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1. WO2017211630 - SUSZEPTOR ZUM HALTEN EINER HALBLEITERSCHEIBE, HALBLEITERSCHEIBE UND HERSTELLUNGSVERFAHREN

Veröffentlichungsnummer WO/2017/211630
Veröffentlichungsdatum 14.12.2017
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2017/063089
Internationales Anmeldedatum 31.05.2017
IPC
H01L 21/02 2006.1
HSektion H Elektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
H01L 21/687 2006.1
HSektion H Elektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
67Vorrichtungen, besonders ausgebildet zur Handhabung von Halbleiterbauelementen oder elektrischen Festkörperbauelementen während ihrer Herstellung oder Behandlung; Vorrichtungen, besonders ausgebildet zur Handhabung von Wafern während der Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen, elektrischen Festkörperbauelementen oder einzelnen Schaltungselementen
683zum Aufnehmen oder Greifen
687mit mechanischen Mitteln, z.B. Haltevorrichtungen, Klemmvorrichtungen oder Pressvorrichtungen
C30B 31/14 2006.1
CSektion C Chemie; Hüttenwesen
30Züchten von Kristallen
BZüchten von Einkristallen; Gerichtetes Erstarren von eutektischen Stoffen oder gerichtetes Entmischen von eutektischen Stoffen; Reinigen von Stoffen durch Zonenschmelzen; Herstellung eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur; Nachbehandlung von Einkristallen oder eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Apparate hierfür
31Diffusionsverfahren oder Dotierverfahren für Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur; Vorrichtungen dafür
06durch Inberührungbringen mit Diffusionsstoffen in gasförmigem Zustand
14Substrathalter oder Substratträger
C30B 25/12 2006.1
CSektion C Chemie; Hüttenwesen
30Züchten von Kristallen
BZüchten von Einkristallen; Gerichtetes Erstarren von eutektischen Stoffen oder gerichtetes Entmischen von eutektischen Stoffen; Reinigen von Stoffen durch Zonenschmelzen; Herstellung eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur; Nachbehandlung von Einkristallen oder eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Apparate hierfür
25Erzeugen von Einkristallen durch chemische Reaktion von Gasen, z.B. Dampfphasen-Epitaxie mit chemischer Reaktion
02Epitaktisches Schichtenwachstum
12Substrathalter oder Substratträger
C23C 16/458 2006.1
CSektion C Chemie; Hüttenwesen
23Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Chemische Oberflächenbehandlung; Diffusionsbehandlung von metallischen Werkstoffen; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase; Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein
CBeschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe durch Diffusion in die Oberfläche, durch chemische Umwandlung oder Substitution; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben, durch Ionenimplantation oder durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase
16Chemisches Beschichten durch Zersetzen gasförmiger Verbindungen ohne Verbleiben von Reaktionsprodukten des Oberflächenmaterials im Überzug, d.h. Verfahren zur chemischen Abscheidung aus der Dampfphase
44gekennzeichnet durch das Beschichtungsverfahren
458gekennzeichnet durch die Art der Substrat-Halterung im Reaktionsraum
CPC
C23C 16/4585
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
458characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
4582Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
4583the substrate being supported substantially horizontally
4585Devices at or outside the perimeter of the substrate support, e.g. clamping rings, shrouds
C30B 25/12
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
25Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
02Epitaxial-layer growth
12Substrate holders or susceptors
C30B 29/06
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
02Elements
06Silicon
H01L 21/02293
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02225characterised by the process for the formation of the insulating layer
0226formation by a deposition process
02293formation of epitaxial layers by a deposition process
H01L 21/02433
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
02433Crystal orientation
H01L 21/682
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
68for positioning, orientation or alignment
682Mask-wafer alignment
Anmelder
  • SILTRONIC AG [DE]/[DE]
Erfinder
  • HABERECHT, Jörg
Vertreter
  • STAUDACHER, Wolfgang
Prioritätsdaten
10 2016 210 203.609.06.2016DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (de)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) SUSZEPTOR ZUM HALTEN EINER HALBLEITERSCHEIBE, HALBLEITERSCHEIBE UND HERSTELLUNGSVERFAHREN
(EN) SUSCEPTOR FOR HOLDING A SEMICONDUCTOR WAFER, SEMICONDUCTOR WAFER, AND PRODUCTION METHOD
(FR) SUSCEPTEUR POUR SUPPORTER UNE TRANCHE SEMI-CONDUCTRICE, TRANCHE SEMI-CONDUCTRICE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
Zusammenfassung
(DE) Suszeptor zum Halten einer Halbleiterscheibe während des Abscheidens einer epitaktischen Schicht auf einer Vorderseite der Halbleiterscheibe, umfassend einen Suszeptorring und einen Suszeptorboden, wobei unter dem Suszeptorring Vertiefungen im Suszeptorboden rotationssymmetrisch verteilt angeordnet sind; Verfahren zum Abscheiden einer epitaktischen Schicht auf einer Vorderseite einer Halbleiterscheibe unter Verwendung des Suszeptors; und Halbleiterscheibe mit epitaktischer Schicht.
(EN) The invention relates to a susceptor for holding a semiconductor wafer during the deposition of an epitaxial layer on a front side of the semiconductor wafer, comprising a susceptor ring and a susceptor bottom, wherein recesses are arranged in a rotationally symmetric distribution in the susceptor bottom below the susceptor ring. The invention further relates to a method for depositing an epitaxial layer on a front side of a semiconductor wafer, wherein the susceptor is used, and to a semiconductor wafer having an epitaxial layer.
(FR) L'invention concerne un suscepteur qui sert à supporter une tranche semi-conductrice durant le dépôt d’une couche épitaxique sur une face avant de la tranche semi-conductrice et qui comprend un anneau et un fond de suscepteur. Sous l’anneau du suscepteur, des évidements sont répartis dans le fond du suscepteur selon une symétrie circulaire. L'invention concerne également un procédé de dépôt d’une couche épitaxique sur une face avant d’une tranche semi-conductrice à l’aide du suscepteur, et une tranche semi-conductrice avec une couche épitaxique.
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten