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1. (WO2018003657) ELASTIC WAVE DEVICE
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Veröff.-Nr.: WO/2018/003657 Internationale Anmeldenummer PCT/JP2017/023045
Veröffentlichungsdatum: 04.01.2018 Internationales Anmeldedatum: 22.06.2017
IPC:
H03H 9/145 (2006.01) ,H03H 9/25 (2006.01)
H Elektrotechnik
03
Grundlegende elektronische Schaltkreise
H
Scheinwiderstandsnetzwerke, z.B. Resonanzkreise; Resonatoren
9
Netzwerke mit elektromechanischen oder elektroakustischen Bauelementen; elektromechanische Resonatoren
02
Einzelheiten
125
Vorrichtungen zum Antreiben, z.B. Elektroden, Spulen
145
für Netzwerke, die akustische Oberflächenwellen verwenden
H Elektrotechnik
03
Grundlegende elektronische Schaltkreise
H
Scheinwiderstandsnetzwerke, z.B. Resonanzkreise; Resonatoren
9
Netzwerke mit elektromechanischen oder elektroakustischen Bauelementen; elektromechanische Resonatoren
25
Bauliche Details von Resonatoren, die akustische Oberflächenwellen verwenden
Anmelder:
株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 京都府長岡京市東神足1丁目10番1号 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555, JP
Erfinder:
紺野 彰 KONNO, Akira; JP
Vertreter:
特許業務法人 宮▲崎▼・目次特許事務所 MIYAZAKI & METSUGI; 大阪府大阪市中央区常盤町1丁目3番8号 中央大通FNビル Chuo Odori FN Bldg., 3-8, Tokiwamachi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400028, JP
Prioritätsdaten:
2016-12791128.06.2016JP
Titel (EN) ELASTIC WAVE DEVICE
(FR) DISPOSITIF À ONDE ÉLASTIQUE
(JA) 弾性波装置
Zusammenfassung:
(EN) Provided is an elastic wave device capable of reducing a spurious component caused by a high-order mode of an elastic wave such as a Rayleigh wave. The elastic wave device 1 is provided with an IDT electrode 3 and an insulating film 6 disposed on a piezoelectric substrate 2 serving as a device substrate. When one end of an intersection region of the IDT electrode 3 in an elastic wave propagation direction is defined as a first end 3a, and the other end as a second end 3b, the thickness of the insulating film 6 decreases or increases toward the center in the elastic wave propagation direction from the first end 3a and the second end 3b.
(FR) L'invention concerne un dispositif à onde élastique capable de réduire une composante parasite provoquée par un mode d'ordre élevé d'une onde élastique telle qu'une onde de Rayleigh. Le dispositif à onde élastique (1) est pourvu d'une électrode IDT (3) et d'un film isolant (6) disposé sur un substrat piézoélectrique (2) faisant office de substrat de dispositif. Lorsqu'une extrémité d'une région d'intersection de l'électrode IDT (3) dans une direction de propagation d'onde élastique est définie en tant que première extrémité (3a) et l'autre extrémité en tant que deuxième extrémité (3b), l'épaisseur du film isolant (6) diminue ou augmente vers le centre dans la direction de propagation de l'onde élastique à partir de la première extrémité (3a) et de la deuxième extrémité (3b).
(JA) レイリー波などの弾性波の高次モードによるスプリアスを小さくし得る弾性波装置を提供する。 素子基板としての圧電基板2上にIDT電極3及び絶縁膜6が設けられている弾性波装置1。IDT電極3の交差領域上において、弾性波伝搬方向一端を第1の端部3a、他端を第2の端部3bとした場合に、第1の端部3a及び第2の端部3bから、弾性波伝搬方向中央に向かうにつれて、絶縁膜6の厚みが薄くまたは厚くなっている。
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Afrikanische regionale Organisation für geistiges Eigentum (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Veröffentlichungssprache: Japanisch (JA)
Anmeldesprache: Japanisch (JA)
Auch veröffentlicht als:
KR1020180122007CN109417371