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1. (WO2017215710) HALBLEITER-BAUELEMENT MIT VORDER- UND RÜCKSEITIGER ELEKTRODE UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten    Einwendung einreichen

Veröff.-Nr.: WO/2017/215710 Internationale Anmeldenummer PCT/DE2017/100498
Veröffentlichungsdatum: 21.12.2017 Internationales Anmeldedatum: 14.06.2017
IPC:
H01L 31/0224 (2006.01) ,H01L 31/18 (2006.01)
Anmelder: HELMHOLTZ-ZENTRUM BERLIN FÜR MATERIALIEN UND ENERGIE GMBH[DE/DE]; Hahn-Meitner-Platz 1 14109 Berlin, DE
Erfinder: STANNOWSKI, Bernd; DE
GABRIEL, Onno; DE
PREISSLER, Natalie; DE
SCHLATMANN, Rutger; DE
Prioritätsdaten:
10 2016 110 965.715.06.2016DE
Titel (EN) SEMICONDUCTOR COMPONENT WITH FRONT AND REAR-SIDED ELECTRODES AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
(FR) COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR DOTÉ D'ÉLECTRODES EN FACES AVANT ET ARRIÈRE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(DE) HALBLEITER-BAUELEMENT MIT VORDER- UND RÜCKSEITIGER ELEKTRODE UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG
Zusammenfassung: front page image
(EN) The invention relates to a semiconductor component with front and rear-sided electrodes, comprising, on a substrate, at least one contact layer for charge carriers having a conductively type the same as the rear-sided electrode, on which at least one active semiconductor layer and a front-sided electrode, and at least one intermediate layer is arranged between the rear-sided electrode and the at least one active semiconductor layer. According to the invention, at least two electrically insulating dielectric intermediate layers are provided, between which at least one electrically conductive layer is arranged. The at least two electrically insulating dielectric layers comprise contact openings which are offset to each other such that the rear-sided electrode, which is formed over the total surface, and the at least one active semiconductor layer are electrically conductively connected. The invention also relates to a method for the production thereof.
(FR) L'invention concerne un composant semi-conducteur doté d'électrodes en faces avant et arrière, comprenant sur un substrat au moins une couche de contact, pour des porteurs de charge d'un type de conductivité, en tant qu'électrode en face arrière, sur laquelle sont disposées au moins une couche semi-conductrice active et une électrode en face avant et entre l'électrode en face arrière et la ou les couches semi-conductrices actives est disposée au moins une couche intermédiaire. Selon l'invention, il est prévu au moins deux couches intermédiaires diélectriques électriquement isolantes et entre celles-ci au moins une couche électroconductrice, les deux couches diélectriques électriquement isolantes ou plus comprenant des ouvertures de contact disposées décalées les unes par rapport aux autres de sorte que l'électrode en face arrière, qui est formée sur toute la surface, et la ou les couches semi-conductrices actives sont reliées de manière électroconductrice. L'invention concerne en outre un procédé de fabrication.
(DE) Bei einem Halbleiter-Bauelement mit vorder- und rückseitiger Elektrode, aufweisend auf einem Substrat mindestens eine Kontaktschicht für Ladungsträger eines Leitfähigkeitstyps als rückseitige Elektrode, auf der mindestens eine aktive Halbleiterschicht und eine vorderseitige Elektrode angeordnet sind, und zwischen rückseitiger Elektrode und der mindestens einen aktiven Halbleiterschicht mindestens eine Zwischenschicht angeordnet ist, sind erfindungsgemäß mindestens zwei elektrisch isolierende dielektrische Zwischenschichten angeordnet und zwischen diesen mindestens eine elektrisch leitfähige Schicht, wobei die mindestens zwei elektrisch isolierenden dielektrischen Schichten zueinander versetzt angeordnete Kontaktöffnungen aufweisen, so dass die rückseitige Elektrode, die ganzflächig ausgebildet ist, und die mindestens eine aktive Halbleiterschicht elektrisch leitend verbunden sind. Ein Herstellungsverfahren wird ebenfalls angegeben.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)