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1. WO2017211629 - VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER SOLARZELLENSTRUKTUR

Veröffentlichungsnummer WO/2017/211629
Veröffentlichungsdatum 14.12.2017
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2017/063088
Internationales Anmeldedatum 31.05.2017
IPC
H01L 31/0352 2006.1
HSektion H Elektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
31Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
0248gekennzeichnet durch die Halbleiterkörper
0352gekennzeichnet durch die Gestalt, relative Größe oder Anordnung der Halbleiterbereiche
H01L 31/18 2006.1
HSektion H Elektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
31Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
18Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon
CPC
H01L 31/035281
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
0248characterised by their semiconductor bodies
0352characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
035272characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
035281Shape of the body
H01L 31/1804
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
1804comprising only elements of Group IV of the Periodic System
Y02E 10/547
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
10Energy generation through renewable energy sources
50Photovoltaic [PV] energy
547Monocrystalline silicon PV cells
Y02P 70/50
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
70Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Anmelder
  • INGENIEURBÜRO FÜR THERMISCHE PROZESSE DR. ERFURT [DE]/[DE]
Erfinder
  • ERFURT, Gunter
  • KRAUSE, Andreas
Vertreter
  • HARRISON, Robert
Prioritätsdaten
10 2016 110 464.707.06.2016DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (de)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER SOLARZELLENSTRUKTUR
(EN) METHOD FOR PRODUCING A SOLAR CELL STRUCTURE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UNE STRUCTURE DE CELLULE SOLAIRE
Zusammenfassung
(DE) Ein Verfahren zur Herstellung einer Solarzellenstruktur (100) wird bereitgestellt, wobei das Verfahren die Verfahrensschritte umfasst: Bereitstellen eines Kernleiters (10); Beschichten des Kernleiters (10) durch Eintauchen des Kernleiters (10) in eine Silizium-Quelle und Erwärmen der Silizium-Quelleoberhalb der eutektischen Temperatur; und Auslagern der Beschichtung des Kernleiters (10) bei einer Temperatur unterhalb der eutektischen Temperatur bei welcher Siliziumausgeschieden wird.
(EN) The invention relates to a method for producing a solar cell structure (100), wherein the method comprises the following steps: providing a core conductor (10); coating the core conductor (10) by immersing the core conductor (10) in a silicon source and heating the silicon source above the eutectic temperature; and aging the coating of the core conductor (10) at a temperature below the eutectic temperature at which silicon is precipitated.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d’une structure de cellule solaire (100), ce procédé consistant à : prendre un conducteur à âme centrale (10) ; appliquer un revêtement sur ce conducteur à âme centrale (10) par immersion dans une source de silicium et chauffage de la source de silicium à une température supérieure à la température eutectique ; et durcir par précipitation le revêtement du conducteur à âme centrale (10) à une température inférieure à la température eutectique à laquelle le silicium est précipité.
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