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1. WO2018007427 - HALBLEITERSCHICHTENFOLGE

Veröffentlichungsnummer WO/2018/007427
Veröffentlichungsdatum 11.01.2018
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2017/066725
Internationales Anmeldedatum 05.07.2017
IPC
H01L 33/04 2010.1
HSektion H Elektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02charakterisiert durch den Halbleiterkörper
04mit Quanteneffektstruktur oder Übergitterstruktur, z.B. Tunnelübergang
H01L 33/32 2010.1
HSektion H Elektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02charakterisiert durch den Halbleiterkörper
26Materialien des lichtemittierenden Bereichs
30nur Elemente der Gruppen III und V des Periodensystems enthaltend
32Stickstoff enthaltend
H01L 33/06 2010.1
HSektion H Elektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02charakterisiert durch den Halbleiterkörper
04mit Quanteneffektstruktur oder Übergitterstruktur, z.B. Tunnelübergang
06innerhalb des lichtemittierenden Bereichs, z.B. Quantum-Confinement-Struktur oder Tunnelbarriere
CPC
H01L 33/0025
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
0004Devices characterised by their operation
002having heterojunctions or graded gap
0025comprising only AIIIBV compounds
H01L 33/04
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
04with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
H01L 33/06
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
04with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
06within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
H01L 33/32
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
26Materials of the light emitting region
30containing only elements of group III and group V of the periodic system
32containing nitrogen
Anmelder
  • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE]/[DE]
Erfinder
  • BERGBAUER, Werner
Vertreter
  • EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH
Prioritätsdaten
10 2016 112 294.705.07.2016DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (de)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) HALBLEITERSCHICHTENFOLGE
(EN) SEMICONDUCTOR LAYER SEQUENCE
(FR) SÉRIE DE COUCHES SEMI-CONDUCTRICES
Zusammenfassung
(DE) In einer Ausführungsform umfasst die Halbleiterschichtenfolge (1) einen n-leitenden n-Bereich (2) und einen p-leitenden p-Bereich (5) sowie eine dazwischenliegende aktive Zone (4). Die aktive Zone (4) beinhaltet mindestens einen Quantentopf (41) und ist dazu eingerichtet, eine Strahlung zu erzeugen. Die Halbleiterschichtenfolge (1) ist aus dem Materialsystem A1InGaN und der n-Bereich (2) umfasst ein Übergitter (20). Das Übergitter (20) weist eine sich mindestens dreimal wiederholende Struktureinheit (25) auf. Dabei ist die Struktureinheit (25) aus mindestens einer A1GaN-Schicht (21), mindestens einer GaN-Schicht (22, 24) und mindestens einer InGaN-Schicht (23) gebildet. Eine Dicke der Struktureinheit (25) liegt zwischen einschließlich 2 nm und 15 nm.
(EN) The invention relates to a semiconductor layer sequence (1), which, in one embodiment, comprises an n-conducting n-region (2) and a p-conducting p-region (5), and an active zone (4) therebetween. The active zone (4) has at least one quantum well (41) and is designed to generate a radiation. The semiconductor layer sequence (1) is composed of the material system A1InGaN, and the n-region (2) comprises a superlattice (20). The superlattice (20) has a structural unit (25), which is repeated at least three times. The structural unit (25) is thereby composed of at least one A1GaN layer (21), at least one GaN layer (22, 24), and at least one InGaN layer (23). A thickness of the structural unit (25) is inclusively between 2 nm and 15 nm.
(FR) Dans un mode de réalisation, la série de couches semi-conductrices (1) présente une zone n (2) à conduction n et une zone p (5) à conduction p séparées par une zone active (4). La zone active (4) comprend au moins un puits quantique (41) est conçue pour produire un rayonnement. La série de couches semi-conductrices (1) se compose du système de matière AlInGaN et la zone n (2) comprend une superstructure (20). La superstructure (20) présente une unité structurale (25) qui se répète au moins trois fois. Selon l’invention, l’unité structurale (25) est formée à partir d’au moins une couche de AlGaN (21), d’au moins une couche de GaN (22, 24) et d’au moins une couche de InGaN (23). L’épaisseur de l’unité structurale (25) vaut entre 2 nm et 15 nm.
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