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1. (WO2017186216) LICHTDURCHLÄSSIGER TRÄGER FÜR EINEN HALBLEITENDEN DÜNNSCHICHTAUFBAU SOWIE VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG UND ANWENDUNG DES LICHTDURCHLÄSSIGEN TRÄGERS
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TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2017/186216    Internationale Anmeldenummer    PCT/DE2017/100299
Veröffentlichungsdatum: 02.11.2017 Internationales Anmeldedatum: 12.04.2017
IPC:
H01L 31/0236 (2006.01)
Anmelder: HELMHOLTZ-ZENTRUM BERLIN FÜR MATERIALIEN UND ENERGIE GMBH [DE/DE]; Hahn-Meitner-Platz 1 14109 Berlin (DE)
Erfinder: BECKER, Christiane; (DE).
EISENHAUER, David; (DE).
KÖPPEL, Grit; (DE).
RECH, Bernd; (DE)
Prioritätsdaten:
10 2016 107 877.8 28.04.2016 DE
Titel (DE) LICHTDURCHLÄSSIGER TRÄGER FÜR EINEN HALBLEITENDEN DÜNNSCHICHTAUFBAU SOWIE VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG UND ANWENDUNG DES LICHTDURCHLÄSSIGEN TRÄGERS
(EN) TRANSLUCENT SUPPORT FOR A SEMICONDUCTIVE THIN FILM STRUCTURE, AND METHOD FOR PRODUCING AND USING THE TRANSLUCENT SUPPORT
(FR) SUPPORT TRANSPARENT POUR STRUCTURE DE COUCHES MINCES SEMI-CONDUCTRICE AINSI QUE PROCÉDÉ DE PRODUCTION ET UTILISATION DU SUPPORT TRANSPARENT
Zusammenfassung: front page image
(DE)Für lichtabsorbierende Halbleiterdünnschichten sind spezielle Lichteinfangstrukturen zur Absorptionssteigerung erforderlich. Flache Lichteinfangstrukturen haben nur gute elektrische, raue Lichteinfangstrukturen haben nur gute optische Eigenschaften. Der erfindungsgemäße Träger (01) weist eine Lichteinfangstruktur (02) auf, die geglättet ist („SMART" (SMooth Anti Refiective Three-dimensional) Textur). Dazu wird die dreidimensionale Strukturschicht (09) mit einer homogen und periodischen Nanostruktur (07) ausgebildet und zumindest von einer ersten Antireflexschicht (10) aufgefüllt und abgedeckt. Dadurch wird die Höhe der Nanostruktur (07) der Strukturschicht (09) um mindestens 30 % verringert. Die Oberflächenwinkel der Lichteinfangstruktur (02) bezogen auf das Superstrat (03) sind nicht größer als 60°. Die Lichteinfangstruktur (02) des erfindungsgemäßen Trägers (01) weist sowohl sehr gute optische als auch elektrische Eigenschaften auf. Aufgrund der gewählten Materialien ist eine Temperaturstabilität des Trägers (01) für eine Flüssigphasenkristallisation gegeben. In einem einfachen und großflächigen Herstellungsverfahren wird eine mit Nanoimprint erzeugte Nanostruktur (07) anschließend durch Schleuderbeschichtung mit der Antireflexschicht (10) geglättet. In einer bevorzugten Anwendung kann der anschließende Dünnschichtaufbau (14) mittels Flüssigphasenkristallisation prozessiert werden.
(EN)Special light-trapping structures for increasing absorption are required for light-absorbing semiconductor thin films. Flat light-trapping structures only have good electric properties, and rough light-trapping structures only have good optical properties. The support (01) according to the invention has a light-trapping structure (02) which is smooth ("SMART" (SMooth Anti-Reflective Three-dimensional) texture). Additionally, the structured three-dimensional layer (09) is designed with a homogenous and periodic nanostructure (07) and is filled and covered at least with a first anti-reflective layer (10). In this manner, the height of the nanostructure (07) of the structured layer (09) is reduced by at least 30%. The surface angles of the light-trapping structure (02) relative to the superstrate (03) are not greater than 60°. The light-trapping structure (02) of the support (01) according to the invention has both very good optical properties as well as very good electric properties. On the basis of the selected materials, a temperature stability of the support (01) is provided for a liquid-phase crystallization. In a simple and large-scale production method, a nanostructure (07) produced using a nanoimprint process is first smoothed with the anti-reflective layer (10) by means of a spin coating method. In a preferred use, the subsequent thin film structure (14) can be processed by means of a liquid-phase crystallization process.
(FR)Les couches minces semi-conductrices photo-absorbantes nécessitent des structures de piégeage de lumière spéciales pour augmenter l’absorption. Les structures de piégeage de lumière plates présentent seulement de bonnes propriétés électriques, les structures de piégeage de lumière rugueuses présentent seulement de bonnes propriétés optiques. Le support (01) de l’invention comprend une structure de piégeage de lumière (02) qui est lissée (texture «SMART» (SMooth Anti Reflective Three-dimensional)). Pour cela, la couche de structure tridimensionnelle (09) est formée avec une nanostructure homogène et périodique (07) et remplie et couverte d’au moins une première couche anti-réflexion (10). En conséquence, la hauteur de la nanostructure (07) de la couche de structure (09) est réduite d’au moins 30%. Les angles de surface de la structure de piégeage de lumière (02) par rapport à la super-strate (03) ne sont pas supérieurs à 60°. La structure de piégeage de lumière (02) du support (01) de l’invention présente de bonnes propriétés optiques et électriques. En raison des matériaux choisis, une stabilité en température du support (01) est donnée pour une cristallisation en phase liquide. Dans un procédé de production simple et de grande surface, une nanostructure produite par nano-impression (07) est ensuite lissée par revêtement par centrifugation avec la couche anti-réflexion (10). Dans une application préférée, la structure de couches minces (14) ultérieure peut être traitée par cristallisation en phase liquide.
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African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)