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1. (WO2017182329) SILIZIUMWAFER FÜR EIN ELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG
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Veröff.-Nr.: WO/2017/182329 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2017/058674
Veröffentlichungsdatum: 26.10.2017 Internationales Anmeldedatum: 11.04.2017
IPC:
H01L 21/02 (2006.01)
Anmelder: NEXWAFE GMBH[DE/DE]; Hans-Bunte-Straße 19 79108 Freiburg, DE
Erfinder: REBER, Stefan; DE
SCHILLINGER, Kai; DE
SIEBKE, Frank; DE
Vertreter: DICKER, Jochen; DE
NÜBOLD, Henrik; DE
BLUMENRÖHR, Dietrich; DE
KAISER, Magnus; DE
URLICHS, Stefan; DE
LEITNER, Anke; DE
Prioritätsdaten:
10 2016 107 557.422.04.2016DE
Titel (EN) SILICON WAFER FOR AN ELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
(FR) PLAQUETTE DE SILICIUM POUR UN COMPOSANT ELECTRONIQUE, ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(DE) SILIZIUMWAFER FÜR EIN ELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG
Zusammenfassung: front page image
(EN) The invention relates to a method for producing a silicon wafer for an electronic component, having the method step of epitaxially growing of a silicon layer on a carrier substrate and removing the silicon layer as a silicon wafer from the carrier substrate, wherein at least one p-dopant and at least one n-dopant is introduced into the silicon layer during the epitaxial growth. The invention is characterized in that the introducing of the dopant into the silicon layer occurs such that the silicon layer is formed having an electrically active p-doping and an electrically active n-doping, each greater than 1x1014 cm-3.
(FR) L’invention concerne un procédé de production d’une plaquette de silicium pour un composant électronique, ledit procédé consistant à réaliser une croissance épitaxiale d’une couche de silicium sur un substrat de support et à séparer de ce dernier la couche de silicium sous la forme d’une plaquette de silicium, au moins un dopant p et au moins un dopant n étant incorporés dans la couche de silicium pendant la croissance épitaxiale. L’invention est caractérisée en ce que l’incorporation des dopants dans la couche de silicium s’effectue de sorte que cette dernière est formée avec un dopage p actif électrique et un dopage n actif électrique respectivement supérieurs à 1x1014 cm-3 .
(DE) Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Siliziumwafers für ein elektronisches Bauelement, mit dem Verfahrensschritt epitaktisches Aufwachsen einer Siliziumschicht auf einem Trägersubstrat und Ablösen der Siliziumschicht als Siliziumwafer von dem Trägersubstrat, wobei während des epitaktischen Aufwachsens zumindest ein p-Dotierstoff und zumindest ein n-Dotierstoff in die Siliziumschicht eingebracht wird. Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass das Einbringen der Dotierstoffe in die Siliziumschicht derarterfolgt, dass die Siliziumschicht mit einer elektrisch aktiven p-Dotierung und einer elektrisch aktiven n-Dotierung jeweils größer 1x1014 cm-3 ausgebildet wird.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)