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1. (WO2018030236) DEPOSIT REMOVING METHOD
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Veröff.-Nr.: WO/2018/030236 Internationale Anmeldenummer PCT/JP2017/028071
Veröffentlichungsdatum: 15.02.2018 Internationales Anmeldedatum: 02.08.2017
IPC:
H01L 21/31 (2006.01) ,B24C 1/08 (2006.01) ,B24C 11/00 (2006.01) ,C23C 16/44 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18
Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
30
Behandlung von Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht von H01L21/20-H01L21/26152
31
zur Bildung isolierender Schichten auf Halbleiterkörpern, z.B. für Maskierungszwecke oder bei Verwendung fotolithografischer Techniken; Nachbehandlung dieser Schichten; Auswahl von Materalien für diese Schichten
B Arbeitsverfahren; Transportieren
24
Schleifen; Polieren
C
Abschleifendes oder ähnliches Abstrahlen mit teilchenförmigem Werkstoff
1
Schleuderstrahlverfahren zum Erzeugen besonderer Wirkungen; Hilfseinrichtungen in Verbindung mit diesen Verfahren
08
zum Polieren von Oberflächen, z.B. durch Druckstrahlläppen
B Arbeitsverfahren; Transportieren
24
Schleifen; Polieren
C
Abschleifendes oder ähnliches Abstrahlen mit teilchenförmigem Werkstoff
11
Auswahl von Strahlmitteln für das Schleuderstrahlen
C Chemie; Hüttenwesen
23
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Chemische Oberflächenbehandlung; Diffusionsbehandlung von metallischen Werkstoffen; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase; Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein
C
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe durch Diffusion in die Oberfläche, durch chemische Umwandlung oder Substitution; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben, durch Ionenimplantation oder durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase
16
Chemisches Beschichten durch Zersetzen gasförmiger Verbindungen ohne Verbleiben von Reaktionsprodukten des Oberflächenmaterials im Überzug, d.h. Verfahren zur chemischen Abscheidung aus der Dampfphase [chemical vapour deposition = CVD]
44
gekennzeichnet durch das Beschichtungsverfahren
Anmelder:
新東工業株式会社 SINTOKOGIO, LTD. [JP/JP]; 愛知県名古屋市中村区名駅三丁目28番12号 28-12, Meieki 3-chome, Nakamura-ku, Nagoya-shi, Aichi 4506424, JP
Erfinder:
西嶋 仁 NISHIJIMA Hitoshi; JP
澁谷 紀仁 SHIBUYA Norihito; JP
Vertreter:
田中 伸一郎 TANAKA Shinichiro; JP
弟子丸 健 DESHIMARU Takeshi; JP
▲吉▼田 和彦 YOSHIDA Kazuhiko; JP
松下 満 MATSUSHITA Mitsuru; JP
倉澤 伊知郎 KURASAWA Ichiro; JP
山本 泰史 YAMAMOTO Yasufumi; JP
Prioritätsdaten:
2016-15624509.08.2016JP
2017-05221917.03.2017JP
2017-05222017.03.2017JP
Titel (EN) DEPOSIT REMOVING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE RETRAIT DE DÉPÔTS
(JA) 付着物除去方法
Zusammenfassung:
(EN) Provided is a method for efficiently removing deposits including hard deposits adhered to a jig in a film-forming process using crystal growth while suppressing the damage to the jig. This deposit removing method includes: a step of preparing a spray material having a lower hardness than the jig; a step of spraying the spray material toward the jig; and a step of forming a breaking start point at a crystal grain boundary of the deposit when the spray material collides with the jig, and detaching the deposit from the crystal grain boundary by allowing the spray material to further collide with the jig.
(FR) L'invention concerne un procédé de retrait efficace de dépôts incluant des dépôts durs collés à un bâti dans un processus de formation de pellicule utilisant la croissance de cristaux tout en évitant d'endommager le bâti. Ce procédé de retrait de dépôts consiste : en une étape de préparation d'un matériau de pulvérisation dont la dureté est inférieure à celle du bâti; en une étape de pulvérisation du matériau de pulvérisation vers le bâti; et en une étape de formation d'un point de départ de rupture à une limite de grains de cristaux du dépôt lorsque le matériau de pulvérisation entre en collision avec le bâti, et de détachement du dépôt de la limite de grains de cristaux en permettant au matériau de pulvérisation d'entrer encore en collision avec le bâti.
(JA) 結晶成長による成膜プロセスにおいて治具に付着する付着物を、治具の損傷を低減し、効率よく硬質の付着物の除去する方法を提供する。 この付着物除去方法は、前記治具より硬度が低い噴射材を用意する工程と、前記噴射材を前記治具に向けて噴射する工程と、前記噴射材が前記治具に衝突したときに前記付着物の結晶粒界で破壊の起点を形成し、前記噴射材をさらに衝突させて前記付着物を結晶粒界で脱離させる工程と、を含む。
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Veröffentlichungssprache: Japanisch (JA)
Anmeldesprache: Japanisch (JA)