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1. (WO2018024698) KONDITIONIERVERFAHREN FÜR EINEN CVD-REAKTOR
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Veröff.-Nr.: WO/2018/024698 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2017/069373
Veröffentlichungsdatum: 08.02.2018 Internationales Anmeldedatum: 01.08.2017
IPC:
C23C 16/44 (2006.01) ,C23C 26/00 (2006.01) ,H01L 31/18 (2006.01)
Anmelder: AIXTRON SE[DE/DE]; Dornkaulstraße 2 52134 Herzogenrath, DE
Erfinder: LAUFFER, Peter Sebald; DE
Vertreter: GRUNDMANN, Dirk; DE
MÜLLER, Enno; DE
RIEDER, Hans-Joachim; DE
BRÖTZ, Helmut; DE
BOURREE, Hendrik; DE
Prioritätsdaten:
10 2016 114 183.601.08.2016DE
10 2016 118 345.828.09.2016DE
Titel (EN) CONDITIONING METHOD FOR A CVD REACTOR
(FR) PROCÉDÉ DE PRÉPARATION D’UN RÉACTEUR DE DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR
(DE) KONDITIONIERVERFAHREN FÜR EINEN CVD-REAKTOR
Zusammenfassung: front page image
(EN) The invention relates to a method for preparing a CVD reactor for the deposition of semiconductor layers, in which, in at least one conditioning step for a respective first treatment (t1), an organometallic compound together with a carrier gas is brought into contact with the surface of the metal part (3), an exchange reaction takes place between a metal component of the metal part (3) and the metal component of the organometallic compound, and then for a second period of treatment (t2), a reactive gas is brought into contact with the surface of the metal component (3) and reacts thereon with the exchanged metal component of the metal part (3).
(FR) L’invention concerne un procédé de préparation d’un réacteur de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) aux fins de dépôt de couches semiconductrices ; lors d’au moins une étape de préparation, respectivement pendant un temps de traitement (t1), une liaison organométallique est amenée, conjointement avec un gaz vecteur, en contact avec la surface de l’élément métallique (3), là se produit alors une réaction d’échange entre un constituant métallique de l’élément structural métallique (3) et le constituant métallique de la liaison organométallique ; puis, pendant un deuxième temps de traitement (t2), un gaz réactif est amené en contact avec la surface de l’élément structural métallique (3) où il réagit avec le constituant métallique, échangé, de l’élément structural métallique (3).
(DE) Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Vorbereiten eines CVD-Reaktors zum Abscheiden von Halbleiterschichten, wobei in mindestens einem Konditionier- schritt jeweils für ein erste Behandlung (t1) eine metallorganische Verbindung zusammen mit einem Trägergas in Kontakt zur Oberfläche des Metallbauteils (3) gebracht wird, wobei dort eine Austauschreaktion zwischen einer Metall- komponente des Metallbauteiles (3) und der Metallkomponente der metallor- ganischen Verbindung stattfindet, und anschließend für eine zweite Behand- lungsdauer (t2) ein reaktives Gas in Kontakt zur Oberfläche des Metallbauteils (3) gebracht wird, welches dort mit der ausgetauschten Metallkomponente des Metallbauteils (3) reagiert.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)