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1. (WO2018024544) VERPOLSCHUTZSCHALTUNG
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Veröff.-Nr.: WO/2018/024544 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2017/068770
Veröffentlichungsdatum: 08.02.2018 Internationales Anmeldedatum: 25.07.2017
IPC:
H02H 11/00 (2006.01)
Anmelder: CONTINENTAL AUTOMOTIVE GMBH[DE/DE]; Vahrenwalder Straße 9 30165 Hannover, DE
Erfinder: CHRIST, Dominic; DE
Prioritätsdaten:
10 2016 214 285.202.08.2016DE
Titel (EN) REVERSE POLARITY PROTECTION CIRCUIT
(FR) CIRCUIT DE PROTECTION CONTRE DES INVERSIONS DE POLARITÉ
(DE) VERPOLSCHUTZSCHALTUNG
Zusammenfassung: front page image
(EN) The invention relates to a reverse polarity protection circuit, to a device having such a reverse polarity protection circuit, and to a method for operating said reverse polarity protection circuit. The reverse polarity protection circuit has a MOSFET (1) and a blocking circuit, which blocks the MOSFET (1) in the event of reverse polarity. According to the invention, the blocking circuit of the reverse polarity protection circuit has a detector (2) for detecting when the voltage at the source connection (11) of the MOSFET (1) falls below the voltage at the drain connection (12) of the MOSFET. Furthermore, the blocking circuit has a quick-break switch (3) for blocking the MOSFET (1) when the falling below of voltage is detected, a comparator (5) for comparing the voltages at the source connection (11) and drain connection (12) of the MOSFET (1) after the falling below of voltage is detected, wherein the output of the comparator (5) is connected to the gate connection (13) of the MOSFET (1), a boost converter (6), a buck converter (7), and a charge pump (9) for supplying voltage, and a switch (44) for switching off the comparator (5).
(FR) L'invention concerne un circuit de protection contre des inversions de polarité, un appareil équipé d’un circuit de ce genre, et son procédé de fonctionnement. Le circuit de protection contre des inversions de polarité comprend un MOSFET (1) et un circuit de blocage qui bloque le MOSFET (1) dans le cas d’une inversion de polarité. Selon l’invention, le circuit de blocage comprend un détecteur (2) destiné à la détection de la chute de la tension à la borne Source (11) du MOSFET (1) en dessous de la tension sur la borne Drain (12) de ce dernier. Ledit circuit de blocage comprend en outre : un disjoncteur rapide (3) destiné au blocage du MOSFET (1) lors de ladite chute de tension détectée ; un comparateur (5) destiné à la comparaison des tensions présentes à la borne Source (11) et à la borne Drain (12) du MOSFET (1) après ladite chute de tension détectée, la sortie du comparateur (5) étant reliée à la borne Grille (13) du MOSFET (1) ; un convertisseur ascendant (6), un convertisseur descendant (7) ; une pompe de charge (9) pour l’alimentation électrique ; et un commutateur (44) destiné à la mise hors tension du comparateur (5).
(DE) Die vorliegende Erfindung betrifft eine Verpolschutzschaltung, ein Gerät mit einer solchen und ein Verfahren zu deren Betrieb. Die Verpolschutzschaltung weist einen MOSFET (1) und eine Sperrschaltung auf, die den MOSFET (1) im Fall einer Verpolung sperrt. Erfindungsgemäß weist die Sperrschaltung der Verpolschutzschaltung einen Detektor (2) auf zum Detektieren einer Unterschreitung der Spannung am Source-Anschluss (11) des MOSFET (1) unter die Spannung an dessen Drain-Anschluss (12). Weiterhin weist sie einen Schnellabschalter (3) zum Sperren des MOSFET (1) bei detektierter Spannungsunterschreitung auf, einen Komparator (5) zum Vergleichen der an Source-Anschluss (11) und Drain-Anschluss (12) des MOSFET (1) anliegenden Spannungen nach detektierter Spannungsunterschreitung, wobei der Ausgang des Komparators (5) mit dem Gate-Anschluss (13) des MOSFET (1) verbunden ist, einen Aufwärtswandler (6), einen Abwärtswandler (7) und eine Ladungspumpe (9) zur Spannungsversorgung, und einen Schalter (44) zum Ausschalten des Komparators (5).
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)