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1. (WO2018038230) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT AND SOLID-STATE IMAGE CAPTURING DEVICE
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Veröff.-Nr.: WO/2018/038230 Internationale Anmeldenummer PCT/JP2017/030414
Veröffentlichungsdatum: 01.03.2018 Internationales Anmeldedatum: 24.08.2017
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen: 07.02.2018
IPC:
H04N 5/369 (2011.01) ,H01L 27/146 (2006.01) ,H01L 31/10 (2006.01) ,H04N 5/374 (2011.01) ,H04N 5/378 (2011.01)
H Elektrotechnik
04
Elektrische Nachrichtentechnik
N
Bildübertragung, z.B. Fernsehen
5
Einzelheiten von Fernsehsystemen
30
Umwandeln von Licht oder ähnlicher Information in elektrische Information
335
unter Verwendung von Festkörper- /Halbleiter-Bildsensoren [SSIS]
369
Festkörper- /Halbleiter-Bildsensor [SSIS]-Architektur, dazugehörige Schaltungen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
27
Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen [integrierte Schaltungen]
14
mit Halbleiterschaltungselementen, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung
144
Strahlungsgesteuerte Bauelemente
146
Strukturen für Bildaufnahmeeinheiten
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
31
Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
08
in denen die Strahlung den Stromfluss durch das Bauelement steuert, z.B. Fotowiderstände
10
gekennzeichnet durch wenigstens eine Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. Fototransistoren
H Elektrotechnik
04
Elektrische Nachrichtentechnik
N
Bildübertragung, z.B. Fernsehen
5
Einzelheiten von Fernsehsystemen
30
Umwandeln von Licht oder ähnlicher Information in elektrische Information
335
unter Verwendung von Festkörper- /Halbleiter-Bildsensoren [SSIS]
369
Festkörper- /Halbleiter-Bildsensor [SSIS]-Architektur, dazugehörige Schaltungen
374
Adressierte Sensoren, z.B. MOS- oder CMOS-Sensoren
H Elektrotechnik
04
Elektrische Nachrichtentechnik
N
Bildübertragung, z.B. Fernsehen
5
Einzelheiten von Fernsehsystemen
30
Umwandeln von Licht oder ähnlicher Information in elektrische Information
335
unter Verwendung von Festkörper- /Halbleiter-Bildsensoren [SSIS]
369
Festkörper- /Halbleiter-Bildsensor [SSIS]-Architektur, dazugehörige Schaltungen
378
Auslese-Schaltungen, z.B. Schaltungen für korrelierte Doppelabtastung [CDS], Ausgangsverstärker oder A/D-Wandler
Anmelder:
国立大学法人静岡大学 NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION SHIZUOKA UNIVERSITY [JP/JP]; 静岡県静岡市駿河区大谷836 836, Ohya, Suruga-ku, Shizuoka-shi, Shizuoka 4228529, JP
Erfinder:
川人 祥二 KAWAHITO Shoji; JP
徐 ▲みん▼雄 SEO Min-Woong; JP
安富 啓太 YASUTOMI Keita; JP
白川 雄也 SHIRAKAWA Yuya; JP
Vertreter:
鈴木 壯兵衞 SUZUKI Sohbe; JP
Prioritätsdaten:
2016-16416224.08.2016JP
2016-16416324.08.2016JP
Titel (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT AND SOLID-STATE IMAGE CAPTURING DEVICE
(FR) ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET DISPOSITIF DE CAPTURE D'IMAGE À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 光電変換素子及び固体撮像装置
Zusammenfassung:
(EN) Provided are a photoelectric conversion element capable of achieving simultaneously both a wide light receiving region and high speed transfer, and a solid-state image capturing device employing the photoelectric conversion element. This photoelectric conversion element is provided with: a first charge readout region (FD1), a second charge readout region (FD2), a third charge readout region (FD3),..., and an eighth charge readout region (FD8), provided in symmetrical positions with respect to the position of the center of a light receiving region (PD); and a first electric field control electrode (G1), a second electric field control electrode (G2), a third electric field control electrode (G3),..., and an eighth electric field control electrode (G8), which are disposed on either side of charge transport paths leading respectively from the position of the center of the light receiving region (PD) to the first charge readout region (FD1), the second charge readout region (FD2), the third charge readout region (FD3),..., and the eighth charge readout region (FD8), and which cause the depletion potentials of the charge transport paths and eight charge transfer channels (R1, R2, R3,..., R8) to change.
(FR) L'invention concerne un élément de conversion photoélectrique capable de réaliser simultanément à la fois une large région de réception de lumière et un transfert à grande vitesse, et un dispositif de capture d'image à semi-conducteur utilisant l'élément de conversion photoélectrique. Cet élément de conversion photoélectrique comprend : une première région de lecture de charge (FD1), une seconde région de lecture de charge (FD2), une troisième région de lecture de charge (FD3).., et une huitième région de lecture de charge (FD8), disposées dans des positions symétriques par rapport à la position du centre d'une région de réception de lumière (PD); et une première électrode de commande de champ électrique (G1), une deuxième électrode de commande de champ électrique (G2), une troisième électrode de commande de champ électrique (G3).., et une huitième électrode de commande de champ électrique (G8), qui sont disposées de chaque côté des trajets de transport de charge menant respectivement de la position du centre de la région de réception de lumière (PD) à la première région de lecture de charge (FD1), la deuxième région de lecture de charge (FD2), la troisième région de lecture de charge (FD3).., et la huitième région de lecture de charge (FD8), et qui provoquent le changement des potentiels d'appauvrissement des trajets de transport de charges et des huit canaux de transfert de charge (R1, R2, R3,..., R8).
(JA) 広い受光領域と高速転送を両立できる光電変換素子及びこの光電変換素子を用いた固体撮像装置を提供する。受光領域(PD)の中心位置に関して対称位置に設けられた第1電荷読出領域(FD1),第2電荷読出領域(FD2),第3電荷読出領域(FD3),……,第8電荷読出領域(FD8)と、受光領域(PD)の中心位置から第1電荷読出領域(FD1),第2電荷読出領域(FD2),第3電荷読出領域(FD3),……,第8電荷読出領域(FD8)のそれぞれに至る電荷輸送路の両側に配置され、電荷輸送路及び8本の電荷転送チャネル(R1,R2,R3,……,R8)の空乏化電位を変化させる第1電界制御電極(G1),第2電界制御電極(G2),第3電界制御電極(G3),……,第8電界制御電極(G8)と、を備える。
front page image
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Japanisch (JA)
Anmeldesprache: Japanisch (JA)