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1. (WO2018024183) METHOD FOR PREPARING THREE-DIMENSIONAL GRAPHENE/MOS2 COMPOSITE MATERIAL
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TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2018/024183    Internationale Anmeldenummer    PCT/CN2017/095365
Veröffentlichungsdatum: 08.02.2018 Internationales Anmeldedatum: 01.08.2017
IPC:
H01G 11/30 (2013.01)
Anmelder: XIFENG 2D (FUJIAN) MATERIAL TECHNOLOGY COMPANY LTD [CN/CN]; Dongjing No.2 Road Dongyuan, Tanwannes Investment Zone Quanzhou, Fujian 362000 (CN)
Erfinder: YANG, Yuchang; (CN)
Prioritätsdaten:
201610622616.1 01.08.2016 CN
Titel (EN) METHOD FOR PREPARING THREE-DIMENSIONAL GRAPHENE/MOS2 COMPOSITE MATERIAL
(FR) PROCÉDÉ DE PRÉPARATION D'UN MATÉRIAU COMPOSITE DE GRAPHÈNE/MOS2 TRIDIMENSIONNEL
(ZH) 一种三维石墨烯/MoS2复合材料的制备方法
Zusammenfassung: front page image
(EN)A method for preparing a three-dimensional graphene/MoS2 composite material. The method comprises the steps of: 1) preparing three-dimensional graphene; 2) preparing a reaction solution: preparing a molybdate and deionized solution, then adding thioacetamide into the reaction solution, and forming a homogeneous solution after full dissolution; and 3) carrying out a hydrothermal reaction and annealing: dipping the three-dimensional graphene into the reaction solution, and allowing the reaction solution to be subjected to a hydrothermal reaction; after the reaction ends, taking out the three-dimensional graphene, and repeatedly rinsing the three-dimensional graphene; and placing the rinsed three-dimensional graphene into an environment fully protected by an inert gas, and carrying out annealing, so as to obtain the MoS2 composite material uniformly-carried on the surface of the three-dimensional graphene. The specific surface area of the three-dimensional graphene used in the method is hundreds of thousands of times higher that of two-dimensional graphene; on the composite material prepared by using the three-dimensional graphene, MoS2 is uniformly distributed on the surface of the three-dimensional graphene, thereby proving good dispersibility; MoS2 nano particles are prevented from being aggregated during a cycling process, and the restacking of the graphene is also effectively prevented, thereby improving the cycling stability.
(FR)L'invention concerne un procédé de préparation d'un matériau composite de graphène/MoS2 tridimensionnel. Le procédé consiste : 1) à préparer du graphène tridimensionnel; 2) à préparer une solution de réaction : à préparer un molybdate et une solution désionisée, puis à ajouter du thioacétamide dans la solution de réaction, et à former une solution homogène après dissolution complète; et 3) à effectuer une réaction hydrothermique et un recuit : à immerger le graphène tridimensionnel dans la solution de réaction, et à amener la solution de réaction en réaction hydrothermique; une fois la réaction achevée, à retirer le graphène tridimensionnel, et à rincer à plusieurs reprises le graphène tridimensionnel; et à placer le graphène tridimensionnel rincé dans un environnement entièrement protégé par un gaz inerte, et à effectuer un recuit, afin d'obtenir le matériau composite MoS2 uniformément réparti sur la surface du graphène tridimensionnel. La surface spécifique du graphène tridimensionnel utilisé dans le procédé est des centaines de milliers de fois supérieure à la surface spécifique du graphène bidimensionnel; sur le matériau composite préparé à l'aide du graphène tridimensionnel, le MoS2 est uniformément réparti sur la surface du graphène tridimensionnel, ce qui permet d'obtenir une bonne dispersibilité; des nanoparticules MoS2 ne peuvent pas être agglomérées pendant un processus de cyclage, et le réempilement du graphène est efficacement empêché, ce qui permet d'améliorer la stabilité du cyclage.
(ZH)一种三维石墨烯/MoS2复合材料的制备方法,所述方法包括步骤:1)制备三维石墨烯;2)配制反应溶液:配置钼酸盐和去离子溶液,然后再往溶液中加入硫代乙酰胺,充分溶解后形成均匀的反应溶液;3)水热反应及退火:将三维石墨烯浸渍到反应溶液中,将反应溶液进行水热反应;反应结束后,取出三维石墨烯反复漂洗;漂洗后将三维石墨烯放入充满惰性气体保护的环境中,进行退火,得到三维石墨烯表面上均匀负载MoS2的复合材料。本方法中采用的三维石墨烯,其比表面积比二维石墨烯高出几十万倍,用其制备的复合材料,MoS2均匀分布于三维石墨烯表面,分散性好,既避免了MoS2纳米粒子在循环过程中聚集,也有效防止石墨烯的重堆积,提高了循环稳定性。
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: Chinese (ZH)
Anmeldesprache: Chinese (ZH)