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1. (WO2017207264) MIRROR FOR THE EUV WAVELENGTH RANGE
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten    Einwendung einreichen

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2017/207264    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2017/061697
Veröffentlichungsdatum: 07.12.2017 Internationales Anmeldedatum: 16.05.2017
IPC:
G03F 7/20 (2006.01), G21K 1/06 (2006.01), G02B 5/08 (2006.01)
Anmelder: CARL ZEISS SMT GMBH [DE/DE]; Rudolf-Eber-Strasse 2 73447 Oberkochen (DE)
Erfinder: WEBER, Joern; (DE).
GRASSE, Christian; (DE).
STROBEL, Sebastian; (DE).
HUBER, Peter; (DE)
Vertreter: CARL ZEISS AG - PATENTABTEILUNG; Carl-Zeiss-Strasse 22 73447 Oberkochen (DE)
Prioritätsdaten:
10 2016 209 273.1 30.05.2016 DE
Titel (DE) MIRROR FOR THE EUV WAVELENGTH RANGE
(EN) MIRROR FOR THE EUV WAVELENGTH RANGE
(FR) MIROIR POUR LA GAMME DE LONGUEURS D'ONDES EUV
Zusammenfassung: front page image
(DE)21 ABSTRACT The invention relates to a mirror (S1, S2) for the EUV wavelength range and a projection lens (4) and illumination system (3) for microlithography comprising such a mirror (S1, S2). Furthermore, the invention relates to a projection exposure apparatus 5 (1) for microlithography comprising such a projection lens (4) and/or such an illumination system (3). A mirror for the EUV wavelength range (S1, S2) according to the invention comprises a substrate and a layer arrangement, wherein the layer arrangement (X) comprises a reflective layer system (RL) having at least one layer subsystem (P') and a protective layer system (SPL) protecting the substrate, wherein 10 the protective layer system (SPL) comprises a periodical sequence of at least two periods (PSPL), consisting of in each case two individual layers (AZ, R), characterized in that the first individual layer (AZ) of the period (PSPL) simultaneously protects the substrate by absorbing the EUV radiation and compensates for layer stresses in the layer arrangement (X), 15 and the respective second individual layer (R) reduces the surface roughness of the protective layer system (SPL) by smoothing the surface roughness of the first individual layer (AZ). (Figure 1A) 20
(EN)The invention relates to a mirror (S1, S2) for the EUV wavelength range and a projection lens (4) and illumination system (3) for microlithography comprising such a mirror (S1, S2). Furthermore, the invention relates to a projection exposure apparatus (1) for microlithography comprising such a projection lens (4) and/or such an illumination system (3). A mirror for the EUV wavelength range (S1, S2) according to the invention comprises a substrate and a layer arrangement, wherein the layer arrangement (X) comprises a reflective layer system (RL) having at least one layer subsystem (Ρ') and a protective layer system (SPL) protecting the substrate, wherein the protective layer system (SPL) comprises a periodical sequence of at least two periods (PSPL), consisting of in each case two individual layers (AZ, R), characterized in that the first individual layer (AZ) of the period (PSPL) simultaneously protects the substrate by absorbing the EUV radiation and compensates for layer stresses in the layer arrangement (X), and the respective second individual layer (R) reduces the surface roughness of the protective layer system (SPL) by smoothing the surface roughness of the first individual layer (AZ).
(FR)L'invention concerne un miroir (S1, S2) dédié à la gamme de longueurs d'onde EUV et une lentille de projection (4) et un système d'éclairage (3) pour la microlithographie comprenant un tel miroir (S1, S2). En outre, l'invention concerne un appareil d'exposition par projection (1) pour la microlithographie comprenant une telle lentille de projection (4) et/ou un tel système d'éclairage (3). Un miroir dédié à la gamme de longueurs d'onde EUV (S1, S2), selon l'invention, comprend un substrat et un agencement de couches, l'agencement de couches (X) comprend un système de couche réfléchissante (RL) ayant au moins un sous-système de couche (P') et un système de couche de protection (SPL) protégeant le substrat, le système de couche de protection (SPL) comprenant une séquence périodique d'au moins deux périodes (PSPL), constituées chacune de deux couches individuelles (AZ, R) caractérisées en ce que la première couche individuelle (AZ) de la période (PSPL) protège simultanément le substrat par absorption du rayonnement EUV et compense les contraintes de couche dans l'agencement de couches (X), et la seconde couche individuelle respective (R) réduit la rugosité de surface du système de couche de protection (SPL) en lissant la rugosité de surface de la première couche individuelle (AZ).
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: English (EN)
Anmeldesprache: English (EN)