H01L 33/06 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01)
Anmelder: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg (DE)
Erfinder: BERGBAUER, Werner; (DE).
HERTKORN, Joachim; (DE)
Vertreter: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München (DE)
Prioritätsdaten:
10 2016 116 425.9 02.09.2016 DE
Titel (DE) OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT
(EN) OPTOELECTRONIC COMPONENT
(FR) COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Es wird ein optoelektronisches Bauelement (10) angegeben, mit einer aktiven Schicht, die eine Mehrfach-Quantentopfstruktur (5) aufweist, wobei die Mehrfach-Quantentopfstruktur (5) Quantentopfschichten (51) enthält, die Alx1Iny1Ga1-x1-y1N mit 0 ≤ x1 < 0,03, 0 ≤ y1 ≤ 0,1 und x1 + y1 ≤ 1 aufweisen, und Barriereschichten (52) enthält, die Alx2Iny2Ga1-x2-y2N mit 0 ≤ x2 ≤ 1, 0 ≤ y2 ≤ 0,02 und x2 + y2 ≤ 1 aufweisen, wobei die Barriereschichten (52) einen räumlich variierenden Aluminiumgehalt x2 aufweisen, ein Maximalwert des Aluminiumgehalts in den Barriereschichten (52) x2, max ≥ 0,05 beträgt, und ein Minimalwert des Aluminiumgehalts in den Barriereschichten (52) x2,min < 0,05 beträgt.
(EN)The invention provides an optoelectronic component (10), comprising an active layer, which has a multiple quantum well structure (5), wherein the multiple quantum well structure (5) includes quantum well layers (51), which comprise Alx1Iny1Ga1-x1-y1N with 0 ≤ x1 < 0.03, 0 ≤ y1 ≤ 0.1 und x1 + y1 ≤ 1, and includes barrier layers (52), which comprise Alx2Iny2Ga1-x2-y2N with 0 ≤ x2 ≤ 1, 0 ≤ y2 ≤ 0.02 und x2 + y2 ≤ 1, wherein the barrier layers (52) have a spatially varying aluminium content x2, a maximum value of the aluminium content in the barrier layers (52) is x2, max ≥ 0.05, and a minimum value of the aluminium content in the barrier layers (52) is x2, min < 0.05.
(FR)L'invention concerne un composant optoélectronique (10) comprenant une couche active qui présente une structure à multipuits quantiques (5), cette structure à multipuits quantiques (5) contenant des couches de puits quantiques (51) qui présentent le système de matériaux Alx1Iny1Ga1-x1-y1N, étant entendu que 0 ≤ x1 < 0,03, 0 ≤ y1 ≤ 0,1 et x1 + y1 ≤ 1, et des couches barrières (52) qui présentent le système de matériaux Alx2Iny2Ga1-x2-y2N, étant entendu que 0 ≤ x2 ≤ 1, 0 ≤ y2 ≤ 0,02 et x2 + y2 ≤ 1. Les couches barrières (52) présentent une teneur en aluminium variant dans l'espace x2, une valeur maximale de la teneur en aluminium dans les couches barrières (52) x2,max est ≥ 0,05 et une valeur minimale de la teneur en aluminium dans les couches barrières (52) x2,min est < 0,05.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)