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1. (WO2017178427) OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS
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Veröff.-Nr.: WO/2017/178427 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2017/058549
Veröffentlichungsdatum: 19.10.2017 Internationales Anmeldedatum: 10.04.2017
IPC:
H01L 33/40 (2010.01) ,H01L 33/44 (2010.01)
Anmelder: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH[DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Erfinder: HÖPPEL, Lutz; DE
Vertreter: ZUSAMMENSCHLUSS NR. 175 - EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Prioritätsdaten:
10 2016 106 928.014.04.2016DE
Titel (EN) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP
(FR) PUCE SEMI-CONDUCTRICE OPTOÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE PUCE SEMI-CONDUCTRICE OPTOÉLECTRONIQUE
(DE) OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS
Zusammenfassung: front page image
(EN) The invention relates to an optoelectronic semiconductor chip (23) comprising a semiconductor body (22) having a first semiconductor region (3), a second semiconductor region (5) and an active zone (4) arranged between the first and second semiconductor region (3, 5), comprising an electrically conductive contact layer (7) arranged on a side of the first semiconductor region (3) facing away from the second semiconductor region (5), and comprising an electrically conductive mirror layer (6) which is arranged between the first semiconductor region (3) and the electrically conductive contact layer (7), and over which the first semiconductor region (3) and the electrically conductive contact layer (7) project laterally at the edge, such that an intermediate space (8) is formed between the first semiconductor region (3) and the electrically conductive contact layer (7), in which a protective layer (9) is arranged for protecting the mirror layer (6), wherein the electrically conductive contact layer (7) extends laterally up to an edge of the first semiconductor region (3). The invention also relates to a method for producing an optoelectronic semiconductor chip (23).
(FR) L'invention concerne une puce semi-conductrice (23) optoélectronique qui comprend un corps semi-conducteur (22) comportant une première zone semi-conductrice (3), une seconde zone semi-conductrice (5) et une zone active (4) agencée entre la première et la seconde zone semi-conductrice (3, 5), une couche de contact (7) électroconductrice qui est agencée sur une face de la première zone semi-conductrice (3), située à l'opposé de la seconde zone semi-conductrice (3), une couche réfléchissante (6) électroconductrice qui est agencée entre la première zone semi-conductrice (3) et la couche de contact (7) électroconductrice et fait saillie latéralement, côté marginal, de la première zone semi-conductrice (3) et de la couche de contact (7) électroconductrice, de sorte qu'un espace intermédiaire (8) se trouve entre la première zone semi-conductrice (3) et la couche de contact (7) électroconductrice, espace intermédiaire dans lequel est disposée une couche de protection (9) pour protéger la couche réfléchissante (6), la couche de contact (7) électroconductrice s'étendant latéralement jusqu'à un bord de la première zone semi-conductrice (3). L'invention concerne en outre un procédé de fabrication d'une puce semi-conductrice (23) optoélectronique.
(DE) Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (23) angegeben mit - einem Halbleiterkörper (22) umfassend einen ersten Halbleiterbereich (3), einen zweiten Halbleiterbereich (5) und eine zwischen dem ersten und zweiten Halbleiterbereich (3, 5) angeordnete aktive Zone (4), - einer elektrisch leitenden Kontaktschicht (7), die auf einer dem zweiten Halbleiterbereich (5) abgewandten Seite des ersten Halbleiterbereichs (3) angeordnet ist, - einer elektrisch leitenden Spiegelschicht (6), die zwischen dem ersten Halbleiterbereich (3) und der elektrisch leitenden Kontaktschicht (7) angeordnet ist und von dem ersten Halbleiterbereich (3) und der elektrisch leitenden Kontaktschicht (7) randseitig lateral überragt wird, so dass sich zwischen dem ersten Halbleiterbereich (3) und der elektrisch leitenden Kontaktschicht (7) ein Zwischenraum (8) befindet, in welchem zum Schutz der Spiegelschicht (6) eine Schutzschicht (9) angeordnet ist, wobei sich die elektrisch leitende Kontaktschicht (7) lateral bis zu einem Rand des ersten Halbleiterbereichs (3) erstreckt. Ferner wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips (23) angegeben.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)