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1. (WO2018036769) OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP, VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS UND SCHEINWERFER MIT EINEM OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIP

Pub. No.:    WO/2018/036769    International Application No.:    PCT/EP2017/069534
Publication Date: Fri Mar 02 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Thu Aug 03 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 33/50
H01L 27/15
H01L 33/58
H01L 33/08
Applicants: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventors: GÖÖTZ, Britta
LINKOV, Alexander
Title: OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP, VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS UND SCHEINWERFER MIT EINEM OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIP
Abstract:
Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip mit den folgenden Merkmalen angegeben: -einer Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer Vielzahl an Pixeln (3), die eine aktive Schicht (2) aufweist, die zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs geeignet ist, und -einer Vielzahl an Konversionselementen (6), wobei -jedes Konversionselement (6) dazu geeignet ist, Strahlung des ersten Wellenlängenbereichs in Strahlung eines zweiten Wellenlängenbereichs umzuwandeln, -jedes Pixel (3) eine Strahlungsaustrittsfläche (5) aufweist und auf jeder Strahlungsaustrittsfläche (5) ein Konversionselement (6) angeordnet ist, und -jedes Konversionselement (6) in einem zentralen Bereich eine größere Dicke aufweist, als in einem Randbereich. Weiterhin werden ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips und ein Scheinwerfer mit einem optoelektronischen Halbleiterchip angegeben.