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1. WO2017210534 - HETERO-STRUCTURE-BASED INTEGRATED PHOTONIC DEVICES, METHODS AND APPLICATIONS

Veröffentlichungsnummer WO/2017/210534
Veröffentlichungsdatum 07.12.2017
Internationale Veröffentlichungsnummer PCT/US2017/035646
Internationales Anmeldedatum 02.06.2017
IPC
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
S
Vorrichtungen, die stimulierte Emission verwenden
5
Halbleiterlaser
02
Bauliche Einzelheiten oder Bauteile, die nicht für die Laseraktion maßgeblich sind
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
S
Vorrichtungen, die stimulierte Emission verwenden
5
Halbleiterlaser
20
Aufbau oder Form des Halbleiterkörpers, der die optischen Wellen führt
22
mit einer Kammstruktur [ridge structure] oder einer Streifenstruktur [stripe structure]
H01S 5/02 (2006.01)
H01S 5/22 (2006.01)
CPC
G02B 6/1225
H01S 5/0215
H01S 5/0422
H01S 5/2031
H01S 5/2045
H01S 5/22
Anmelder
  • UNIVERSITY OF CENTRAL FLORIDA RESEARCH FOUNDATION, INC. [US/US]; 12201 Research Parkway, Suite 501 Orlando, FL 32826, US
Erfinder
  • FATHPOUR, Sasan; US
  • CHILES, Jeffrey; US
Vertreter
  • NOTO, Joseph, M.; US
  • GREENER, William; US
  • NOCILLY, David, L.; US
  • MCGUIRE, George, R.; US
  • PRICE, Frederick, Jm; US
Prioritätsdaten
62/345,39303.06.2016US
Veröffentlichungssprache Englisch (EN)
Anmeldesprache Englisch (EN)
Designierte Staaten
Titel
(EN) HETERO-STRUCTURE-BASED INTEGRATED PHOTONIC DEVICES, METHODS AND APPLICATIONS
(FR) DISPOSITIFS PHOTONIQUES INTÉGRÉS BASÉS SUR UNE HÉTÉROSTRUCTURE, PROCÉDÉS ET APPLICATIONS
Zusammenfassung
(EN)
An integrated photonic structure and a method of fabrication are provided which includes: a substrate having at least one opening disposed therein; a semiconductor stack disposed above the substrate, the semiconductor stack being, at least in part, isolated from the underlying substrate by the at least one opening to define a suspended semiconductor membrane; and a first doped region and a second doped region located within the suspended semiconductor membrane, wherein the first doped region is laterally separated from the second doped region by an optically active region disposed therein that defines a waveguiding region of the integrated photonic structure.
(FR)
L'invention concerne une structure photonique intégrée et un procédé de fabrication comprenant : un substrat présentant au moins une ouverture ménagée en son sein ; un empilement de semi-conducteurs ménagé au-dessus du substrat, l'empilement de semi-conducteurs étant, au moins en partie, isolé du substrat sous-jacent par ladite ouverture de façon à délimiter une membrane semi-conductrice suspendue ; et des première et seconde régions dopées situées à l'intérieur de la membrane semi-conductrice suspendue, la première région dopée étant séparée latéralement de la seconde région dopée par une région optiquement active ménagée en son sein qui délimite une région de guide d'ondes de la structure photonique intégrée.
Auch veröffentlicht als
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