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1. (WO2018039690) OPTOELEKTRONISCHER INFRAROTSENSOR
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten    Einwendung einreichen

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2018/039690    Internationale Anmeldenummer    PCT/AT2017/050023
Veröffentlichungsdatum: 08.03.2018 Internationales Anmeldedatum: 31.08.2017
IPC:
H01L 31/109 (2006.01)
Anmelder: UNIVERSITÄT LINZ [AT/AT]; Altenberger Straße 69 4040 Linz (AT)
Erfinder: GLOWACKI, Eric Daniel; (AT).
IVANDA, Mile; (HR).
DEREK, Vedran; (HR).
SARICIFTCI, Niyazi Serdar; (AT)
Vertreter: HÜBSCHER, Helmut; (AT).
HÜBSCHER, Gerd; (AT).
HELLMICH, Karl Winfried; (AT)
Prioritätsdaten:
A 50778/2016 01.09.2016 AT
Titel (DE) OPTOELEKTRONISCHER INFRAROTSENSOR
(EN) OPTOELECTRONIC INFRARED SENSOR
(FR) CATPEUR INFRAROUGE OPTOÉLECTRONIQUE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Es wird ein optoelektronischer Infrarotsensor mit einer ersten und einer zweiten je an eine Elektrode (3, 4) angeschlossenen Halbleiterschicht (1, 2) beschrieben, wobei die erste Halbleiterschicht (1) aus Silizium mit der zweiten Halbleiterschicht (2) einen Heteroübergang bildet. Um vorteilhafte elektrische Eigenschaften zu erhalten, wird vorgeschlagen, dass die zweite Halbleiterschicht (2) aus einem Metalloxid-Halbleiter aufgebaut ist.
(EN)The invention relates to an optoelectronic infrared sensor having a first and a second semiconductor layer (1, 2), which are connected to respective electrodes (3, 4), wherein the first semiconductor layer (1) of silicon forms a heterojunction with the second semiconductor layer (2). In order to obtain advantageous electrical characteristics, according to the invention, the second semiconductor layer (2) is constructed of a metal oxide semiconductor.
(FR)L’invention concerne un capteur infrarouge optoélectronique comprenant une première et une deuxième couches semiconductrices (1, 2) respectivement raccordées à une électrode (3, 4), la première couche semiconductrice (1) en silicium formant avec la deuxième couche semiconductrice (2) une hétérojonction. Afin d’obtenir des propriétés électriques avantageuses, la deuxième couche semiconductrice (2) est réalisée dans un semiconducteur à base d’oxyde métallique.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)