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1. (WO2017211630) SUSZEPTOR ZUM HALTEN EINER HALBLEITERSCHEIBE, HALBLEITERSCHEIBE UND HERSTELLUNGSVERFAHREN
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten    Einwendung einreichen

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2017/211630    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2017/063089
Veröffentlichungsdatum: 14.12.2017 Internationales Anmeldedatum: 31.05.2017
IPC:
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/687 (2006.01), C30B 31/14 (2006.01), C30B 25/12 (2006.01), C23C 16/458 (2006.01)
Anmelder: SILTRONIC AG [DE/DE]; Hanns-Seidel-Platz 4 81737 München (DE)
Erfinder: HABERECHT, Jörg; (DE)
Vertreter: STAUDACHER, Wolfgang; (DE)
Prioritätsdaten:
10 2016 210 203.6 09.06.2016 DE
Titel (DE) SUSZEPTOR ZUM HALTEN EINER HALBLEITERSCHEIBE, HALBLEITERSCHEIBE UND HERSTELLUNGSVERFAHREN
(EN) SUSCEPTOR FOR HOLDING A SEMICONDUCTOR WAFER, SEMICONDUCTOR WAFER, AND PRODUCTION METHOD
(FR) SUSCEPTEUR POUR SUPPORTER UNE TRANCHE SEMI-CONDUCTRICE, TRANCHE SEMI-CONDUCTRICE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
Zusammenfassung: front page image
(DE)Suszeptor zum Halten einer Halbleiterscheibe während des Abscheidens einer epitaktischen Schicht auf einer Vorderseite der Halbleiterscheibe, umfassend einen Suszeptorring und einen Suszeptorboden, wobei unter dem Suszeptorring Vertiefungen im Suszeptorboden rotationssymmetrisch verteilt angeordnet sind; Verfahren zum Abscheiden einer epitaktischen Schicht auf einer Vorderseite einer Halbleiterscheibe unter Verwendung des Suszeptors; und Halbleiterscheibe mit epitaktischer Schicht.
(EN)The invention relates to a susceptor for holding a semiconductor wafer during the deposition of an epitaxial layer on a front side of the semiconductor wafer, comprising a susceptor ring and a susceptor bottom, wherein recesses are arranged in a rotationally symmetric distribution in the susceptor bottom below the susceptor ring. The invention further relates to a method for depositing an epitaxial layer on a front side of a semiconductor wafer, wherein the susceptor is used, and to a semiconductor wafer having an epitaxial layer.
(FR)L'invention concerne un suscepteur qui sert à supporter une tranche semi-conductrice durant le dépôt d’une couche épitaxique sur une face avant de la tranche semi-conductrice et qui comprend un anneau et un fond de suscepteur. Sous l’anneau du suscepteur, des évidements sont répartis dans le fond du suscepteur selon une symétrie circulaire. L'invention concerne également un procédé de dépôt d’une couche épitaxique sur une face avant d’une tranche semi-conductrice à l’aide du suscepteur, et une tranche semi-conductrice avec une couche épitaxique.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)