In Bearbeitung

Bitte warten ...

Einstellungen

Einstellungen

Gehe zu Anmeldung

1. WO2017211654 - VERFAHREN ZUM EUTEKTISCHEN BONDEN VON WAFERN UND WAFERVERBUND

Veröffentlichungsnummer WO/2017/211654
Veröffentlichungsdatum 14.12.2017
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2017/063220
Internationales Anmeldedatum 31.05.2017
IPC
B81C 3/00 2006.1
BSektion B Arbeitsverfahren; Transportieren
81Mikrostrukturtechnik
CVerfahren oder Geräte besonders ausgebildet zur Herstellung oder Behandlung von Mikrostrukturbauelementen oder Mikrostruktursystemen
3Zusammenbau von Bauelementen oder Systemen aus individuell hergestellten Teilen
CPC
B81C 1/00269
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
1Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
00015for manufacturing microsystems
00261Processes for packaging MEMS devices
00269Bonding of solid lids or wafers to the substrate
B81C 2201/019
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
2201Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
01in or on a substrate
0174for making multi-layered devices, film deposition or growing
019Bonding or gluing multiple substrate layers
B81C 2203/0118
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
2203Forming microstructural systems
01Packaging MEMS
0118Bonding a wafer on the substrate, i.e. where the cap consists of another wafer
B81C 2203/035
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
2203Forming microstructural systems
03Bonding two components
033Thermal bonding
035Soldering
B81C 2203/054
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
2203Forming microstructural systems
05Aligning components to be assembled
052Passive alignment, i.e. using only structural arrangements or thermodynamic forces without an internal or external apparatus
054using structural alignment aids, e.g. spacers, interposers, male/female parts, rods or balls
B81C 3/001
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
3Assembling of devices or systems from individually processed components
001Bonding of two components
Anmelder
  • ROBERT BOSCH GMBH [DE]/[DE]
Erfinder
  • SCHMITZ, Volker
  • GROSSE, Axel
Prioritätsdaten
10 2016 210 007.607.06.2016DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (de)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) VERFAHREN ZUM EUTEKTISCHEN BONDEN VON WAFERN UND WAFERVERBUND
(EN) METHOD FOR EUTECTIC BONDING OF WAFERS, AND A WAFER BOND
(FR) PROCÉDÉ DE LIAISON EUTECTIQUE DE PLAQUETTES ET ENSEMBLE DE PLAQUETTES
Zusammenfassung
(DE) Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum eutektischen Bonden von Wafern mit den Schritten: (a) Bereitstellen eines ersten Wafers (10) mit einer ersten Bondschicht (310) und eines zweiten Wafers (20) mit einer zweiten Bondschicht (320) sowie einem Abstandshalter (400) (b) Aneinanderlegen des ersten Wafers (10) an den zweiten Wafer (20), wobei der Abstandshalter (400) an der ersten Bondschicht (310) anliegt. (c) Aneinanderpressen des ersten Wafers (10) und des zweiten Wafers (20) bis zum Anliegen der ersten Bondschicht (310) an der zweiten Bondschicht (320), wobei der Abstandshalter (400) in die erste Bondschicht (310) eindringt. (d) Eutektisches Bonden des ersten Wafers (10) mit dem zweiten Wafer (20) durch Bilden einer eutektischen Legierung wenigstens aus Teilen der ersten Bondschicht (310) und der zweiten Bondschicht (320). Die Erfindung betrifft auch einen eutektisch gebondeten Waferverbund und eine mikromechanische Vorrichtung aufweisend einen solchen eutektisch gebondeten Waferverbund.
(EN) The invention relates to a method for eutectic bonding of wafers comprising the steps: (a) providing a first wafer (10) comprising a first bonding layer (310), a second wafer (20) comprising a second bonding layer (320) and a spacer (400), (b) placing together the first wafer (10) and the second wafer (20), the spacer (400) lying on the first bonding layer (310). (c) pressing together the first wafer (10) and the second wafer (20) until the first bonding layer (310) lies against the second bonding layer (320), the spacer (400) penetrating the first bonding layer (310). (d) eutectic bonding of the first wafer (10) to the second wafer (20) by the formation of a eutectic alloy at least from portions of the first bonding layer (310) and the second bonding layer (320). The invention also relates to a eutectic bonded wafer bond and to a micromechanical device having a eutectic bonded wafer bond of this type.
(FR) L’invention concerne un procédé de liaison eutectique de plaquettes, comprenant les étapes suivantes : (a) la préparation d’une première plaquette (10) comprenant une première couche de liaison (310) et d’une seconde plaquette (20) comportant une seconde couche de liaison (320) ainsi qu’un espaceur (400) ; (b) la mise en contact de la première plaquette (10) contre la seconde plaquette (20), l’espaceur (400) étant en contact avec la première couche de liaison (310) ; (c) la compression de la première plaquette (10) et de la seconde plaquette (20) l’une contre l’autre jusqu’à ce que la première couche de liaison (310) soit en contact contre la seconde couche de liaison (320), l’espaceur (400) pénétrant dans le première couche de liaison (310) ; (d) la liaison eutectique de la première plaquette (10) à la seconde plaquette (20) en formant un alliage eutectique à partir d’au moins des parties de la première couche de liaison (310) et de la seconde couche de liaison (320). L’invention concerne également un ensemble de plaquettes produit par liaison eutectique et un dispositif micro-mécanique présentant ledit ensemble de plaquettes produit par liaison eutectique.
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten