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1. (WO2017215910) OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten    Einwendung einreichen

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2017/215910    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2017/063033
Veröffentlichungsdatum: 21.12.2017 Internationales Anmeldedatum: 30.05.2017
IPC:
H01L 33/44 (2010.01), H01L 33/38 (2010.01)
Anmelder: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg (DE)
Erfinder: PFEUFFER, Alexander F.; (DE)
Vertreter: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München (DE)
Prioritätsdaten:
10 2016 111 113.9 17.06.2016 DE
Titel (DE) OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT
(EN) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) mit einem Halbleiterkörper (2) angegeben, wobei • - der Halbleiterkörper eine Halbleiterschichtenfolge mit einer ersten Halbleiterschicht (21), einer zweiten Halbleiterschicht (22) und einem zwischen der ersten Halbleiterschicht und der zweiten Halbleiterschicht angeordneten, zur Erzeugung oder zum Empfangen von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) aufweist; • - der Halbleiterkörper einen Funktionsbereich (24) aufweist, in dem die erste Halbleiterschicht mit einer ersten Anschlussschicht und die zweite Halbleiterschicht mit einer zweiten Anschlussschicht elektrisch leitend verbunden sind; • - auf einer dem Halbleiterkörper abgewandten Seite der ersten Anschlussschicht eine Isolationsschicht (4) angeordnet ist; • - in der Isolationsschicht eine Unterbrechung (45) ausgebildet ist, die einen inneren Teilbereich (41) der Isolationsschicht in lateraler Richtung zumindest stellenweise begrenzt; • - die Unterbrechung den Funktionsbereich in lateraler Richtung umläuft; und • - die Unterbrechung in Draufsicht auf das Halbleiterbauelement mit dem aktiven Bereich überlappt.
(EN)The invention relates to an optoelectronic semiconductor component (1) having a semiconductor body (2), wherein the semiconductor body has a semiconductor layer sequence having a first semiconductor layer (21), a second semiconductor layer (22), and an active region (20), which is arranged between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer and is provided for producing or receiving radiation; the semiconductor body has a functional region (24), in which the first semiconductor layer is connected to a first connection layer in an electrically conductive manner and the second semiconductor layer is connected to a second connection layer in an electrically conductive manner; an insulation layer (4) is arranged on a side of the first connection layer facing away from the semiconductor body; an interruption (45) is formed in the insulation layer, which interruption bounds an inner partial region (41) of the insulation layer in the lateral direction at least in some locations; the interruption extends around the functional region in the lateral direction; and the interruption overlaps with the active region in a top view of the semiconductor component.
(FR)L'invention concerne un composant semi-conducteur optoélectronique (1) pourvu d'un corps semi-conducteur (2), caractérisé en ce que : le corps semi-conducteur comprend une suite de couches semi-conductrices composée d'une première couche semi-conductrice (21), d'une seconde couche semi-conductrice (22) et d'une zone active (20) destinée à la génération ou à la réception d'un rayonnement et disposée entre la première couche semi-conductrice et la seconde semi-conductrice; le corps semi-conducteur comprend une zone fonctionnelle (24) dans laquelle la première couche semi-conductrice et la seconde couche semi-conductrice sont reliées de manière électroconductrice respectivement à une première couche de branchement et à une seconde couche de branchement; une couche d'isolation (4) est disposée sur une face, opposée au corps semi-conducteur, de la première couche de branchement; dans la couche d'isolation est formée une discontinuité (45) qui délimite une sous-zone interne (41) de la couche d'isolation au moins par endroits dans la direction latérale; la discontinuité entoure la zone fonctionnelle dans la direction latérale; et sur une vue de dessus du composant semi-conducteur, la discontinuité recouvre en partie la zone active.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)