(DE) In einer Ausführungsform umfasst die Halbleiterschichtenfolge (1) einen n-leitenden n-Bereich (2) und einen p-leitenden p-Bereich (5) sowie eine dazwischenliegende aktive Zone (4). Die aktive Zone (4) beinhaltet mindestens einen Quantentopf (41) und ist dazu eingerichtet, eine Strahlung zu erzeugen. Die Halbleiterschichtenfolge (1) ist aus dem Materialsystem A1InGaN und der n-Bereich (2) umfasst ein Übergitter (20). Das Übergitter (20) weist eine sich mindestens dreimal wiederholende Struktureinheit (25) auf. Dabei ist die Struktureinheit (25) aus mindestens einer A1GaN-Schicht (21), mindestens einer GaN-Schicht (22, 24) und mindestens einer InGaN-Schicht (23) gebildet. Eine Dicke der Struktureinheit (25) liegt zwischen einschließlich 2 nm und 15 nm.
(EN) The invention relates to a semiconductor layer sequence (1), which, in one embodiment, comprises an n-conducting n-region (2) and a p-conducting p-region (5), and an active zone (4) therebetween. The active zone (4) has at least one quantum well (41) and is designed to generate a radiation. The semiconductor layer sequence (1) is composed of the material system A1InGaN, and the n-region (2) comprises a superlattice (20). The superlattice (20) has a structural unit (25), which is repeated at least three times. The structural unit (25) is thereby composed of at least one A1GaN layer (21), at least one GaN layer (22, 24), and at least one InGaN layer (23). A thickness of the structural unit (25) is inclusively between 2 nm and 15 nm.
(FR) Dans un mode de réalisation, la série de couches semi-conductrices (1) présente une zone n (2) à conduction n et une zone p (5) à conduction p séparées par une zone active (4). La zone active (4) comprend au moins un puits quantique (41) est conçue pour produire un rayonnement. La série de couches semi-conductrices (1) se compose du système de matière AlInGaN et la zone n (2) comprend une superstructure (20). La superstructure (20) présente une unité structurale (25) qui se répète au moins trois fois. Selon l’invention, l’unité structurale (25) est formée à partir d’au moins une couche de AlGaN (21), d’au moins une couche de GaN (22, 24) et d’au moins une couche de InGaN (23). L’épaisseur de l’unité structurale (25) vaut entre 2 nm et 15 nm.
