Einige Inhalte dieser Anwendung sind momentan nicht verfügbar.
Wenn diese Situation weiterhin besteht, kontaktieren Sie uns bitte unterFeedback&Kontakt
1. (WO2018041444) VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES MIKROMECHANISCHEN SENSORS
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten    Einwendung einreichen

Veröff.-Nr.: WO/2018/041444 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2017/066724
Veröffentlichungsdatum: 08.03.2018 Internationales Anmeldedatum: 05.07.2017
IPC:
B81C 1/00 (2006.01) ,H04R 19/00 (2006.01)
B Arbeitsverfahren; Transportieren
81
Mikrostrukturtechnik
C
Verfahren oder Geräte besonders ausgebildet zur Herstellung oder Behandlung von Mikrostrukturbauelementen oder -systemen
1
Herstellung oder Behandlung von Bauelementen oder Systemen in oder auf einem Substrat
H Elektrotechnik
04
Elektrische Nachrichtentechnik
R
Lautsprecher, Mikrofone, Schallplatten-Tonabnehmer oder ähnliche akustische, elektromechanische Wandler; Hörhilfen für Schwerhörige; Großlautsprecheranlagen
19
Elektrostatische Umformer
Anmelder:
ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart, DE
Erfinder:
CLASSEN, Johannes; DE
Prioritätsdaten:
10 2016 216 207.129.08.2016DE
Titel (EN) METHOD FOR PRODUCING A MICROMECHANICAL SENSOR
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN CAPTEUR MICRO-MÉCANIQUE
(DE) VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES MIKROMECHANISCHEN SENSORS
Zusammenfassung:
(EN) The invention relates to a method for producing a micromechanical sensor (100), comprising the following steps: providing an MEMS wafer (10) having an MEMS substrate (1), wherein a defined number of etched trenches is formed in the MEMS substrate (1) in a membrane region (3a), wherein the membrane region is formed in a first silicon layer (3), which is arranged at a defined distance from the MEMS substrate (1); providing a capping wafer (20); bonding the MEMS wafer (10) to the capping wafer (20); and forming a media access point (6) to the membrane region (3a) by grinding the MEMS substrate (1).
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un capteur micro-mécanique (100), comprenant les étapes consistant : à fournir une tranche MEMS (10) pourvue d'un substrat MEMS (1), un nombre défini de tranchées gravées étant ménagées dans le substrat MEMS (1) dans une zone de membrane (3a), la zone de membrane étant formée dans une première couche de silicium (3) qui est agencée de manière définie à distance du substrat MEMS (1) ; à fournir une tranche de recouvrement (20) ; à coller la tranche MEMS (10) à la tranche de recouvrement (20) ; et à former pour le milieu un accès (6) menant à la zone de membrane (3a) par rectification du substrat MEMS (1).
(DE) Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen Sensors (100), aufweisend die Schritte: Bereitstellen eines MEMS-Wafers (10) mit einem MEMS-Substrat (1), wobei im MEMS-Substrat (1) in einem Membranbereich (3a) eine definierte Anzahl von Ätzgräben ausgebildet wird, wobei der Membranbereich in einer ersten Siliziumschicht (3), die definiert beabstandet vom MEMS-Substrat (1) angeordnet ist, ausgebildet wird; Bereitstellen eines Kappenwafers (20); Bonden des MEMS-Wafers (10) mit dem Kappenwafer (20); und Ausbilden eines Medienzugangs (6) zum Membranbereich (3a) durch Aufschleifen des MEMS-Substrats (1).
front page image
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)