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1. (WO2018037907) FILM-FORMING APPARATUS, FILM-FORMING METHOD, AND SOLAR CELL PRODUCTION METHOD
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Veröff.-Nr.: WO/2018/037907 Internationale Anmeldenummer PCT/JP2017/028711
Veröffentlichungsdatum: 01.03.2018 Internationales Anmeldedatum: 08.08.2017
IPC:
C23C 14/34 (2006.01) ,C23C 14/04 (2006.01) ,C23C 14/56 (2006.01) ,H01L 21/203 (2006.01) ,H01L 31/0747 (2012.01) ,H01L 31/18 (2006.01)
C Chemie; Hüttenwesen
23
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Chemische Oberflächenbehandlung; Diffusionsbehandlung von metallischen Werkstoffen; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase; Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein
C
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe durch Diffusion in die Oberfläche, durch chemische Umwandlung oder Substitution; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben, durch Ionenimplantation oder durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase
14
Beschichten durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben oder durch Ionenimplantation des Beschichtungsmaterials
22
gekennzeichnet durch das Beschichtungsverfahren
34
durch Aufstäuben
C Chemie; Hüttenwesen
23
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Chemische Oberflächenbehandlung; Diffusionsbehandlung von metallischen Werkstoffen; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase; Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein
C
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe durch Diffusion in die Oberfläche, durch chemische Umwandlung oder Substitution; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben, durch Ionenimplantation oder durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase
14
Beschichten durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben oder durch Ionenimplantation des Beschichtungsmaterials
04
Beschichten ausgewählter Oberflächenbereiche, z.B. unter Verwendung von Masken
C Chemie; Hüttenwesen
23
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Chemische Oberflächenbehandlung; Diffusionsbehandlung von metallischen Werkstoffen; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase; Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein
C
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe durch Diffusion in die Oberfläche, durch chemische Umwandlung oder Substitution; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben, durch Ionenimplantation oder durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase
14
Beschichten durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben oder durch Ionenimplantation des Beschichtungsmaterials
22
gekennzeichnet durch das Beschichtungsverfahren
56
für kontinuierliches Beschichten besonders angepasste Vorrichtungen; Einrichtungen zur Aufrechterhaltung des Vakuums, z.B. Vakuumschleusen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18
Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
20
Ablagerung von Halbleitermaterialien auf einem Substrat, z.B. epitaxiales Aufwachsen
203
durch physikalische Ablagerung, z.B. Aufdampfen in Vakuum, Kathodenzerstäubung
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
31
Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
04
die für die Energie-Umwandlung eingerichtet sind
06
gekennzeichnet durch wenigstens eine Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht
072
wobei die Sperrschicht ausschließlich durch einen PN-Heteroübergang gebildet wird
0745
mit einem AIVBIV-Heteroübergang, z.B. Si/Ge-, SiGe/Si- oder Si/SiC-Solarzellen
0747
mit einem Heteroübergang zwischen kristallinen und amorphen Materialien, z.B. Heteroübergang mit dünner intrinsischer Schicht oder HIT-Solarzellen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
31
Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
18
Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon
Anmelder:
株式会社アルバック ULVAC, INC. [JP/JP]; 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500 2500, Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543, JP
Erfinder:
松崎 淳介 MATSUZAKI Junsuke; JP
高橋 明久 TAKAHASHI Hirohisa; JP
Vertreter:
阿部 英樹 ABE Hideki; JP
石島 茂男 ISHIJIMA Shigeo; JP
Prioritätsdaten:
2016-16444125.08.2016JP
Titel (EN) FILM-FORMING APPARATUS, FILM-FORMING METHOD, AND SOLAR CELL PRODUCTION METHOD
(FR) APPAREIL DE FORMATION DE FILM, PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE CELLULE SOLAIRE
(JA) 成膜装置及び成膜方法並びに太陽電池の製造方法
Zusammenfassung:
(EN) The present invention provides technology with which film formation can be performed inexpensively without generating short circuits between the sputtered films formed on the two sides of a substrate on which films are to be formed. In the present invention: a substrate holder 11 is conveyed by a first conveying section so as to pass through a first film-forming region in a substrate holder conveyance mechanism 3; a film is formed by sputtering on a first surface of a substrate 50 on which films are to be formed that is being held on the substrate holder 11; the substrate holder 11 is turned back and conveyed from the first conveying section to a second conveying section while maintaining vertical relationships; the substrate holder 11 is conveyed by a second conveying section in the direction opposite to the conveyance direction of the first conveying section so as to pass through a second film-forming region; and a film is formed by sputtering on the second surface of the substrate 50 on which films are being formed. The substrate holder 11 has openings 14 and 15 that expose the first and second surfaces of the substrates 50 on which films are being formed and is provided with masking parts 16 for shielding the edges of the substrates 50 on which films are being formed from the film-forming material from the second sputtering source.
(FR) La présente invention concerne une technologie grâce à laquelle une formation de film peut être réalisée de manière peu coûteuse sans générer de courts-circuits entre les films déposés par pulvérisation cathodique formés des deux côtés d'un substrat sur lequel des films doivent être formés. Selon la présente invention : un support de substrat (11) est transporté par une première section de transport de façon à passer à travers une première région de formation de film dans un mécanisme de transport de support de substrat (3); un film est formé par pulvérisation cathodique sur une première surface d'un substrat (50) sur lequel des films doivent être formés qui est maintenu sur le support de substrat (11); le support de substrat (11) est retourné et transporté de la première section de transport à une seconde section de transport tout en maintenant des relations verticales; le support de substrat (11) est transporté par une seconde section de transport dans la direction opposée à la direction de transport de la première section de transport de façon à passer à travers une seconde région de formation de film; et un film est formé par pulvérisation cathodique sur la seconde surface du substrat (50) sur lequel des films sont formés. Le support de substrat (11) possède des ouvertures (14) et (15) qui exposent les première et seconde surfaces des substrats (50) sur lesquels des films sont formés et est pourvu de parties de masquage (16) permettant de protéger les bords des substrats (50) sur lesquels des films sont formés à partir du matériau de formation de film à partir de la seconde source de pulvérisation cathodique.
(JA) 本発明は、成膜対象基板の両面側に形成されるスパッタ膜同士の短絡を発生させることなく安価に成膜を行うことができる技術を提供する。本発明では、基板保持器搬送機構3において、第1の搬送部によって基板保持器11を第1の成膜領域を通過するように搬送し、基板保持器11に保持された成膜対象基板50の第1面上にスパッタによって成膜を行い、基板保持器11を上下関係を維持した状態で第1の搬送部から第2の搬送部に向って折り返して搬送し、第2の搬送部によって基板保持器11を第2の成膜領域を通過するように第1の搬送部の搬送方向と反対方向に搬送し、成膜対象基板50の第2面上にスパッタによる成膜を行う。基板保持器11は、成膜対象基板50の第1及び第2面が露出する開口部14、15を有するとともに、成膜対象基板50の縁部に対する第2のスパッタ源からの成膜材料を遮蔽する遮蔽部16が設けられている。
front page image
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Japanisch (JA)
Anmeldesprache: Japanisch (JA)