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1. (WO2018019846) STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP, VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER VIELZAHL STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIPS, STRAHLUNGSEMITTIERENDES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES STRAHLUNGSEMITTIERENDEN BAUELEMENTS
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TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2018/019846    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2017/068791
Veröffentlichungsdatum: 01.02.2018 Internationales Anmeldedatum: 25.07.2017
IPC:
H01L 33/46 (2010.01), H01L 33/00 (2010.01), H01L 33/60 (2010.01), H01L 33/50 (2010.01)
Anmelder: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg (DE)
Erfinder: TÅNGRING, Ivar; (DE).
PERZLMAIER, Korbinian; (DE)
Vertreter: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München (DE)
Prioritätsdaten:
10 2016 113 969.6 28.07.2016 DE
Titel (DE) STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP, VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER VIELZAHL STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIPS, STRAHLUNGSEMITTIERENDES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES STRAHLUNGSEMITTIERENDEN BAUELEMENTS
(EN) RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR CHIP, METHOD FOR PRODUCING A PLURALITY OF RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR CHIPS, RADIATION-EMITTING COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING A RADIATION-EMITTING COMPONENT
(FR) PUCE SEMI-CONDUCTRICE ÉMETTRICE DE RAYONNEMENT, PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE PLURALITÉ DE PUCES SEMI-CONDUCTRICES ÉMETTRICE DE RAYONNEMENT, COMPOSANT ÉMETTEUR DE RAYONNEMENT ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN COMPOSANT ÉMETTEUR DE RAYONNEMENT
Zusammenfassung: front page image
(DE)Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip (10) mit den folgenden Merkmalen angegeben: - einer Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Schicht (4), die dazu geeignet ist, elektromagnetische Strahlung zu erzeugen, und - einem Substrat (11), auf dem die Halbleiterschichtenfolge (2) angeordnet ist und das transparent für die in der aktiven Schicht (4) erzeugte elektromagnetische Strahlung ist, - eine reflektierende Schicht (9), die auf einer Hauptfläche des Substrats (11) angeordnet ist, die von der Halbleiterschichtenfolge (2) abgewandt ist, wobei die reflektierende Schicht (9) aus einem Harz gebildet ist, in das reflektierende Partikeln eingebettet sind. Weiterhin werden ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl strahlungsemittierender Halbleiterchips (10), ein Strahlungsemittierendes Bauelement und ein Verfahren zur Herstellung eines Strahlungsemittierenden Bauelements angegeben.
(EN)The invention relates to a radiation-emitting semiconductor chip (10) with the following features: a semiconductor layer sequence (2) with an active layer (4) which is suitable for generating electromagnetic radiation; a substrate (11) on which the semiconductor layer sequence (2) is arranged, and which is transparent for the electromagnetic radiation generated in the active layer (4); and a reflective layer (9) which is arranged on a main surface area of the substrate (11), which is facing away from the semiconductor layer sequence (2), wherein the reflective layer (9) is made of a resin in which reflective particles are embedded. The invention also relates to a method for producing a plurality of radiation-emitting semiconductor chips (10), a radiation-emitting component and a method for producing a radiation-emitting component.
(FR)L'invention concerne une puce semi-conductrice (10) émettrice de rayonnement présentant les caractéristiques suivantes : une séquence de couches semi-conductrices (2) présentant une couche active (4), destinée à produire un rayonnement électromagnétique ainsi qu'un substrat (11) sur lequel est disposée la une séquence de couches semi-conductrices (2) et qui est transparent pour le rayonnement électromagnétique produit dans la couche active (4), une couche réfléchissante (9) qui est ménagée sur une surface principale du substrat (11) et se situe à l'opposé de la séquence de couches semi-conductrices (2), la couche réfléchissante (9) se composant d'une résine dans laquelle sont incorporées des particules réfléchissantes. L'invention concerne en outre un procédé de production d'une pluralité de puces semi-conductrices (10) émettrices de rayonnement, un composant émetteur de rayonnement et un procédé pour produire un composant émetteur de rayonnement.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)